VOLTAGE IMPROVEMENT ANALYSIS OF 20 KV FEEDER WITH TRANSFORMER CHANGING TAP AND PLACING THE BANK CAPACITY ON THE FEEDER MAROKO TAPUNG DEPARTMENT IN CUSTOMER SERVICE UNIT DURI

Julian Milano (2021)Analisis Perbaikan Tegangan Penyulang 20 kV dengan Transformator Mengubah Tap dan Menempatkan Kapasitor Bank Pada Penyulang Maroko Jurusan Tapung di Unit Layanan Pelanggan Duri Penyulang Maroko Jurusan Tapung merupakan Penyulang 20 kV dengan jatuh tegangan paling besar di wilayah PT. PLN (PERSERO), ULP Duri. Jatuh tegangan nya adalah sebesar 16 % terhadap tegangan nominalnya. Pada skripsi ini akan dilakukan perbaikan tegangan pada Penyulang Maroko Jurusan Tapung menggunakan bantuan simulasi software ETAP 12.6.0. Perbaikan tahap pertama dengan menaikkan tap sebesar 5 % pada sisi sekunder Transformator Daya Unit 1 Gardu Induk Balai Pungut. Perbaikan tahap kedua dengan menempatkan satu buah kapasitor bank shunt berkapasitas 400 kVAR pada bus 172. Perbaikan tahap ketiga dengan menaikkan tap sebesar 2.5 % di sisi sekunder pada 32 transformator distribusi dan menaikkan tap sebesar 5 % di sisi sekunder pada 13 transformator distribusi. Hasilnya, setelah simulasi nilai tegangan paling rendah pada jaringan tegangan menengah adalah 91.69 % dan pada jaringan tegangan rendah adalah 90.47 %. Sehingga disimpulkan, nilai tegangan setelah melakukan perbaikan tegangan tersebut memenuhi standar SPLN 1 : 1987 yaitu +5 % dan -10 % terhadap tegangan nominal

Magnetotransport properties of Fe0.8Ga0.2 films with stripe domains

Magnetotransport properties of Fe0.8Ga0.2 films with stripe domains are studied. The anisotropic magnetoresistance dominates the low field behavior, which is extremely dependent on the magnetic domains configuration. The magnetoresistance measured at different temperatures displays qualitatively different behaviors depending on the measurement configuration. When the stripes are oriented along the electric current, the low-field magnetoresistance changes sign with temperature, while when the stripes are perpendicular to the electric current the magnetoresistance curves are nearly temperature independent. A simple model considering parallel (series) conduction along (across) the stripes, plus the temperature dependence of anisotropic magnetoresistance and domains configuration, accounts for these experimental results.Fil: Granada, Mara. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Bustingorry, Sebastián. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Pontello, Diego Esteban. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Barturen, Mariana. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Universidad Nacional de Cuyo; Argentina. LIFAN, Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencia; ArgentinaFil: Eddrief, M.. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencia; Argentina. Sorbonne University; Francia. Universite de Paris VI. Institut des Nanosciences de Paris; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; FranciaFil: Marangolo, M.. LIFAN, Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencia; Argentina. Sorbonne University; Francia. Universite de Paris VI. Institut des Nanosciences de Paris; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; FranciaFil: Milano, Julian. Laboratorio Internacional Franco-Argentino en Nanociencia; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentin

Bulklike behavior of magnetoelasticity in epitaxial Fe1-xGax thin films

Bulk Fe1-xGax alloys present a strong sensitivity of the magnetostrictive properties with Ga content with maximum magnetostriction near x=0.19. Here, we present magnetoelastic coefficients measured by the cantilever method on Fe1-xGax thin films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001). We find that Ga-dependent magnetoelastic coefficients in nanometer thin films are comparable in magnitude to the respective bulk values. Moreover, we compare thin films with a tetragonal structure due to a slightly preferential alignment of Ga pairs along the growth direction with and a cubic structure. It turns out that magnetoelastic coefficients are unaffected by a preferential alignment of Ga pairs along the growth direction.Fil: Barturen, Mariana. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Universidad Argentina de la Empresa; Argentina. Université Pierre et Marie Curie; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Sander, D.. Max Planck Institute For Microstructure Physics; AlemaniaFil: Milano, Julian. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; ArgentinaFil: Premper, J.. Max Planck Institute For Microstructure Physics; AlemaniaFil: Helman, Christian. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Eddrief, M.. Universite de Paris VI. Institut des Nanosciences de Paris; FranciaFil: Kirschner, J.. Max Planck Institute For Microstructure Physics; AlemaniaFil: Marangolo, M.. Universite de Paris VI. Institut des Nanosciences de Paris; Franci

Controlling the crystalline and magnetic texture in sputtered Fe 0.89 Ga 0.11 thin films: Influence of substrate and thermal treatment

In this work we present a careful study on the relationship between the magnetic and structural properties of a highly magnetostrictive Fe0.89Ga0.11 (Fe-Ga) alloy deposited onto glass, Si and MgO substrates. When grown on glass, the films are polycrystalline with randomly oriented grains without any texture, while the ones on Si and MgO present preferred growth directions. Fe-Ga/Si films show a [1 1 3] fibre-like texture, and Fe-Ga/MgO presents a quasi monocrystalline behavior with the (1 0 0) film plane direction parallel to the substrate surface. When Fe-Ga/MgO films are annealed an additional (1 1 0) texture is also observed. Magnetometry and ferromagnetic resonance (FMR) show that the magnetic behavior is closely related to the structural observed textures. Furthermore, the structural analysis allowed us to get a deeper understanding of the magnetic behavior. This point is very important to get the ability of controlling the crystalline texture by means of growing onto different substrates and/or thermal treatments, which in turns opens the possibility of handling the magnetic texture which is particularly important in magnetostrictive materials for electronic devices.Fil: Ramírez Chamorro, Gerardo Alexis. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; ArgentinaFil: Malamud, Florencia. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Gomez, Javier Enrique. Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; ArgentinaFil: Rodríguez, Luis M.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; ArgentinaFil: Fregenal, Daniel Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Butera, Alejandro Ricardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; ArgentinaFil: Milano, Julian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; Argentin

Magnetoelasticity of Fe1-x Gax thin films on amorphous substrates

In this work, we study the magnetoelastic behavior of Fe1−xGax (0.11 < x < 0.19) thin films, grown on glass and oxidized Si(100) amorphous substrates, that present an isotropic crystalline texture in the film plane. The magnetoelastic coupling coefficients are obtained through the cantilever deflection technique. We find that the magnetoelastic response is larger for samples grown on glass with respect to those grown on Si(100), and such a response increases for larger Ga concentrations for both substrates used. Furthermore, the increasing substrate temperature during growth does not appear to have a significant effect on magnetoelastic behavior of samples grown on Si(100). From a model that takes into account the elastic grain interaction for isotropic systems, we are able to describe the experimentally observed behavior. We find that the magnetoelastic response of the samples grown on glass are well described by the Voigt model, while the samples on Si(100) present an intermediate response between the Voigt and Reuss models.Fil: Ramírez, G. A.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; ArgentinaFil: Moya Riffo, Alvaro Esteban. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Gómez, J. E.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Goijman, Dafne Yael. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; ArgentinaFil: Rodríguez, L. M.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Fregenal, Daniel Eduardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Butera, Alejandro Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Milano, Julian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentin

Mechanism of localization of the magnetization reversal in 3 nm wide Co nanowires

The mechanism of magnetization reversal has been studied in a model system of self-assembled cobalt nanowires with a 3 nm diameter. The structure, orientation and size of grains within the nanowires could be determined by high resolution transmission electron microscopy. The magnetic properties were probed using static and dynamic magnetization measurements. Micromagnetic modeling based on the structural analysis allows us to correlate the structure and the magnetic behavior of the wires, revealing competition between shape anisotropy, magnetocrystalline anisotropy and exchange in the localized reversal within Co hcp oriented grains. These results provide direct experimental evidence of the link between anisotropy fluctuations and reversal localization in nanowires.Fil: Vidal, F.. Universite de Paris Vi. Institut Des Nanosciences de Paris; FranciaFil: Zheng, Y.. Universite de Paris Vi. Institut Des Nanosciences de Paris; FranciaFil: Schio, P.. Universidade Federal Do Sao Carlos; Brasil. Universite de Paris Vi. Institut Des Nanosciences de Paris; FranciaFil: Bonilla, F. J.. Universite de Paris Vi. Institut Des Nanosciences de Paris; FranciaFil: Barturen, Mariana. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universite de Paris Vi. Institut Des Nanosciences de Paris; Francia. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Universidad Nacional de Cuyo; ArgentinaFil: Milano, Julian. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universite de Paris Vi. Institut Des Nanosciences de Paris; Francia. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Universidad Nacional de Cuyo; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Demaille, D.. Universite de Paris Vi. Institut Des Nanosciences de Paris; FranciaFil: Fonda, E.. L’Orme des Merisiers Saint-Aubin. Synchrotron Soleil; FranciaFil: de Oliveira, A. J. A.. Universidade Federal Do Sao Carlos; BrasilFil: Etgens, V. H.. Universite de Paris Vi. Institut Des Nanosciences de Paris; Francia. Fédération Lavoisier Franklin; Franci