Impureza isoeletrônica de nitrogênio em materiais e heteroestruturas de materiais semicondutores

Neste trabalho, apresentamos uma revisão dos efeitos da impureza isoeletrônica de nitrogênio nas propriedades ópticas e elétricas de materiais semicondutores III-V e alguns resultados experimentais de fotoluminescência em poços quânticos de GaAs/GaAsSbN crescidos pela técnica de Epitaxia por Feixe Molecular. Impurezas isoeletrônicas de nitrogênio causam profundas modifi cações nas propriedades ópticas e elétricas de materiais semicondutores, principalmente devido à sua grande eletronegatividade. As principais alterações no material hospedeiro, devido à inserção do N, são: grande redução do “gap” de energia (150 meV por % de N), aumento no valor da massa efetiva e alta densidade de estados profundos no “gap” do material. No sistema GaAs/GaAsSbN, por exemplo, observamos uma redução de 132,0 meV para uma variação de 1,3 % na concentração de N. A forte redução no valor do “gap” de energia tem permitido o desenvolvimento de lasers semicondutores, crescidos sobre o substrato de GaAs, com emissão na região espectral de transmissão de dados em fi bras ópticas de sílica (1,3 – 1,55 μm). Do ponto de vista teórico, as modifi cações nas propriedades ópticas e elétricas do material hospedeiro, induzidas pelos átomos de N, são descritas por um modelo relativamente simples baseado na repulsão entre o estado localizado de N e os estados estendidos da banda de condução do semicondutor, modelo “band-anticrossing”

Effects of light-emitting diodes phototherapy on autonomic modulation of footballers

The aim of the study was to analyze the effects of LED therapy during a training week on parasympathetic modulation and perceived stress in football players. Eigthteen soccer players participated in this study (Age: 21.2 ± 2.6 years; Body mass: 73 ± 7.2 kg; Stature: 178.0 ± 6.2 cm). Pre and post one training week rest heart rate and subjective perceived stress through daily analysis of life demands for athletes (DALDA) questionnaire was obtained. During this week the athletes were randomized in two groups: LED phototherapy (LED) and placebo (PLA). The treatment with LED phototherapy was applied on four points in lower limbs on quadriceps and hamstring muscles every day after the last training session. The treatment was performed in a doubleblind fashion. ANCOVA with repeated measures was applied to check the effects of treatment on autonomic modulation. The training performed by both groups was similar regarding intensity and duration. Likewise, there was no difference between groups for the internal load. We observed a time effect for the parameters mean RR intervals (RRmédio - LED: pre = 1033.4 ± 150.7 ms post = 1056.7 ± 114.8 ms; PLA: pre = 962 ± 15.8 ms post = 1016.8 ± 173.5 ms), standard deviation of the mean RR intervals (SDNN - LED: pre = 101 ± 37.3 ms post = 92.3 ± 27.5 ms; PLA: pre = 97.5 ± 34.9 ms post=108.7 ± 16.4 ms), e low and high frequency ratio (LF/HF- LED: pre = 1.7 ± 0.7 post = 1.4 ± 0.6; PLA: pre=3.7 ± 3.4 post=3.4 ± 2.1) for both groups. Furthermore, there were small changes in the sources (pre = 1 ± 1; post = 0 ± 1) and symptoms (‘better than normal’ pre = 5 ± 1; post = 4 ± 4; ‘normal’ pre = 19 ± 7; post = 21 ± 3) of DALDA for LED group. The LED phototherapy did not affect the autonomic modulation, but led to small changes in the perceived stress.O objetivo do estudo foi verifi car o efeito da fototerapia com diodos emissores de luz (LED fototerapia) durante uma semana de treinamento sobre a modulação parassimpática e estresse percebido em atletas de futebol. Fizeram parte da amostra 18 atletas (Idade: 21,2 ± 2,6 anos; Peso: 73 ± 7,2 kg; Estatura: 178,0 ± 6,2 cm.). Pré e após uma semana de pré-temporada foram realizadas coletas da frequência cardíaca de repouso e a avaliação subjetiva de estresse e recuperação foi obtida por meio do “daily analysis of life demands for athletes” (DALDA). Os atletas foram aleatorizados em dois grupos, com nove atletas cada, grupo LED fototerapia (LED) e grupo placebo (PLA). O tratamento foi aplicado nos membros inferiores nos músculos do quadríceps e bíceps femoral todos os dias após a última sessão de treinamento. A aplicação foi realizada de maneira “duplo cego”. ANCOVA de medidas repetidas foi utilizada para verifi car o efeito do tratamento sobre modulação autonômica. O treinamento realizado por ambos os grupos foi o mesmo tanto em duração quanto intensidade. Da mesma forma, não houve diferença entre os grupos nos parâmetros de carga interna. Foi observado efeito da semana nos parâmetros média dos intervalos RR (Rrmédio - LED: pré = 1033,4 ± 150,7 ms pós = 1056,7 ± 114,8 ms; PLA: pré = 962 ± 150,8 ms pós = 1016,8 ± 173,5 ms), desvio padrão dos intervalos RR normais (SDNN - LED: pré = 101 ± 37,3 ms pós = 92,3 ± 27,5 ms; PLA: pré = 97,5 ± 34,9 ms pós = 108,7 ± 16,4 ms), e razão baixa e alta frequência (LF/HF - LED: pré = 1,7 ± 0,7 pós = 1,4 ± 0,6; PLA: pré = 3,7 ± 3,4 pós = 3,4 ± 2,1) para ambos os grupos. Além disso, houve pequenas alterações nas fontes (pré = 1 ± 1; pós = 0 ± 1) e sintomas (‘melhor que normal’ pré = 5 ± 1; pós = 4 ± 4; ‘normal’ pré = 19 ± 7; pós = 21 ± 3) do DALDA para o grupo LED. A LED fototerapia não apresentou efeito sobre a modulação autonômica, mas proporcionou pequenas alterações nas fontes e sintomas de estresse

Éxcitons em Estruturas Semiconductoras Artificiais de (GaAs)/(AIAs)

Neste artigo estudamos a influência da direção de crescimento e do número de monocamadas nas propriedades ópticas de super-redes de (GaAs)m/(AlAs)5 com m = 3 ou 5. As direções escolhidas foram a [111]A, [311]A e a [100]. Esta últimafoi utilizada como referência. As configurações das ligações químicas do substrato de arseneto de gálio mudam de acordo com a orientação, o que implica em variações nas propriedades ópticas da heteroestrutura crescida. As super-redes foram caracterizadasatravés da técnica de Fotoluminescência em função da temperatura e da intensidade de excitação. Da análise, verificou-se que os picos principais dos espectros sãoatribuídos a transições indiretas dos éxcitons na direção [100] e [311]A para m=3 ou 5, e [111]A com m=5, assim como as transições com participações de fônons de AlAs na [100] com m=3, e de GaAs para [311]A com m=5. Na [100] com m=5 foiconstatado um aumento na energia de transição excitônica cujo aumento é verificado pela dependência com a temperatura. A superfície [111]A com m=3 apresentou um comportamento anômalo, sendo o pico de maior intensidade deslocado para regiões de menores energias em relação as demais direções

Novos materiais e estruturas semicondutoras.

Novas técnicas de crescimento epitaxial e novos materiais semicondutores possibilitam a obtenção de novas estruturas que permitem o desenvolvimento de dispositivos de alta velocidade. Apresentamos aqui uma destas estrutu­ras - o Poço Quântico de materiais III-V e discutimos algumas propriedades físicas de interesse para aplicação tecnológica

Introdução à transição de fase

  A problemática das transições de fase em sistemas magnéticos é apresentada em um contexto de comparação com transições em outros sistemas. Discute-se os principais aspectos que nortearam a generalização do conceito de transições de fase até o surgimento da Teoria de Landau. Este artigo tem finalidades didáticas

Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.

Discutimos a influência das condições de crescimento, concentração de dopantes e composição sobre as proprie­dades elétricas de amostras da liga ternária AlxGa1-xAs dopada com Silício, preparadas pela técnica de epitaxia por feixe mole­cular  (MBE)

Light emitting diode as a photorefectance pump source

Light-emitting diodes (LEDs) with different wavelengths are used as photorefectance light pump sources. Photorefectance spectra of bulk semiconductors of GaAs and GaAs/InGaP and GaAsSbN/GaAs heterostructures prepared on GaAs substrates were investigated, using blue, green, orange and red LEDs, in comparison with spectra obtained with the use of Ar and He-Ne lasers, using a conventional technique. Results show the possibility of using LEDs as pump light sources in photorefectance measurements

Diodos emissores de luz como fonte de bombeio em fotorefetância.

Diodos emissores de luz (LEDs) com emissão em diferentes comprimentos de onda são empregados como fonte de bombeamento em fotorefetância – PR (“photorefectance”). São analisados espectros de fotorefetância de semicondutores volumétricos de GaAs e de heteroestruturas GaAs/InGaP e GaAsSbN/ GaAs, preparadas sobre substrato de GaAs, usando LEDs azul, verde, laranja e vermelho, em comparação com espectros obtidos com o emprego de lasers de Ar e He-Ne, em montagem convencional. Nossos resultados demonstram a possibilidade do emprego de LEDs como fonte de bombeamento em medidas de fotoreflectância

A infuência de diferentes interfaces nas características elétricas e ópticas de Espelhos de Bragg de ALGaAsSB/ALAsSB dopados com Te, sobre InP.

São apresentadas as propriedades elétricas e ópticas de espelhos de Bragg com 6.5 períodos de AlGaAsSb/ AlAsSb não dopado e dopados com Te, sobre InP, crescidos por MBE com diferentes tipos de interface entre as camadas de material ternário e quaternário. As técnicas empregadas foram fotoluminescência, reflectividade e medições de IxV. A interface com liga digital em gradiente parece ser a melhor alternativa para otimizar condução elétrica sem perdas significativas da reflectividade

The infuence of different interfaces on electrical and optical characteristics of Te doped ALGaAsSB/ALAsSB Bragg Mirrors on InP

The electrical and optical properties of non-doped and Te doped 6.5 periods AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors on InP grown by MBE with different types of interfaces between ternary and quaternary layers are reported. The techniques employed were photoluminescence, refectivity and IxV measurements. The digital alloy gradient interface seems to be the best alternative to optimize conduction without significant refectivity losses