Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.

Authors
Publication date
1 December 2004
Publisher
'Universidade Estadual de Londrina'
Doi

    Abstract

    Discutimos a influência das condições de crescimento, concentração de dopantes e composição sobre as proprie­dades elétricas de amostras da liga ternária AlxGa1-xAs dopada com Silício, preparadas pela técnica de epitaxia por feixe mole­cular  (MBE)

      Similar works

      Full text

      thumbnail-image

      Available Versions

      Directory of Open Access Journals

      redirect
      oaioai:doaj.org/article:055f5ab64...
      Last time updated on 04/02/2023