Axial GaAs/Ga(As,Bi) Nanowire Heterostructures

Bi-containing III-V semiconductors constitute an exciting class of metastable compounds with wide-ranging potential optoelectronic and electronic applications. However, the growth of III-V-Bi alloys requires group-III-rich growth conditions, which pose severe challenges for planar growth. In this work, we exploit the naturally-Ga-rich environment present inside the metallic droplet of a self-catalyzed GaAs nanowire to synthesize metastable GaAs/GaAs$_{1-\text{x}}$Bi$_{\text{x}}$ axial nanowire heterostructures with high Bi contents. The axial GaAs$_{1-\text{x}}$Bi$_{\text{x}}$ segments are realized with molecular beam epitaxy by first enriching only the vapor-liquid-solid (VLS) Ga droplets with Bi, followed by exposing the resulting Ga-Bi droplets to As$_2$ at temperatures ranging from 270 to 380\,^{\circ}C to precipitate GaAs$_{1-\text{x}}$Bi$_{\text{x}}$ only under the nanowire droplets. Microstructural and elemental characterization reveals the presence of single crystal zincblende GaAs$_{1-\text{x}}$Bi$_{\text{x}}$ axial nanowire segments with Bi contents up to (10$\pm$2)$\%$. This work illustrates how the unique local growth environment present during the VLS nanowire growth can be exploited to synthesize heterostructures with metastable compounds

Endophytic Yeast and Hosts: A Mutualistic Association Friendly to the Environment

Recent studies have shown that endophytic yeasts benefit their host, which has stimulated their use in different applications in agribusiness. The research has focused on evaluating the effectiveness of handling these yeasts to solve problems such as biocontrol of pathogens, plant growth and/or improvements in the quality of fruits and vegetables. However, in order to obtain information that contributes to the selection and the implementation of a yeast able to interact with a broader spectrum of hosts and to help solve postharvest problems, it is necessary to deepen the knowledge on the association of these symbionts and to establish possible changes in the host, the issues that are covered in this chapter. The results show that the endophytic yeasts can generate structural changes in the host as a starting point for further applied research and to propose other mechanisms of action

Desarrollo de detectores de infrarrojo fotovoltaicos, de pozo cuántico y doble barrera, para la banda de 3-5 um

El tema principal de esta tesis es el desarrollo de detectores de infrarrojo de pozo cuántico (QWIP) con operación fotovoltaica (PV) en la ventana de transmisión atmosférica de 3-5 µm. El mecanismo de operación de un QWIP reside en las transiciones intersubbanda que se establecen entre las subbandas energéticas de un pozo cuántico de potencial alojado en la banda de conducción (que es el caso de los QWIPs de esta tesis) o en la banda de valencia. En particular, el trabajo expuesto se refiere al estudio de la estructura de pozo cuántico y doble barrera (DBQW), donde los pozos de la zona activa están delimitados por dos barreras de potencial: una primera barrera interna delgada (~20 Å de AlAs, generalmente); y una segunda barrera exterior, más gruesa (~300 Å) formada por otro material con menor gap (AlGaAs, por ejemplo). En nuestro caso, la mayor parte de los detectores estudiados (con la excepción de los detectores con (In)GaAsN en el pozo), tienen la estructura AlGaAs/AlAs/GaAs. El trabajo desarrollado en esta tesis incluye no sólo el desarrollo y caracterización de los detectores DBQW, sino también el diseño de las estructuras, así como el crecimiento de los dispositivos mediante Epitaxia por Haces Moleculares (MBE). Con respecto al crecimiento, en este trabajo se demuestra un método sistemático para controlar la temperatura de crecimiento (Ts), que permite obtener una elevada reproducibilidad en los crecimientos. Este resultado es especialmente importante cuando se crecen dispositivos, pues facilita la transferencia de conocimientos del laboratorio a la industria. Por su parte, a partir del aspecto de las reconstrucciones superficiales del GaAs (001) y AlAs (001), se propone un método para determinar la rugosidad de la superficie durante el crecimiento. Finalmente, el estudio se completa con la demostración de un método fiable y sencillo para determinar la relación de flujos V / III empleada en el crecimiento de heteroestructuras basadas en AlGaAs. En lo que se refiere al dispositivo, en primer lugar se realiza un estudio sobre cómo afectan los parámetros de diseño del QWIP al valor de la longitud de onda y ancho de banda de detección. En particular, interesa determinar cuál es la mínima longitud de onda y el menor ancho de banda que se obtiene con un detector basado en la estructura DBQW. A continuación, el trabajo se centra en el estudio de la propiedad más sorprendente y notable que exhiben estos detectores con el dopaje distribuido en el pozo de potencial: la existencia de un acusado e inesperado efecto fotovoltaico, i.e. la posibilidad de detectar radiación infrarroja para Vapl = 0 V. Se encuentra, asimismo, que la aparición de ciertas anomalías en las características eléctricas del dispositivo (asimetrías, existencia de I 0 para V = 0 V (offset) en las curvas de corriente de oscuridad) está íntimamente relacionada con el comportamiento PV. Una parte importante del trabajo realizado en esta tesis se centra en investigar la posible relación entre las características electro-ópticas de los detectores y la microestructura de las muestras, lo que permitiría determinar el origen del efecto PV de los detectores DBQW dopados en el pozo. Según la literatura, el origen del efecto PV reside en las asimetrías internas no intencionadas que se introducen durante el proceso de crecimiento epitaxial. Las dos posibles causas son: 1) la existencia de diferencias estructurales de las dos barreras de AlAs adyacentes al pozo, 2) la presencia de campos internos de built-in en la estructura generados por las regiones de carga-espacio consecuencia de la segregación de Silicio del pozo. En nuestro estudio, se ha crecido la misma estructura nominal bajo distintas condiciones de crecimiento, encontrando que, efectivamente, el efecto PV y las asimetrías internas son distintas en cada caso. Asimismo, por primera vez, se ha realizado un estudio de estos detectores mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM), que ha permitido determinar que la existencia de imperfecciones estructurales en las capas de AlAs no parece ser la causa del efecto PV, estando éste causado principalmente por los efectos derivados de la segregación de Si. En particular, un análisis detallado de las micrografías TEM revela la existencia de una asimetría composicional en las barreras de AlAs (posiblemente causada por la presencia de Si) que explicaría este efecto, pues la muestra con la mayor asimetría composicional es la que presenta las asimetrías eléctricas más acusadas. En lo que se refiere a las prestaciones de los dispositivos, uno de nuestros objetivos principales es promover el uso de estos detectores en el modo PV, y al mismo tiempo, mejorar los valores de las figuras de mérito (responsividad y detectividad). Nuestra propuesta reside en el uso de la técnica de Modulación de Dopaje (MD), siendo ésta la primera vez que se aplica la técnica en detectores DBQW con operación en la región de 3-5 µm. Se encuentra que los detectores basados en este diseño exhiben una notable respuesta PV, con la ventaja adicional de que es posible controlar este efecto a través de un diseño cuidadoso de la posición del dopante. Por su parte, los detectores MD exhiben un pico de detección más estrecho y una mayor responsividad que los detectores correspondientes dopados en el pozo. Un diseño optimizado de la estructura de potencial de los detectores DBQW con MD permite mejorar las prestaciones del dispositivo (los valores de las figuras de mérito se encuentran entre los mejores valores aparecidos en la literatura) de tal forma que es posible abordar de manera optimista el proyecto de desarrollar una cámara IR de plano focal basada en estos detectores. Finalmente, por primera vez, se propone el uso de las aleaciones de Nitrógeno diluido como parte activa de un detector DBQW. La enorme reducción del gap al incorporar una pequeña fracción de N en el compuesto (In)GaAs, hacen que este material sea muy atractivo en el diseño de dispositivos intersubbanda con operación en el IR cercano. En nuestro caso, los pozos de GaAs de la estructura DBQW se han reemplazado por (In)GaAsN. Aunque todavía existen importantes dificultades relacionadas con el crecimiento del material y con el estudio de las propiedades peculiares del InGaAsN y su influencia en las prestaciones del dispositivo, con los detectores basados en AlGaAs/AlAs/(In)GaAsN hemos demostrado detección IR por debajo de ~ 3 µm, el mínimo valor que se obtiene con QWIPs basado en GaAs. Se encuentra que, en todos los QWIPs con N, la aplicación de tratamientos térmicos posteriores al crecimiento mejora la responsividad y desplaza la posición del pico de detección hacia menores energías. Se observa que este efecto es más acusado en el detector con InGaAsN en el pozo

Caracterización del estado de salud de los adultos mayores en la regi​ó​n La Libertad-Perú

Objetivo: caracterizar el estado de salud de los adultos mayores en la región La Libertad-Perú. Materiales y métodos: Estudio cuantitativo, descriptivo, exploratorio, transversal. Se utilizaron las escalas de valoración: Minimental State Examination (MMSE), The Mini Nutritional Assessment (MNA-SF). Geriatric Oral Health Assessment, Index (GOHAI), functional Assessment Stages (Fast), escala de Depresión de Yesavage Y Sheikh, Test de Morisky Green, índice de Katz y escala de Lawton para actividades de la vida diaria. Se aplicó en las 12 provincias de la Región La Libertad-Perú. Muestra de 1110 adultos mayores. Resultados: El 93,6% presentó cognición normal.La mayoría percibió su salud como regular. Actividad física adecuada 18,3-27,7%. Estado nutricional normal 61,1%. Necesitan atención oral 39,7%. Satisfecho sexualmente 41,9%. Sus valores más importantes son amor y respeto y 73,3% están preparados para morir. Vacunados contra influenza 50,5%. No realizan mamografía ni Papanicolaou 76% y 70,9% y un 65% de varones no realizó examen de próstata. Presentan enfermedad67,6% siendo las principales Hipertensión arterial, artritis y diabetes mellitus. Sufrieron caídas 30,5%. Incontinencia urinaria en mujeres36,3%-45,6% y varones 30%-49%. Depresión 28,9%. Polifarmacia 35%. Independientes en actividades básicas e instrumentales de la vida diaria 83,4% y 60% respectivamente. No tienen seguro de salud 20,7%. Conclusiones: Los problemas más importantes se evidencian en inadecuada actividad física, riesgo/malanutrición, escasa cobertura de vacunasy detección de cáncer de mama, cuello uterino y próstata. La Hipertensión arterial, artritis y diabetes mellitus poco controladas con significativa presencia de polifarmacia y la no tenencia de seguro de salud

The Caspase Pathway as a Possible Therapeutic Target in Experimental Pemphigus

Apoptosis plays a role in pemphigus IgG-dependent acantholysis; theoretically, the blockade of the caspase pathway could prevent the blistering that is caused by pemphigus autoantibodies. Using this strategy, we attempted to block the pathogenic effect of pemphigus IgG in Balb/c mice by using the caspase inhibitor Ac-DEVD-CMK. This inhibitor was administrated before the injection of pemphigus IgG into neonatal mice. The main results of the present investigation are as follows: (1) pemphigus IgG induces intraepidermal blisters in Balb/c neonatal mice; (2) keratinocytes around the blister and acantholytic cells undergo apoptosis; (3) the caspases inhibitor Ac-DEVD-CMK prevents apoptosis; (4) the inhibition of the caspase pathway prevents blister formation. In conclusion, inhibition of the caspase pathway may be a promising therapeutic tool that can help in the treatment of pemphigus flare ups

Metodología para evaluar los impactos de interconectar generación en los sistemas de distribución

Este trabajo propone una metodología para identificar y evaluar los impactos de interconectar generación en los sistemas de distribución, utilizando técnicas de Monte Carlo. Dicha metodología está compuesta por dos esquemas de análisis: uno técnico que evalúa las condiciones de calidad del servicio con las que cuenta el sistema de distribución, y por otro lado, un análisis económico que evalúa el impacto financiero sobre el operador de red y sus clientes, de acuerdo con el nivel de calidad del servicio del sistema. La metodología propuesta fue aplicada a un sistema de distribución de prueba IEEE, considerando diferentes esquemas de operación para la interconexión de generación distribuida. La aplicación de cada uno de estos esquemas, trajo consigo mejoras significativas en la calidad del servicio suministrado e importantes beneficios económicos para el operador de red. Sin embargo, dichos esquemas implicaron niveles de rentabilidad negativa para ciertos clientes, por lo tanto, se propusieron medidas de carácter regulatorio y contratos bilaterales, que permitirían dar solución a este tipo de problemas. Palabras claves: Generación distribuida, calidad del servicio, técnicas de Monte Carlo.This paper proposes a methodology for identifying and assessing the impact of distributed generation interconnection on distribution systems using Monte Carlo techniques. This methodology consists of two analysis schemes: a technical analysis, which evaluates the reliability conditions of the distribution system; on the other hand, an economic analysis that evaluates the financial impacts on the electric utility and its customers, according to the system reliability level. The proposed methodology was applied to an IEEE test distribution system, considering different operation schemes for the distributed generation interconnection. The application of each one of these schemes provided significant improvements regarding the reliability and important economic benefits for the electric utility. However, such schemes resulted in negative profitability levels for certain customers, therefore, regulatory measures and bilateral contracts were proposed which would provide a solution for this kind of problem

a combined photoluminescence and resonant Raman scattering study

We used spatially resolved photoluminescence (PL) and resonant Raman spectroscopy to study the electronic structure of single GaAs nanowires (NWs) consisting of zinc-blende (ZB) and wurtzite (WZ) segments. For narrow ZB segments and stacking faults the energy range of the observed PL peak positions is found to deviate from that of the maxima in resonance Raman profiles. These different energy ranges reflect the fact that the PL recombination is dominated by spatially indirect transitions whereas the resonance enhancement of Raman scattering is caused by direct transitions. Our results provide evidence for the type II band alignment between ZB and WZ GaAs and a coherent picture of all near-band-gap transition energies in GaAs NWs

Growth and characterization of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

We demonstrate six to ten period lattice-matched In(0.18) Al(0.82) N/GaN distributed Bragg reflectors with peak reflectivity centred around 400 nm, grown by molecular beam epitaxy. Thanks to the well-tuned ternary alloy composition crack-free layers have been obtained as confirmed by both optical and scanning electron microscopy. In addition, crosssectional analysis by high resolution transmission electron microscopy reveals highly periodic structure with abrupt interfaces. When the number of DBRs periods increased from six to ten, peak reflectivity increased from 45% to 60%. This increase was found to be in reasonable agreement with theoretical simulations