УПРАВЛІННЯ КРЕДИТНОЮ ДІЯЛЬНОСТІ БАНКУ ДЛЯ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ ЙОГО ФІНАНСОВОЇ СТАБІЛЬНОСТІ

Concept of financial stability of bank and economic essence of bank’s credit activity are considered in the article. The indexes of financial stability and indexes of efficiency, profitability, liquidity of bank establishment, and also economic indicators and norms of the banking system are analysed.Crediting activation assists the further increase of economy, development and origin of new entities, creation of workplaces, development infrastructure of country, those are basis of financial stability. In parallel, crediting is one direction of banks’ activity, that provides their profitability.The article is dedicated to the analysis of tendencies and features of credit activity of domestic banks. Efficiency of management of credit activity JSC CB "Privatbank" and JSC "Oschadbank" on the modern stage of economic development are analized. Authors analyse the structure of a loan portfolio JSC CB "Privatbank" and JSC "Oschadbank", efficiency of management of a loan portfolio by correlation of basic management parameters - profitability and risk. The analytical estimation of the credit activity state of JSC CB "Privatbank" and JSC "Oschadbank" and its influence on financial stability of the banking system, and also on return on assets of the indicated bank institutions and optimal strategy of banks’ credit activity.The modern state is analysed and practical recommendations are sunstantiated in relation to the improvement of bank institutions’ credit activity with the aim of providing their financial stability.Conclusions about the necessity of efficiency management crediting of domestic banks’ increase by optimal forming and management of a loan portfolio at a minimum level of risk are drawn.В статье рассмотрено понятие финансовой устойчивости банка и экономическая сущность кредитной деятельности банков. Осуществлено аналитическую оценку состояния кредитной деятельности банковских учреждений и ее влияние на финансовую устойчивость банковской системы. Проанализировано современное состояние и обоснованы практические рекомендации по совершенствованию кредитной деятельности банковских учреждений.У статті розглядаються поняття фінансова стабільність банку та економічна сутність кредитної діяльності банку. Аналізуються показники фінансової стабільності та показники рентабельності, прибутковості, ліквідності банківської установи, а також економічні показники та норми банківської системи.Активізація кредитування сприяє подальшому зростанню економіки, розвитку та виникненню нових суб'єктів господарювання, створенню робочих місць, розвитку інфраструктури країни, що є основою фінансової стабільності. Паралельно кредитування є одним з напрямків діяльності банків, що забезпечує їх прибутковість.Стаття присвячена аналізу тенденцій та особливостей кредитної активності вітчизняних банків. Проаналізовано ефективність управління кредитною діяльністю АТ КБ «Приватбанк» та АТ «Ощадбанк» на сучасному етапі економічного розвитку.  Авторами проаналізовано структуру кредитного портфеля АТ КБ «Приватбанк» та АТ «Ощадбанк», ефективність управління кредитним портфелем за співвідношенням основних параметрів управління - прибутковості та ризику. Визначено аналітичну оцінку стану кредитної активності АТ КБ «Приватбанк» та АТ «Ощадбанк» та її вплив на фінансову стабільність банківської системи, а також на рентабельність активів вказаних банківських установ та оптимальну стратегію кредитної діяльності банків.Проаналізовано сучасний стан та обґрунтовано практичні рекомендації щодо поліпшення кредитної діяльності банківських установ з метою забезпечення їх фінансової стабільності.Зроблено висновки про необхідність підвищення ефективності управління кредитуванням вітчизняних банків шляхом оптимального формування та управління кредитним портфелем при мінімальному рівні ризику

Microstructure and mechanical properties of heat-resistant 12 % Cr ferritic-martensitic steel EK-181 after thermomechanical treatment

The effect of high-temperature thermomechanical treatment (TMT) with the deformation in the austenitic region on the features of microstructure, phase transformations and mechanical properties of low-activation 12% Cr ferritic-martensitic steel EK-181 is investigated. It is established, that directly after thermomechanical treatment (without tempering) the sizes and density of V(CN) particles are comparable with those after a traditional heat treatment (air quenching and tempering at 720°C, 3 h), where these particles are formed only during tempering. It causes the increasing of the yield strength of the steel up to ≈1450 MPa at room temperature and up to ≈430 MPa at the test temperature T = 650°C. The potential of microstructure modification by this treatment aimed at improving heat resistance of steel is discussed

Class I methanol masers in low-mass star formation regions

Four Class I maser sources were detected at 44, 84, and 95 GHz toward chemically rich outflows in the regions of low-mass star formation NGC 1333I4A, NGC 1333I2A, HH25, and L1157. One more maser was found at 36 GHz toward a similar outflow, NGC 2023. Flux densities of the newly detected masers are no more than 18 Jy, being much lower than those of strong masers in regions of high-mass star formation. The brightness temperatures of the strongest peaks in NGC 1333I4A, HH25, and L1157 at 44 GHz are higher than 2000 K, whereas that of the peak in NGC 1333I2A is only 176 K. However, rotational diagram analysis showed that the latter source is also a maser. The main properties of the newly detected masers are similar to those of Class I methanol masers in regions of massive star formation. The former masers are likely to be an extension of the latter maser population toward low luminosities of both the masers and the corresponding YSOs.Comment: 5 pages, 1 figure, Proc. IAU Symp. 287 "Cosmic Masers: from OH to H0". LSR velocities of the HH25 masers, which are presented in Table 1, are correcte

Electron Field Emission from Undoped and Doped DLC Films

Electron field emission and electrical conductivity of undoped and nitrogen doped DLC films have been investigated. The films were grown by the PE CVD method from CH{sub 4}:H{sub 2} and CH{sub 4}:H{sub 2}:N{sub 2} gas mixtures, respectively. By varying nitrogen content in the gas mixture over the range 0 to 45%, corresponding concentrations of 0 to 8 % (atomic) could be achieved in the films. Three different gas pressures were used in the deposition chamber: 0.2, 0.6 and 0.8 Torr. Emission current measurements were performed at approximately 10{sup -6} Torr using the diode method with emitter-anode spacing set at 20 {micro}m. The current - voltage characteristics of the Si field electron emission arrays covered with DLC films show that threshold voltage (V{sub th}) varies in a complex manner with nitrogen content. As a function of nitrogen content, V{sub th} initially increases rapidly, then decreases and finally increases again for the highest concentration. Corresponding Fowler-Nordheim (F-N) plots follow F-N tunneling over a wide range. The F-N plots were used for determination of the work function, threshold voltage, field enhancement factor and effective emission area. For a qualitative explanation of experimental results, we treat the DLC film as a diamond-like (sp{sup 3} bonded) matrix with graphite-like inclusions

СВОЙСТВА ПОРИСТЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР Si–КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ/SiOx, ПОЛУЧЕННЫХ ПО ФТОРОВОДОРОДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

A detailed study of Si quantum dots/SiOx film structures synthesized using a new hydrofluoric technology of forming silicon nanoparticles in porous silicon oxide matrices has been performed. A physical mechanism of the effect of chemical treatment in HF vapors in air on the structural and luminescent properties of the film porous systems with nanosized silicon has been suggested. We show that the passivation of the broken bonds on the surface of Si nanoinclusions as a result of the treatment occurs with the participation of oxygen, fluorine and hydrogen atoms, and this effect depletes the nonradiative recombination channel by two orders of magnitude. We suggest a model explaining the blue shift of the photoluminescence spectra as a result of the treatment due to a decrease in the sizes of the Si−QD during the oxidation of their surface layers. Проведено детальное исследование пленочных структур Si−квантовые точки/SiOx, полученных по новой фтороводородной технологии формирования наночастиц кремния в пористой матрице оксида кремния. Предложен физический механизм влияния химической обработки в парах HF на воздухе на структурные и свето- излучающие свойства пленочных пористых систем с наноразмерным кремнием. Показано, что пассивация оборванных связей на поверхности Si−нановключений в результате обработки происходит при участии атомов кислорода, фтора и водорода, что на два порядка величины ослабляет безызлучательный канал рекомбинации. Предложена модель, объясняющая сдвиг спектра фотолюминесценции в область голубого свечения в результате обработки вследствие уменьшения размеров Si−квантовых точек при окислении их поверхностного слоя

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03

Whiskers are a new material that is characterized by high structural perfection, chemical resistance and strength which reaches the theoretically possible limit for crystals of small transverse dimensions. The test whiskers were synthesized by the method of chemical transport reactions in a closed bromide system using gold as the initiator of growth. The crystals were irradiated by protons with an energy of 6 MeV and doses of 5 · 1013, 1015 and 1 · 1017 p+/cm2 at 40 °C in a U−120 cyclotron. The effects of proton irradiation and high magnetic fields on the magnetoresistance of Si1−xGex (x = 0,03) whiskers in the 4,2—300 K temperature range has been studied. A slight decrease in the electrical resistance of the crystals in the 4,2—40 K temperature range during irradiation with small proton doses and a significant increase in their resistance in the entire investigated temperature range for a dose of 1·1017 p+/cm2 have been found. The ionization energy of the impurity atoms in different magnetic fields has been calculated. It has been revealed that the energy level of the impurity depends on the magnetic field but slightly which in turn indicates a independence of the concentration of holes on the magnetic field. It has been shown that a significant magnetoresistance at all studied temperatures was due to the magnetic field−caused decrease in the mobility of free charge carriers (holes). It has been found that the concentration of holes depends on magnetic field but a little. Conclusion has been made about a negligible expansion of the band gap in magnetic fields of up to 8 T. Нитевидные кристаллы — это новый материал, который характеризуется высоким структурным совершенством, химической стойкостью, прочностью, которая для кристаллов небольших поперечных размеров достигает теоретически возможного предела. Исследованные нитевидные кристаллы получены методом химических транспортных реакций в закрытой бромидной системе с использованием золота в качестве инициатора роста. Кристаллы облучали протонами с энергией 6 МэВ и дозами 5 · 1013, 1015 и 1 · 1017 р+/см−2 при 40 °С на циклотроне У−120. Изучено влияние протонного облучения и сильных магнитных полей на магнетосопротивление нитевидных кристаллов Si1−xGex (х = 0,03) в интервале температур 4,2—300 К. Обнаружено незначительное уменьшение электрического сопротивления кристаллов в температурной области 4,2—40 К в процессе облучения малыми дозами протонов и существенное увеличение сопротивления во всей исследуемой температурной области при облучении дозой 1 · 1017 р+/см2. Рассчитана энергия ионизации примесных атомов в разных магнитных полях. Установлено, что энергия примесного уровня практически не зависит от магнитного поля, что, в свою очередь, говорит о независимости концентрации дырок от магнитного поля. Показано, что существенное магнетосопротивление при всех исследованных температурах связано с магнитополевым уменьшением подвижности свободных носителей заряда (дырок). Установлено, что концентрация дырок практически не зависит от магнитного поля. Сделан вывод, что расширение запрещенной зоны в магнитных полях до 8 Тл незначительно.