Prediction of Betavoltaic Battery Output Parameters Based on SEM Measurements

The approach for the prediction of betavoltaic battery output parameters based on EBIC investigations of semiconductor converters of beta-radiation energy into electric power is presented. Using this approach the parameters of battery based on porous Si are calculated. These parameters are compared with those of battery based on a planar Si p-n junction

In-plane fluxon in layered superconductors with arbitrary number of layers

I derive an approximate analytic solution for the in-plane vortex (fluxon) in layered superconductors and stacked Josephson junctions (SJJ's) with arbitrary number of layers. The validity of the solution is verified by numerical simulation. It is shown that in SJJ's with large number of thin layers, phase/current and magnetic field of the fluxon are decoupled from each other. The variation of phase/current is confined within the Josephson penetration depth, $\lambda_J$, along the layers, while magnetic field decays at the effective London penetration depth, $\lambda_c \gg \lambda_J$. For comparison with real high-$T_c$ superconducting samples, large scale numerical simulations with up to 600 SJJ's and with in-plane length up to 4000 $\lambda_J$%, are presented. It is shown, that the most striking feature of the fluxon is a Josephson core, manifesting itself as a sharp peak in magnetic induction at the fluxon center.Comment: 4 pages, 4 figures. Was presented in part at the First Euroconference on Vortex Matter in Superconductors (Crete, September 1999

Prediction of Betavoltaic Battery Output Parameters Based on SEM Measurements

The approach for the prediction of betavoltaic battery output parameters based on EBIC investigations of semiconductor converters of beta-radiation energy into electric power is presented. Using this approach the parameters of battery based on porous Si are calculated. These parameters are compared with those of battery based on a planar Si p-n junction

Accelerating structure of 10 MEV electron linac

The calculation of the on-axis coupled the biperiodic 10 MeV electron accelerating structure is represented. The one-meter structure includes 19 accelerating cells, two of which are bunching cells. Two versions of RF feeding of accelerating structure 2.5 and 4.5 MW are considered. The peak beam current is 0.14 and 0.3 A for these versions. 44…49% of the injected current is accelerated. Shunt impedance is 74 MOhm/m with the 8 mm aperture diameter.Приведено результати розрахунку біперіодичної структури електронного прискорювача на енергію 10 МеВ зі зв'язком по осі. Метрова структура має 19 прискорюючих осередків, два з яких такі, що групують. Розглянуто два варіанти ВЧ-живлення структури потужністю 2,5 і 4,5 МВт. Амплітудне значення струму для цих варіантів дорівнюють 0.14 і 0.3 А, що забезпечує захоплення в процес прискорення 44...49% електронів. Структура з апертурою 8 мм має ефективний шунтовий опір 74 МОм/м.Приведены результаты расчета бипериодической ускоряющей структуры электронного ускорителя на энергию 10 МэВ со связью по оси. Метровая структура имеет 19 ускоряющих ячеек, две из которых группирующие. Рассмотрены два варианта ВЧ-питания ускоряющей структуры мощностью 2,5 и 4,5 МВт. Амплитудные значения тока для этих вариантов равны 0.14 и 0.3 А, что обеспечивает захват в процесс ускорения 44…49% электронов. Структура с апертурой 8 мм имеет эффективное шунтовое сопротивление 74 МОм/м

Microchannel Structures of Betavoltaic Silicon Convertors

The paper presents the first results of experimental research on the microchannel structures of betavoltaic silicon converters based on the 63Ni isotope. The areas for further optimization of constructive and technological performance with high conversion efficiency were detected experimentally

Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors

The results of studies of the effectiveness of the radiation method for control the characteristics of the IGBT transistors are shown. Experimental results on the effect of irradiation with high-energy electrons with an energy of 6 MeV for dynamic and static parameters of the IGBT transistors of company International Rectifier IRGB14C40L are discussed

Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors

The results of studies of the effectiveness of the radiation method for control the characteristics of the IGBT transistors are shown. Experimental results on the effect of irradiation with high-energy electrons with an energy of 6 MeV for dynamic and static parameters of the IGBT transistors of company International Rectifier IRGB14C40L are discussed

Input coupler development for superconducting cavity 500 kW CW power feed

The coaxial-type input coupler for Energy Recovery Linac injector cavity simulation results are presented. This device is to feed the superconducting cavity with 150 kW RF power in continuous wave regime at 1.3 GHz operating frequency. The thermal simulation was done for the modified coupler able to transmit the RF power up to 500 kW. Different designs with heat load to injector cryogenic system lowered and external Q-factor adjustment were considered.Приведены результаты моделирования коаксиального устройства ввода СВЧ-мощности в сверхпроводящий резонатор линейного ускорителя электронов с рекуперацией энергии (ERL). Устройство обеспечивает ввод 150 кВт мощности в непрерывном режиме на частоте 1.3 ГГц. Приведены результаты тепловых расчетов модифицированного устройства, способного передать мощность до 500 кВт. Рассмотрены различные варианты конструкции, обеспечивающие регулировку величины связи и создающие минимальные тепловые нагрузки на криогенную систему.Наведено результати моделювання коаксіального пристрою введення НВЧ-потужності в надпровідний резонатор лінійного прискорювача електронів з рекуперацією енергії (ERL). Пристрій забезпечує введення 150 кВт потужності в безперервному режимі на частоті 1.3 ГГц. Наведено результати теплових розрахунків модифікованого пристрою, здатного передати потужність до 500 кВт. Розглянуто різні варіанти конструкції, що забезпечують регулювання величини зв'язку і створюють мінімальні теплові навантаження на кріогенну систему

RF power supply system of industry irradiation facility

Irradiation facility is designed for fruit disinfestations by means of two-side 9 MeV electron beam irradiation. Throughput of the facility is 30 T/h at a minimum dose of 150 Gy. The system includes a master generator, preamplifier, 2856 MHz klystron, waveguide bridge, two directional couplers, two automatic frequency adjustment units, water control unit connected to two feed back loops for RF frequency control, guaranteeing a designed acceleration regime in two the same standing wave linacs.Радіаційна установка призначена для дезинсекції фруктів за допомогою опромінення двома електронними пучками з енергією 9 МеВ. Продуктивність установки дорівнює 30 Т/годину при глибинній дозі 150 Гр. Радіаційна установка базується на двох ідентичних лінійних прискорювачах електронів зі стоячою хвилею, що живляться від одного клістрона з частотою 2856 МГц. Система НВЧ-живлення включає задавальний генератор, попередній підсилювач, клістрон, хвилевідний міст, три спрямованих відгалуджувача на 70 дБ, два блоки автоматичного підстроювання частоти (АПЧ) з фазовими детекторами і систему водяного забезпечення, об'єднані для керування частотою у два незалежних контури зворотного зв'язку.Радиационная установка предназначена для дезинсекции фруктов с помощью облучения двумя электронными пучками с энергией 9 МэВ. Производительность установки равна 30 Т/ч при глубинной дозе 150 Гр. Радиационная установка, базируется на двух идентичных линейных ускорителях электронов со стоячей волной, питаемых от одного клистрона с частотой 2856 МГц. Система СВЧ-питания включает задающий генератор, предварительный усилитель, клистрон, волноводный мост, три направленных ответвителя на 70 дБ, два блока автоматической подстройки частоты (АПЧ) с фазовыми детекторами и систему водяного обеспечения, объединенные для управления частотой в два независимых контура обратной связи

Thermal and Magnetic Field Sensors Based on Injection-coupled Devices

Operation principle and possible applications of a novel type of silicon integrated circuit (IC) device – injection-coupled device (ICD) – are addressed. Examples of possible ICD electrical and physical designs are examined in detail. These are based on the existing CMOS and use bipolar technologies. It is shown that in active mode only one cell of ICD-based sensor chain consumes power. This circumstance enables one to achieve an extraordinarily low power consumption compared to the CMOS ICs. This is because the power consumption of an ICD as a whole is not different of that of a single cell in its IC matrix. These advantages make ICDs highly attractive for a number of important applications, such as, e.g., radiation detectors or magnetic and thermal field detectors. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3625