SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Operated At Liquid Helium Temperature

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X-RAY LASER RESEARCH AT PALAISEAU

We present the soft X-ray laser experiments performed at Greco "Interaction Laser-Matière" (Palaiseau). They are mainly concerned with Lithium-like ions of aluminum in plasmas produced by 1.06 µ Nd-laser. We describe the experimental set-up which performs time-dependent gain measurements. We report results showing a gain-length product of 2 - 2.5 for the 3d - 5f line at 105.7 A . Comparison is made between experiment and computational model. The possible limiting role of radiation trapping for long plasma column is discussed. We present the future projects regarding larger gains and new wavelengths

Sources X et XUV intenses et brèves : Journées d'Orsay des 5 et 6 mars 1998

L'idée de ces journées est née du besoin de coordonner les efforts des équipes travaillant sur les nouvelles sources X et XUV intenses et brèves. Ces sources, qui arrivent maintenant à maturité, commencent à offrir des possibilités nouvelles d'applications pour de nombreux domaines de recherche. Il a paru nécessaire de faire le point des résultats obtenus récemment à la fois sur les sources et sur leurs applications, afin de lancer une prospective et de rechercher les moyens d'organiser cette communauté scientifique, harmoniser les programmes et rationaliser l'utilisation des moyens. Une question particulièrement importante et difficile a été révélée avec force au cours de ces journées. Il s'agit des besoins en optique multicouche, qui sont presque exclusivement satisfaits par des laboratoires de recherche qui ne peuvent consacrer qu'une part marginale de leur activité à cette production. En revanche, le marché est actuellement trop faible pour être pris en charge par les entreprises à un prix compatibles avec les moyens de la recherche publique. Le recueil des exposés présentés au cours de ces journées sera publié prochainement par l'université Paris-Su

Fixed-gain CMOS Differential Amplifiers for the 40 K to 390 K Temperature Range

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Fixed-gain CMOS Differential Amplifiers for the 40 K to 390 K Temperature Range

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Standard SiGe Technologies Operating at 4 K for Front-End Readout of SQUID Arrays,

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Cryogenic SiGe Hetero-Junction Bipolar Transistors from Standard Technologies for Low Noise FLL

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