123 research outputs found
Pressure Ionization and Line Merging in Strongly Coupled Plasmas Produced by 100-fs Laser Pulses
Low incidence of SARS-CoV-2, risk factors of mortality and the course of illness in the French national cohort of dialysis patients
SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Operated At Liquid Helium Temperature
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X-RAY LASER RESEARCH AT PALAISEAU
We present the soft X-ray laser experiments performed at Greco "Interaction Laser-MatiÚre" (Palaiseau). They are mainly concerned with Lithium-like ions of aluminum in plasmas produced by 1.06 ” Nd-laser. We describe the experimental set-up which performs time-dependent gain measurements. We report results showing a gain-length product of 2 - 2.5 for the 3d - 5f line at 105.7 A . Comparison is made between experiment and computational model. The possible limiting role of radiation trapping for long plasma column is discussed. We present the future projects regarding larger gains and new wavelengths
Sources X et XUV intenses et brÚves : Journées d'Orsay des 5 et 6 mars 1998
L'idĂ©e de ces journĂ©es est nĂ©e du besoin de coordonner les efforts des Ă©quipes travaillant sur les nouvelles sources X et XUV intenses et brĂšves. Ces sources, qui arrivent maintenant Ă maturitĂ©, commencent Ă offrir des possibilitĂ©s nouvelles d'applications pour de nombreux domaines de recherche. Il a paru nĂ©cessaire de faire le point des rĂ©sultats obtenus rĂ©cemment Ă la fois sur les sources et sur leurs applications, afin de lancer une prospective et de rechercher les moyens d'organiser cette communautĂ© scientifique, harmoniser les programmes et rationaliser l'utilisation des moyens. Une question particuliĂšrement importante et difficile a Ă©tĂ© rĂ©vĂ©lĂ©e avec force au cours de ces journĂ©es. Il s'agit des besoins en optique multicouche, qui sont presque exclusivement satisfaits par des laboratoires de recherche qui ne peuvent consacrer qu'une part marginale de leur activitĂ© Ă cette production. En revanche, le marchĂ© est actuellement trop faible pour ĂȘtre pris en charge par les entreprises Ă un prix compatibles avec les moyens de la recherche publique. Le recueil des exposĂ©s prĂ©sentĂ©s au cours de ces journĂ©es sera publiĂ© prochainement par l'universitĂ© Paris-Su
Fixed-gain CMOS Differential Amplifiers for the 40 K to 390 K Temperature Range
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Fixed-gain CMOS Differential Amplifiers for the 40 K to 390 K Temperature Range
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Standard SiGe Technologies Operating at 4 K for Front-End Readout of SQUID Arrays,
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Cryogenic SiGe Hetero-Junction Bipolar Transistors from Standard Technologies for Low Noise FLL
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