Towards Sign language recognition system in Human-Computer interactions

This paper presents a modeling approach for Sign language recognition which is introduced through a dialogue between deaf people and signing avatar. By this modeling approach, the system can be configurable as the scenario and the vocabulary can be modified or changed. Tow important elements are included to these modeling: the context and the prediction. The objective is to improve the reliability of sign language recognition system compared to the classic systems which generally do not use semantic concept

دراسة تحليلية لأعمار النصف لتفكك الفا لنظائر الرادون وفق نموذج جاموف

تضمنت هذه الدراسة تحديد أعمار نصف تفكك الفا لنظائر الرادون ضمن المدى   باستخدام نموذج جاموف والذي يعتمد على نظرية جاموف المبنية على أساس تشكل جسيم الفا في النواة الأم قبل تفككها نفقيا ، مع إجراء عملية تعديل بسيطة على نصف قطر النواة . تبين بأن تغير نصف قطر النواة سيغير من قيمة ثابت التفكك مما سينعكس على لوغاريتم عمر النصف للنواة بشكل كبير فضلاَ عن التناسب العكسي ما بين نصف قطر النواة وارتفاع حاجز الجهد . كما تم تحديد لوغاريتم عمر النصف من خلال عدد من النماذج المتداولة التابعة لدراسات أخرى، مثل نموذج روير وقانون التفكك العام ونموذج فيولا وسيبورغ ونموذج دينسوف و خودينكو . تمت عملية المقارنة اعتمادا على الإجراءات الإحصائية التي قمنا بحسابها كالانحراف عن معدل مربع الجذر التربيعي والانحراف المعياري، كما قمنا بمقارنة النتائج التي حصلنا عليها مع النتائج التجريبية ومع نماذج نظرية أخرى أظهرت توافق جيد مع النتائج التجريبية كما أظهرت النتائج أن لوغاريتم عمر النصف يزداد مع زيادة عدد النيوترونات عدا التي تمتلك اعداد سحرية في عدد بروتوناتها أو في عدد نيوتروناتها

Genetic Association of rs1021188 and DNA Methylation Signatures of TNFSF11 in the Risk of Conductive Hearing Loss

Otosclerosis (OTSC) is a complex bone disorder of the otic capsule, which causes conductive hearing impairment in human adults. The dysregulation of the signaling axis mediated by the receptor activator of nuclear factor-kappa-B (RANK), RANK ligand (RANKL), and osteoprotegerin has been widely attributed to the context of metabolic bone disorders. While genetic associations and epigenetic alterations in the TNFSF11 gene (RANKL) have been well-linked to metabolic bone diseases of the skeleton, particularly osteoporosis, they have never been addressed in OTSC. This study aimed to assess whether the genetic association of rs1021188 polymorphism in the upstream of TNFSF11 and the DNA methylation changes in its promoter CpG-region reveal the susceptibility of OTSC. Peripheral blood DNA samples were collected from unrelated Tunisian-North African subjects for genotyping (109 cases and 120 controls) and for DNA methylation analysis (40 cases and 40 controls). The gender-stratified analysis showed that the TNFSF11 rs1021188 C/T was associated with OTSC in men (p = 0.023), but not in women (p = 0.458). Individuals with CC genotype were more susceptible to OTSC, suggesting an increased risk to disease development. Using publicly available data, the rs1021188 was within a cluster grouping the subpopulations with African ethnicity. Moreover, 26 loci in the TNFSF11 gene were in linkage disequilibrium with rs1021188, revealing relative similarities between different populations. Significant differences in both DNA methylation and unmethylation status were detected with 4.53- and 4.83-fold decreases in the global DNA methylation levels in female and male OTSC groups, respectively. These changes could contribute to an increased risk of OTSC development. Bioinformatic analyses indicated that each of the rs1021188 variations and the DNA methylation changes in the promoter CpG-sites within TNFSF11 may play an important role in its transcription regulation. To our knowledge, this is the first study that investigates an independent effect of the rs1021188 polymorphism and DNA hypomethylation of TNFSF11 promoter in OTSC. Genetic and epigenetic changes in the regulatory regions of TNFSF11 could offer new molecular insights into the understanding of the complexity of OTSC

Analyse elementaire par fluorescence X en dispersion d'energie

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dynamique de photoluminescence dans les boîtes quantiques auto-assemblées InGaAs/GaAs (propriétés de spin et couplage électronique inter-boîte)

Le présent mémoire est une contribution à l'étude des propriétés électroniques des boîtes quantiques semiconductrices "auto-assemblées" du type InGaAs/GaAs. Les propriétés de spin et les conséquences du couplage électronique entre boîtes sur les propriétés optiques sont étudiées par spectroscopie de photoluminescence résolue en temps à l'échelle picoseconde. L'enregistrement de la dynamique de polarisation linéaire de la photoluminescence réalisée dans des conditions d'excitation strictement résonante sur l'état fondamental les boîtes permet de démontrer le blocage de la relaxation de spin dans ces structures 0D à basse température. La dépendance de la dynamique de polarisation de la photolum- inescence avec la température met d'autre part en évidence le rôle clé joué par la diffusion vers les états excités de trou par interaction avec les phonons LO. Nous avons d'autre part étudié le couplage électronique vertical entre boîtes dans des structures multi-plans avec une épaisseur de barrière variable Les expériences de spectroscopie de photoluminescence résolue en temps réalisés dans des conditions d'excitation non-résonante (dans la barrière) ou strictement résonante sur les niveaux électroniques fondamentaux des boîtes montrent l'efficacité de cette technique pour sonder la délocalisation spatiale des fonctions d'onde liée au couplage électronique. Les conséquences de ce couplage électronique sur les propriétés optiques (décalage spectral, forces d'oscillateur, comportement en température,..) et sur le couplage électron-phonon sont discutés.TOULOUSE-INSA (315552106) / SudocSudocFranceF

دراسة طيفية لنواة النيكل (_28^60)Ni ودراسة تحليلية للسويتين المحرضتين (2_1^+,4_1^+) لهذه النواة بوساطة تفكك (β^-) للنظير المشع الكوبالت (_27^60)Co

تم دراسة تفكك  لنظير الكوبالت   باستعمال كاشف من يوديد الصوديوم  المُشاب بالتاليوم  مع قدرة فصل تقدر بـ . دُرست التوزعات الزاوية للإنتقالين  و  لنواة النيكل . تم مقارنة تركيب السويات الأولى المحرضة  و ، النسبة ، الانتقال ، وعامل التشوه  لهذه النواة مع نظائر النيكل الزوجية-الزوجية  ،  ،  ،  ،  ،  ومع بعض النوى الأخرى التي تقع في منطقة النيكل حيث عدد النترونات يتراوح ما بين القيمتين  و  واللذان يُعتبران عددان سحريان. وتم أيضاً تحليل المعطيات بالاعتماد على نموذج الطبقات

Direct band gap In x Ga 1Àx As/Ge type II strained quantum wells for short-wave infrared p-i-n photodetector

International audienceWe theoretically investigate GaAs/Ge/InGaAs as a quantum wells for the design of short-wave infrared p–i–n photodetectors in which the quantum well Ge/InGaAs is the active region. At room temperature, strained Ge/InxGa1−xAs becomes a direct band gap when In composition x is lower than 2.5% and 5% respectively. We have calculated the electronic band parameters for the heterointerface Ge/InxGa1−xAs. Then, a type-II strain GaAs/Ge/In0.35Ga0.65As/GaAs quantum wells heterostructure optimized in terms of compositions and thicknesses is studied by solving Schrödinger equation as well as the absorption coefficient (>1.5 × 104 cm−1). These computations have been used for the study of p–i–n infrared photodetectors operating at room temperature in the range 1.3–1.55 μm. The electron transport in the GaAs/Ge/In0.35Ga0.65As/GaAs multi-quantum wells-based p–i–n structure was analyzed and numerically simulated taking into account tunneling process and thermally activated transfer through the barriers mainly. The temperature dependence of dark current mechanisms and zero-bias resistance area product (R0A) have been analyzed. Extracted from current–voltage characteristics, R0A products above 3.6 ⋅ 106 Ω cm2 at 77 K were calculated, and the quantitative analysis of the J–V curves showed that the dark current density of Ge/In0.35Ga0.65As photodetector is dominated by generation–recombination processes. The suitability of the modeled photodetector is approved by its feasibility of achieving good device performance near room temperature operating at 1.55 μm. Quantum efficiency of ∼90% and responsivity ∼0.6 A/W, have been achieved

Optical Gain and Radiative Current Density in Strain Compensated GaAsP/GaAsBi/GaAsP QWs Laser Structure

International audienc

Direct band gap InxGa1-xAs/Ge type II strained quantum wells for short-wave infrared p-i-n photodetector

International audienc