Analytical determination of the constitutive behavior from micro-pillar testing: Application to a tempered martensitic steel

Micro-compression experiments were carried out on micro-pillars, with nominal diameter of 10 mu m and height 20 mu m, and fabricated from a high-chromium tempered martensitic steels developed for nuclear applications. An analytical method was proposed to calculate the imposed compressive displacement on the pillar that allows determining the constitutive behavior up to about 5% of plastic strain. The experimental micro-compression curves were showed to be adequately modeled by the finite element simulations, which were used to validate the main assumption considered for the analytical model development. (C) 2014 Author(s). All article content, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution 3.0 Unported License

Effect of HRT ZnO Film on Optical Spectra of Transmission in CdS/CdTe Solar Elements

The comprehensive analysis of transmission spectra for light propagated through ITO/ZnO/CdS multilayers to solar cell active layer of CdTe is performed. Optimal thickness of ZnO high resistive oxide supplying minimal optical losses in CdTe solar cell working range was determined. We get the maximal light transmission to active layer for ZnO film with thickness of 230 nm. The advantages of glass superstrate for multilayer structure with ZnO upper layer is discussed in comparison with the structure with ITO upper layer. Calculation of transmittance for textured surfaces of top face of solar element showed significant minimization of optical losses in the structure with ITO upper layer textured by inverted pyramids while for textured glass superstrate there is no ponderable profit as compared to multilayer structure with planar surface

Effect of HRT ZnO Film on Optical Spectra of Transmission in CdS/CdTe Solar Elements

The comprehensive analysis of transmission spectra for light propagated through ITO/ZnO/CdS multilayers to solar cell active layer of CdTe is performed. Optimal thickness of ZnO high resistive oxide supplying minimal optical losses in CdTe solar cell working range was determined. We get the maximal light transmission to active layer for ZnO film with thickness of 230 nm. The advantages of glass superstrate for multilayer structure with ZnO upper layer is discussed in comparison with the structure with ITO upper layer. Calculation of transmittance for textured surfaces of top face of solar element showed significant minimization of optical losses in the structure with ITO upper layer textured by inverted pyramids while for textured glass superstrate there is no ponderable profit as compared to multilayer structure with planar surface

Effect of crystal defects on the electronic structure and dielectric functions of In0.5Tl0.5I solid state solutions

We investigate an influence of the various crystal structure imperfections on the electronic properties and dielectric functions for In0.5Tl0.5I semiconductor in the frame of the density functional theory calculations. The tensor of electron effective mass m*ij of InI, In0.5Tl0.5I and TlI crystals has been calculated for the valence and conduction bands and different K-points of Brillouin zone. Dielectric functions ε(hν) of the defective crystals based on In0.5Tl0.5I solid state solution with iodine vacancy and thallium interstitial atom were calculated taking into consideration the inter-band and intra-band electron transitions. The studies of the defective crystals reveal increased low-frequency and stationary electron conductivity with anisotropy resulted from the anisotropy of the electron effective mass tensor. Our findings explain the origin of crucial changes in the band structure by formation the donor half-occupied levels close to the unoccupied conduction bands due to the crystal structure defects, i.e. iodine vacancy or thallium interstitial atom. It has been shown that in the case of real crystals, in particular metal-halides, the proper consideration of defects in quantum-chemical calculations results in a better matching of the theoretical and experimental results in comparison to the case when the perfect crystal structure had been used for calculations.Zbadano wpływ różnych niedoskonałości struktury krystalicznej na właściwości elektronowe i funkcje dielektryczne półprzewodnika In0.5Tl0.5I w ramach teorii funkcjonału gęstości. Został obliczony tensor efektywnej masy elektronów m* kryształów InI, In0.5Tl0.5I i TlI dla pasm walencyjnych i przewodnictwa oraz różnych K-punktów strefy Brillouina. Funkcje dielektryczne ε(hν) domieszkowanych kryształów roztworów stałych In0.5Tl0.5I z wakansami jodu i atomami międzywęzłowymi talu zostały obliczone z uwzględnieniem międzypasmowych i wewnątrz-pasmowych przejść elektronowych. Badania domieszkowanych kryształów ujawniły zwiększoną przewodność elektronową niskoczęstotliwościową i stacjonarną o anizotropii wynikającej z anizotropii tensora efektywnej masy elektronów. Przeprowadzone badania wyjaśniają obserwowane duże zmiany struktury pasmowej pochodzące z utworzenia pół wypełnionych poziomów donorowych w pobliżu niezajętych pasm przewodnictwa wynikających z defektów struktury krystalicznej, tj. wakansów jodu czy atomów międzywęzłową talu. Wykazano, że w przypadku kryształów rzeczywistych, w szczególności halogenków metali, właściwe uwzględnienie defektów w obliczeniach kwantowo-chemicznych daje możliwość lepszego dopasowania obliczeń teoretycznych do wyników doświadczalnych w porównaniu do obliczeń bazujących na strukturze krystalicznej doskonałej

ДОСЛІДЖЕННЯ РІВНЯ ДОЛАРИЗАЦІЇ ЕКОНОМІКИ УКРАЇНИ

The article considers actual issues of economy dollarization classification, its nature, advantages, disadvantages, and consequences for specific economic conditions. It also reveals the possible determination methods of economy dollarization level in addition to the possible ways of economy de–dollarization. The economy dollarization evaluation method is based on studies of the structure of monetary aggregates. We also performed the SWOT–analysis of the Ukraine’s economy dollarization level and the results disclose its basic causes, as well as the opportunities and threats for the economy of Ukraine. Also, we show the possible ways to improve the monetary policy of the National Bank of Ukraine.В статье исследованы актуальные вопросы определения сущности и классификации долларизации экономики, определение ее преимуществ, недостатков и последствий для конкретных экономических условий, методики определения ее уровня и возможных путей дедолларизации экономики. Применен метод оценки уровня долларизации экономики на основе исследования структуры денежных агрегатов. Также выполнен SWOT–анализ долларизации экономики Украины, по результатам которого определены основные причины, возможности и угрозы для экономики Украины, а также разработаны направления совершенствования денежно–кредитной политики Национального банка Украины.У статті досліджено актуальні питання визначення сутності та класифікації доларизації економіки, визначення її переваг, недоліків та наслідків для конкретних економічних умов, методик визначення її рівня та можливих шляхів дедоларизації економіки. Застосовано метод оцінювання рівня доларизації економіки на основі дослідження структури грошових агрегатів. Також виконано SWOT–аналізування доларизації економіки України, за результатами якого визначено основні причини та можливості та загрози для економіки України, а також розроблено напрями удосконалення грошово–кредитної політики Національного банку України

Оптичні властивості плівки CdMnTe: експериментальні та теоретичні аспекти

Тонкі плівки CdTe є представниками кристалічної групи AIIBVI і демонструють поведінку напівпровідників. Вони є важливим напрямком досліджень через широке застосування в різних галузях оптоелектронних пристроїв. Краща можливість керувати в широкому енергетичному діапазоні, наприклад, шириною забороненої зони Eg для практичних застосувань існує при зміні вмісту CdTe-MnTe (від Eg = 1.46 еВ для CdTe до Eg = 3.1 еВ для MnTe). Названі сполуки можуть розглядатися як особливий клас бінарних напівпровідних сполук, що мають перспективні оптичні параметри. Плівки Cd1 – xMnxTe було отримано методом квазізамкненого об’єму. Осадження плівок проводилось з полікристалічного порошку Cd0.88Mn0.12Te на підкладку слюди. З аналізу дифрактограми для Cd1 – xMnxTe встановлено, що плівка є однофазною. Фаза – сполука CdTe (структурний тип – ZnS, просторова група – F43m). Детальний аналіз положення експериментальних рефлексів та їхніх інтенсивностей у порівнянні із теоретичними засвідчив дуже сильну переважну орієнтацію зерен фази Cd1 – xMnxTe у синтезованій плівці (текстуру). Спостерігаються рефлекси від площин з індексами Міллера hkl (xyz). Включення манганової компоненти є причиною збільшення параметрів гратки (порівняно з вихідним з'єднанням CdTe/слюда). З аналізу EDS було встановлено, що композиційний склад плівки становить Cd0.96Mn0.04Te. Уточнений параметр елементарної комірки a = 0.6485(3) нм і V = 0.2727(3) нм3. Наводяться результати дослідження спектрів пропускання та відбиття структури Cd0.96Mn0.04Te/слюда. Спектри пропускання та відбиття плівки демонструють періодичні коливання, які викликані особливістю підкладки. Спектральна залежність оптичного поглинання плівок Cd0.96Mn0.04Te у координатах (αhv) 2 – hv демонструє наявність основної грані поглинання. Найменше значення ширини забороненої зони для плівки Cd0.96Mn0.04Te становить 1,465 еВ і характеризується прямим міжзонним оптичним переходом. В рамках методу псевдопотенціалу теоретично вивчається динаміка зміни параметрів електронної підсистеми Cd1 – xMnxTe. З використанням співвідношень Крамерса-Кроніга отримані діелектрична проникність, спектр відбиття та спектральна залежність показника заломлення. Теоретичні та експериментальні результати задовільно корелюють між собою.CdTe thin films are representatives of AIIBVI crystal group and show semiconductor behavior. They are an important research field because of their wide applications in various fields of optoelectronic devices. A better opportunity to manage in a wide energy range the band gap Eg for practical applications exists with varying the content of CdTe-MnTe (from Eg = 1.46 eV for CdTe to Eg = 3.1 eV for MnTe). The titled compounds may be considered as a particular class of binary semiconducting compounds possessing promising optical parameters. Cd1 – xMnxTe films were prepared on mica substrates by closed-space sublimation of polycrystalline Cd0.88Mn0.12Te powders. X-ray diffraction studies revealed that the as-deposited films had a zinc blende structure with a preferential (111), (222) (333) and (444) orientations. Included Mn components cause the increase in the lattice parameters (compared with parent compound CdTe/mica). From EDS analysis it was observed that composition of the film was Cd0.96Mn0.04Te. The lattice parameter was refined by X-ray diffraction: a = 0.6485(3) nm and V = 0.2727(3) nm3. Results of study of transmission and reflection spectra of the Cd0.96Mn0.04Te films-substrate combinations are present. The transmission and reflection spectra of the films exhibit periodic oscillations associated with the substrate. The spectral dependence of the optical absorption of Cd0.96Mn0.04Te films in the (αhv) 2 – hv coordinates demonstrates the presence of the fundamental absorption edge. The value of the optical band gap of the Cd0.96Mn0.04Te films was found to be equal to 1.465 eV and formed by direct interband optical transitions. Within the framework of the pseudopotential method, the dynamics of changing the parameters of the electronic subsystem of the Cd1 – xMnxTe is theoretically studied. Using the Kramers-Kronig relations, the dielectric permeability, reflective index and reflectivity spectra that satisfactorily correlate with the experimental data are obtained

Symmetrical Analysis PhononModes of Crystal <span style="font-family: Symbol;">b^/</span>-Ag₈SnSe₆

Symmetrical analysis of the phonon spectra of lowtemperature b/-phase of crystal Ag8SnSe6 carried out. At the room temperature argyrodite Ag8SnSe6 belong to orthorhombic system with space group symmetry Pmn21. Classification of the main phonon modes of crystal carried out. Clarified selection rules for Raman spectra andinfrared spectra.Keywords: argyrodite, theoretical-group analysis, phonon spectra, selection rules

Поверхнево-бар’єрні структури Au/n-CdS: створення та електрофізичні властивості

Представлено результати дослідження електрофізичних властивостей поверхнево-бар’єрних структур (ПБС) Au/n-CdS, одержаних ВЧ магнетронним розпиленням. Встановлено, що плівки кристалізуються в просторовій групі P63mc. Приводяться результати дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) для неосвітлених та освітлених плівок. На основі поведінки ВАХ розраховано коефіцієнт ідеальності, висоту потенціального бар'єра зі сторони металу, струм насичення, послідовний опір структури, коефіцієнт випрямлення та висоту вбудованого потенціалу для темнової та освітленої структури. Встановлено, що коефіцієнт випрямлення в процесі освітлення ПБС Au/n-CdS імітатором сонячного випромінювання (1000 Вт/м2) зростає у порівнянні з темновою ВАХ від 3 до 22. Домінуючим механізмом переносу заряду, який встановлюється з темнових I-V характеристик напруг прямого зсуву, є багатоступеневі тунельні та рекомбінаційні процеси із залученням поверхневих станів на металургійний інтерфейс Au/n-CdS. Для освітленої прямої ВАХ за зміщень ˂ 0,6 В переважає тунельнорекомбінаційний механізм перенесення заряду, а за зміщень > 0.6 В – зростає внесок механізму тунелювання. При зворотному зміщені для темнової та освітленої ВАХ за зміщень ˂ 0,3 B домінуючим механізмом струмопроходження є тунелювання носіїв заряду або ж струм, обмежений просторовим зарядом у режимі насичення швидкості, а за зміщень > 0,3 B – струм, обмежений просторовим зарядом в режимі рухливості. Результати дослідження фотопровідності (ФП) дозволили оцінити пропускну межу та ширину забороненої зони отриманої плівки.The results of the electrophysical properties study of Au/n-CdS surface-barrier structures (SBS) obtained by radio frequency (RF) magnetron sputtering are presented. It was established that CdS films crystallize in the space group P63mc. The results of I-V characteristics investigation for films in the dark and under illumination are presented. The ideality factor, the potential barrier height on the metal contact, the saturation current, the resistivity, the rectification factor and the built-in potential of the structure in the dark and under illumination are calculated based on the behavior of the I-V characteristic. In the process of illumination by a solar radiation simulator of the structure from the side of Au, the rectification factor k increases from 3 to 22 in comparison with the dark I-V characteristic. The multistage tunneling and recombination processes with the involvement of the surface states at the metallurgical Au/n-CdS interface is a dominant mechanism of charge transfer which established from the dark I-V characteristics of the forward-bias voltages. For the illuminated I-V characteristics, for biases ˂ 0.6 V the tunneling and recombination mechanisms of the charge transport are dominant, and for biases > 0.6 V, the contribution of the tunneling mechanism increases. At reverse voltages for the dark and illuminated I-V characteristics, for biases ˂ 0.3 V the dominant mechanism of charge transport is tunneling of charge carriers or currents confined by the space charge in the saturation mode of the carrier rate, and for biases > 0.3 V – currents confined by the space charge in the mobility mode. From the photoconductivity (PC) investigation, the band gap and absorption dependencies of the fabricated film were established