Model for Predicting Risk of Postpartum Purulent-Inflammatory Complications after Cesarean Section: Cohort Retrospective Study

Background. Relevance of the study is related to the lack of a unified strategy for determining the risk of infectious complications of puerperium. Currently, the specialists use the collected data from studies documenting the main factors of infection in a population or cohorts of postpartum women. However, accuracy of these factors is not established and prognosis could not be personalized. The paper analyzes significant risk factors for the infectious complications associated with cesarean section (C-Section) and develops a model for their prognosis and an individual assessment of the risk of postpartum infection in order to take timely preventive measures. Objective. To identify predictors of postpartum purulent-inflammatory complications after cesarean section, to evaluate their predictive value, and to develop a statistical model for determining the risk of their occurrence.Methods. The cohort retrospective study (January 2019 to January 2022) was conducted in four obstetric health facilities of Krasnodar and was focused on analysis of medical records. Anamnestic, clinical and laboratory data of all women after cesarean section delivery were collected. Model: a patient diagnosed with any infection associated with cesarean section within 42 days after delivery — postoperative suture infection, endometritis, peritonitis, thrombophlebitis, sepsis. Infections were grouped to carry out a single risk assessment with an internal validation test and to develop a multifactor logistic regression model. All analyses were conducted using version R 3.2.3 (SPSS Inc., Chicago, IL) and Transparent Reporting of a multivariable prediction model for Individual Prognosis Or Diagnosis (TRIPOD).Results. Infection associated with cesarean section occurred in 2.50% of women (n = 548; 95% CI 2.6–3.5), suture disruption — in 0.59% (n = 129; 95%, CI 0.41–0.81), endometritis — 1.46% (n = 321; 95%, CI 1.15–1.94), peritonitis — 0.16% (n = 35; 95%, CI 0.11–0.20), thrombophlebitis 0.04% (n = 9; 95%, CI 0.01–0.05), sepsis 0.25% (n = 54; 95%, CI 0.15–0.35). The authors have identified 14 major variables with a high prognostic risk for the development of infectious complications of puerperium. The model differentiated women with and without purulent inflammatory complications of puerperium by internal validation (concordance index = 0.712, 95%, CI 0.672–0.755).Conclusion. The developed model can be used to accurately predict the risk of infectious complications after abdominal delivery and to identify high-risk patients. It ensures a differentiated approach with a possibility to expand studies and strengthen antibiotic therapy, which promotes reduction of surgical site puerperal infection

Development of singularities for the compressible Euler equations with external force in several dimensions

We consider solutions to the Euler equations in the whole space from a certain class, which can be characterized, in particular, by finiteness of mass, total energy and momentum. We prove that for a large class of right-hand sides, including the viscous term, such solutions, no matter how smooth initially, develop a singularity within a finite time. We find a sufficient condition for the singularity formation, "the best sufficient condition", in the sense that one can explicitly construct a global in time smooth solution for which this condition is not satisfied "arbitrary little". Also compactly supported perturbation of nontrivial constant state is considered. We generalize the known theorem by Sideris on initial data resulting in singularities. Finally, we investigate the influence of frictional damping and rotation on the singularity formation.Comment: 23 page

Chronic endometritis and infertility — in vitro fertilization outcomes: systematic review and meta-analysis

Background. The relevance of the problem is related to the high prevalence of chronic endometritis (CE); its role in female infertility, implantation failures during assisted reproductive technology procedures, and recurrent miscarriage; as well as the lack of a unified strategy in the diagnosis and treatment of this pathology. The present systematic review with a meta-analysis focuses on evaluating the impact of CE and its therapy on the outcome of in vitro fertilization. In addition, the effect of CE of various severity on the outcomes of assisted reproductive technologies is analyzed. Objective. To analyze the effect of CE of varying severity and its treatment on the outcomes of in vitro fertilization. Methods. Using PubMed, Medline, Scopus, Embase, ELibrary, Cochrane Central Register of Controlled Trials (CENTRAL), WHO International Clinical Trials Registry, and Russian Science Citation Index, a systematic search was conducted for articles published over the past 12 years that met the following criteria: randomized controlled trial examining the effect of CE of varying severity on fertility and ways to treat it. The following indicators were calculated: ongoing pregnancy/live birth, clinical pregnancy, and miscarriage rates. A total of 4145 patients (from ten studies) were included. A meta-analysis was performed using Stata 11.0 software (The Cochrane Collaboration, Oxford, UK). The heterogeneity was considered low at I2 <30%, moderate at 30–50%, and high at >50%. Results. Women with CE exhibited lower ongoing pregnancy/live birth (OR 1.97; p = 0.02) and clinical pregnancy rates (OR 2.28; p = 0.002) as compared to women without it. CE treatment increased the ongoing pregnancy/live birth (OR 5.33; p < 0.0001) and clinical pregnancy rates (OR 3.64; p = 0.0001). In vitro fertilization outcomes were comparable in women treated for CE and women without CE (ongoing pregnancy/live birth rate, clinical pregnancy rate, and miscarriage rate: p = ns). Women with severe CE exhibited lower ongoing pregnancy/live birth (OR 0.43; p = 0.003) and clinical pregnancy rates (OR 0.40; p = 0.0007). Mild CE showed no significant effect on in vitro fertilization outcomes (ongoing pregnancy/ live birth rate, clinical pregnancy rate, and miscarriage rate: p = ns). Conclusion. The conducted meta-analysis showed that CE significantly reduces the ongoing pregnancy/live birth and clinical pregnancy rates in infertile women undergoing in vitro fertilization. Noteworthy is that antimicrobial therapy in such patients improves the results of assisted reproductive technologies, which are comparable to those of patients without CE. The negative impact of this pathology on the implantation capacity of the endometrium is most often observed in the severe form, while its mild form has virtually no effect on the in vitro fertilization outcome

Development Of Software–Hardware System for Real Time Simulation of Electric Power System with Smart Grids

The design and research of electric power system (EPS) with smart grids (SG), which are the current world trend of modern electric power industry, requires solving a large number of non-trivial tasks. The developed technical solutions and used equipment are novel for the world practice. Therefore, their implementation requires carefulanalysis and an individual approach to research that provides an assessment of the impact of new network elements on the power system. All of this puts requirements on the tools and methods of research used to solve such problems. At present, digital systems for modelling EPS with SG based on the application of numerical methods are used as such tools. However, despite the high level of these developments, it has drawbacks. The use of incomplete and invalid information obtained by digital tools can lead to the wrong design and operational decision in real power system, which can cause blackouts. The alternative approach for solving the problem of detailed simulation of EPS with SG is the creation of hybrid system based on the principle of combining different modelling methods. Hybrid Real-Time Power System Simulator (HRTSim) is developed based on this approach and presented in the paper

СПЕКТРОМЕТР С МИКРОВОЛНОВОЙ ПЛАЗМОЙ «ГРАНД-СВЧ» ДЛЯ АТОМНО-ЭМИССИОННОГО АНАЛИЗА

Methods of atomic absorption analysis with electrothermal and (or) flame atomizers and inductively coupled argon plasma are widely used for elemental analysis of solutions. Despite the wide popularity of these analysis methods, in analytical laboratories there is a demand for spectrometers with new excitation sources as an addition or replacement to the existing set of instruments that could provide improved analytical performance, reliability, ease of operation on new equipment, and a reduction of analysis cost. The Agilent company made an attempt to develop such an instrument by launching the first production model of a microwave plasma spectrometer. However, a number of design features did not allow the use of the spectrometer to solve many analytical problems. We have summarized the principles of developing atmospheric pressure microwave nitrogen plasma of “optimal” shape for efficient heating, evaporation, atomization, and ionization of liquid samples and have developed a high-order-mode microwave cavity based on a commercial 2.45 GHz magnetron. A Grand-2 spectrometer with two hybrid assemblies of BLPP-2000 photodetector arrays is used to obtain and record spectra. The spectrometer allows simultaneous recording of spectra in the range 190-780 nm with an integration time of 2 ms. The analytical characteristics of a Grand-MP spectrometer are as follows: the linearity range of the calibration curve is 5 orders, with possible expansion to 7 orders of magnitude when using a lower intensity line, which is similar to the range of inductively coupled plasma spectrometers and far exceeds the ranges of flame atomic absorption spectrometry with 2-3 orders and Agilent MP 4210 with 4 orders; the long-term stability of the analytical signal measured for 6 hours without using the internal standard is no more than 2% relative standard deviation; The obtained detection limits are not inferior to those for Agilent MP-AES 4100, 4200, and 4210 microwave plasma spectrometers and modern flame atomic absorption spectrometers and are very close to those for radial view inductively coupled plasma spectrometers.Keywords: atomic emission analysis, microwave plasma, spectrum excitation source, magnetron, resonator, spectrometer, analytical characteristics(Russian)DOI: http://dx.doi.org/10.15826/analitika.2019.23.1.004O.V. Pelipasov1, 2, V.А. Labusov1 ,2 ,3, А.N. Put'makov1, 2, K.N. CHernov4, V.M. Borovikov1, 2, I.D. Burumov1, 2, D.O. Selyunin1, 2, V.G. Garanin2, I.А. Zarubin1, 2, 3 1Institute of Automation and Electrometry of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 1, Academician Koptyug ave., Novosibirsk, 630090, Russian Federation2LLC “VMK-Optoelektronika”, 1, Academician Koptyug ave., Novosibirsk, 630090, Russian Federation3Novosibirsk State Technical University, 20, Karl Marks ave., Novosibirsk, 630073, Russian Federation4Budker Institute of Nuclear Physics of Siberian Branch Russian Academy of Sciences (BINP SB RAS) 11, Acad. Lavrentieva Pr., Novosibirsk, 630090, Russian Federation.В настоящее время для элементного анализа растворов широко используют методы атомно-абсорбционного анализа с электротермическим и (или) пламенным атомизаторами и атомно-эмиссионного спектрального анализа с аргоновой индуктивно связанной плазмой (ИСП). Несмотря на широкую популярность этих методов анализа, у аналитических лабораторий существует потребность в разработке и внедрении спектрометров с новыми источниками возбуждения, которые смогли бы стать дополнением или заменой к уже существующему парку приборов при условии повышения аналитических характеристик, надежности, легкости работы на новом оборудовании и снижения себестоимости анализа. Попытку создать такой инструмент сделала компания Agilent, выпустив первую серийную модель атомно-эмиссионного спектрометра с микроволновой плазмой. Однако ряд конструктивных решений не позволил использовать спектрометр в решении многих аналитических задач. Авторами данной публикации были обобщены принципы создания микроволновой азотной плазмы атмосферного давления «оптимальной» формы для эффективного нагрева и испарения жидких проб, атомизации элементов и ионизации атомов. В результате был разработан сверхвысокочастотный резонатор с модой высокого порядка с использованием промышленного магнетрона с частотой 2450 МГц. Для получения и регистрации спектров применен спектрометр «Гранд-2» с двумя гибридными сборками линеек фотодетекторов БЛПП-2000. Спектрометр позволяет одновременно регистрировать спектр в области 190-780 нм с временем интегрирования от 2 мс. Получены аналитические характеристики спектрометра «Гранд-СВЧ»: диапазон линейности градуировочного графика составляет 5 порядков концентраций с использованием одной спектральной линии и с возможным расширением до 7 порядков с дополнительной линией меньшей интенсивности, что соответствует диапазону спектрометров ИСП и существенно превышает диапазоны пламенной атомно-абсорбционной спектрометрии (2-3 порядка) и Agilent MP 4210 (4 порядка); долговременная стабильность аналитического сигнала, измеренного в течение 6 часов без использования внутреннего стандарта, составляет не более 2 % ОСКО; полученные значения пределов обнаружения не уступают спектрометрам с микроволновой плазмой Agilent MP-AES 4100, 4200 и 4210, пламенным атомно-абсорбционным спектрометрам и очень близки к современным спектрометрам ИСП с радиальным обзором.Ключевые слова: атомно-эмиссионный анализ, микроволновая плазма, источник возбуждения спектров, магнетрон, резонатор, спектрометр, аналитические характеристикиDOI: http://dx.doi.org/10.15826/analitika.2019.23.1.00

Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий

When evaluating the individual reliability of semiconductor devices by gradual failures for a given operating time, the value of the electrical parameter of a particular instance for this operating time is predicted using the simulation method. To obtain a prediction of an electrical parameter, it is necessary to have a simulation model in the form of a function of the relationship between a given operating time and the level of simulation impact. The simulation model is obtained with the help of preliminary studies (training experiment) of a training sample of semiconductor devices of the type of interest with the volume of approximately 50 ... 100 copies. The application of the model is reduced to the calculation of the level of simulation impact corresponding to a given operating time. The result of measuring the electrical parameter at the calculated level of the imitation impact in a new specimen of the same type that did not take part in the training experiment should be considered as a prediction of this parameter for a given operating time. An integral part of the preliminary research to obtain a simulation model is the testing of semiconductor devices of the training set for a long operating time, which can be tens of thousands of hours, which necessitates planning and conducting accelerated tests. The article substantiates the conditions for conducting accelerated forced tests in relation to high-power bipolar transistors of the KT872A type. The increased temperature and the reverse voltage applied to the collector junction of the transistors are chosen as factors accelerating the tests. The test acceleration coefficient is calculated relative to the operating mode of the transistors. Based on the results of the accelerated tests for the electrical parameter (collector-emitter saturation voltage), a mathematical model was obtained in the form of a dependence of its average value on the operating time. The presence of this model is necessary to determine the function of recalculating the given operating time of transistors to the value of the simulation impact.При оценке индивидуальной надежности полупроводниковых приборов по постепенным отказам для заданной наработки прогнозируют значение электрического параметра конкретного экземпляра для этой наработки, используя метод имитационных воздействий. Для получения прогноза электрического параметра надо иметь имитационную модель в виде функции связи заданной наработки с уровнем имитационного воздействия. Имитационную модель получают с помощью предварительных исследований (обучающего эксперимента) обучающей выборки полупроводниковых приборов интересующего типа объемом примерно 50…100 экземпляров. Применение модели сводится к расчету уровня имитационного воздействия, соответствующего заданной наработке. Результат измерения электрического параметра при рассчитанном уровне имитационного воздействия у нового однотипного экземпляра, не принимавшего участия в обучающем эксперименте, следует считать прогнозом этого параметра для заданной наработки. Составной частью предварительных исследований по получению имитационной модели являются испытания полупроводниковых приборов обучающей выборки на длительную наработку, которая может составлять десятки тысяч часов, что обусловливает необходимость планирования и проведения ускоренных испытаний. В статье обоснованы условия проведения ускоренных форсированных испытаний применительно к биполярным транзисторам большой мощности типа КТ872А. В качестве факторов, ускоряющих испытания, выбраны повышенная температура и обратное напряжение, прикладываемое к коллекторному переходу транзисторов. Рассчитан коэффициент ускорения испытаний относительно рабочего режима работы транзисторов. По результатам ускоренных испытаний для электрического параметра (напряжение насыщения коллектор–эмиттер) получена математическая модель в виде зависимости его среднего значения от наработки. Наличие этой модели необходимо для определения функции пересчета заданной наработки транзисторов на значение имитационного воздействия

Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора

Individual forecasting of the reliability of semiconductor devices, taking into account gradual failures, is an urgent task, as it allows you to choose highly reliable instances for critical electronic devices of long-term functioning. In relation to bipolar transistors, an approach is proposed that allows us to solve this problem by using the voltage applied to the collector-emitter junction as a simulated effect. Using the example of highpower bipolar transistors of the KT872A type, it is shown how the problem is solved. For the sample of transistors of this type using the results of a training experiment, two equations were obtained to describe the electrical parameter under consideration (a static base current transfer coefficient in a circuit with a common emitter), the value of which judges the absence or presence of a gradual failure for a specific instance. The first equation shows how the electrical parameter changes on average depending on the voltage applied to the collector – emitter junction. The second equation describes the average degradation of the electrical parameter during long-term operating time of transistors. Based on these two equations, a simulation model of the reliability of bipolar transistors of the type in question is obtained in the form of a communication function that shows what level of simulation voltage corresponds to a given operating time. As applied to the transistors of the type under consideration, the obtained simulation model allows us to individually predict reliability by the gradual failures of the same type of samples that did not participate in the training experiment. To do this, first determine the value of the simulation voltage corresponding to a given operating time. This is achieved by substituting a given operating time into the model. The individual forecasting of the reliability of a new onetype instance consists in measuring the electrical parameter of this instance at a voltage on the transistor collector corresponding to the calculated simulation value, and comparing the measurement result with the norm set on the electrical parameter.Индивидуальное прогнозирование надежности полупроводниковых приборов c учетом постепенных отказов является актуальной задачей, так как позволяет выбрать высоконадежные экземпляры для ответственных электронных устройств длительного функционирования. Применительно к биполярным транзисторам предлагается подход, позволяющий решать задачу прогнозирования путем использования в качестве имитационного воздействия электрическое напряжение, прикладываемое к переходу коллектор – эмиттер. На примере биполярных транзисторов большой мощности типа КТ872А показано, как можно решить задачу прогнозирования. Для выборки транзисторов этого типа с использованием результатов выполненного обучающего эксперимента получены два уравнения для описания рассматриваемого электрического параметра (статического коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером), по значению которого судят об отсутствии или наличии постепенного отказа для конкретного экземпляра. Первое уравнение показывает, как электрический параметр в среднем изменяется в зависимости от прикладываемого к переходу коллектор – эмиттер электрического напряжения. Второе уравнение описывает в среднем деградацию электрического параметра при длительной наработке транзисторов. На основе этих двух уравнений получена имитационная модель надежности биполярных транзисторов рассматриваемого типа в виде функции связи, показывающей, какой уровень имитационного напряжения соответствует заданной наработке. Полученная имитационная модель применительно к транзисторам рассматриваемого типа позволяет выполнять индивидуальное прогнозирование надежности по постепенным отказам однотипных экземпляров, не принимавших участия в обучающем эксперименте. Для этого вначале определяют значение имитационного напряжения, соответствующее заданной наработке. Достигается это путем подстановки в модель заданной наработки. Индивидуальное прогнозирование надежности нового однотипного экземпляра состоит в измерении у этого экземпляра электрического параметра при напряжении на коллекторе транзистора, соответствующем рассчитанному имитационному значению, и сравнении результата измерения с нормой, установленной на электрический параметр

Оценка ожидаемой надежности прикладных программных средств для компьютерных информационных систем

The reliability of computer-based information systems is largely determined by the reliability of the developed application software. The failure rate of its computer program is considered as an indicator of the reliability of the application software. To determine the expected reliability of the application software planned for the development (until writing the code of a program), the model is proposed that uses some parameters of the future computer program, data on the influence of various factors on its reliability, and further testing of the program. The model takes into account the field of software application and computer processor performance. The process of model parameters obtaining is analyzed., It is possible by use of proposed model to determine the predicted failure rate of the planned application computer program, and then the reliability of the computer-based information system as a whole. If necessary, the measures can be developed to ensure the required level of reliability of the computer-based information system.Надежность компьютерной информационной системы во многом определяется надежностью разрабатываемого прикладного программного средства. В качестве показателя надежности прикладного программного средства рассматривается интенсивность отказов его компьютерной программы. Для определения ожидаемой надежности прикладного программного средства, планируемого к разработке (до написания кода компьютерной программы), предлагается модель, в которой используются некоторые параметры будущей компьютерной программы, данные о влиянии на ее надежность различных факторов и предполагаемое в дальнейшем тестирование компьютерной программы. Модель учитывает отрасль применения программного средства и быстродействие процессора компьютера. Анализируется процесс получения параметров модели. С помощью предложенной модели можно определить прогнозную интенсивность отказов планируемой к разработке прикладной компьютерной программы, а далее и надежность компьютерной информационной системы в целом. При необходимости могут быть разработаны организационно-технические мероприятия по обеспечению требуемого уровня надежности компьютерной информационной системы

Клинико-генетические характеристики синдрома контрактур конечностей и лица, гипотонии и задержки психомоторного развития (OMIM:616 266), обусловленного мутациями в гене NALCN

A description of the clinical and genetic characteristics of the syndrome of congenital contractures of the limbs and face in combination with muscular hypotonia and psychomotor retardation of 2 patients from Russia is presented. As a result of full-exome DNA sequencing, 2 heterozygous missense mutations c 4355T C and c.3541C G were found in the NALCN gene, leading to amino acid substitutions at the functionally important center of the protein molecule. The effect of identified mutations in the NALCN gene on the function of its protein and approaches to the differential diagnosis of congenital contracture syndrome of the extremities and face in combination with muscular hypotonia and psychomotor retardation with monogenic variants of distal arthrogryposis with autosomal dominant type of inheritance are discussed.Представлено описание клинико-генетических характеристик синдрома врожденных контрактур конечностей и лица в сочетании с мышечной гипотонией и задержкой психомоторного развития 2 пациентов из России. В результате полноэкзомного секвенирования ДНК у пациентов обнаружены 2 гетерозиготные миссенс-мутации c.4355T>C и c.3541C>G в гене NALCN, приводящие к аминокислотным заменам в функционально значимом центре белковой молекулы. Обсуждается влияние выявленных мутаций в гене NALCN на функцию его белка и подходы к дифференциальной диагностике синдрома врожденных контрактур конечностей и лица в сочетании с мышечной гипотонией и задержкой психомоторного развития с моногенными вариантами дистальных артрогрипозов с аутосомно-доминантным типом наследования