Determination of the iodine index of some edible oils in Togo by Raman spectroscopy

The degradation of oils during the storage becomes a real challenge that leads to the monitoring of the quality of edible oils from the process to the trading. The quality of the oil is determined by its degree of unsaturation which is related to the iodine index of the oils. This iodine index is difficult to determine by the usual biochemical methods such as the Wijs method, etc., which use chemical and toxic reagents with a relatively long experimental duration. The precision of the obtained values and the cost of the experiment when it concerns a large number of samples leads to explore other technics such as optical spectroscopic methods which are fast and non-destructive. This study aims to determine the iodine index of oils very quickly, accurately and economically by Raman spectroscopy. Thus, a relationship has been established between the iodine index and the ratio of the intensity of the peak at 1654 cm-1, corresponding to a mode of vibration of the C = C bond, and that of the peak at 1440 cm-1, corresponding to a vibration mode of the -CH2- group of the Raman spectrum. The interpolation equation obtained has the form Y = 204.X-11.3 with a correlation coefficient R2 = 0.9602. This result will allow, simultaneously, the direct and rapid determination of the iodine index, the classification of oils based on their Raman spectrum and thus to quickly and precisely monitor the quality of edible oils in a context of food safety. Keywords: Edible oil, iodine index, Raman spectroscopy, food quality French Abstract: Determination de l'indice d'iode des quelques huiles comestibles au Togo par la spectroscopie Raman La dégradation des huiles lors du stockage devient un véritable enjeu qui nécessite un suivi de la qualité des huiles comestibles depuis la production jusqu'à la commercialisation. La qualité de l’huile est déterminée par son degré d'insaturation qui est lié à l'indice d'iode des huiles. Cet indice d’iode se détermine difficilement par les méthodes habituelles biochimiques telles que la méthode de Wijs, etc., qui utilisent des réactifs chimiques et toxiques avec une durée expérimentale relativement longue. La précision des valeurs obtenues et le coût de l’expérimentation lorsqu’il s’agit d’un nombre élevé d’échantillons contribuent à explorer d’autres pistes telles que les méthodes spectroscopiques optiques qui sont rapides et non destructives. La présente étude vise à déterminer, de façon plus rapide, précise et économique, l’indice d’iode des huiles par la spectroscopie Raman. A cet effet, une relation entre l'indice d'iode et le rapport de l’intensité du pic à 1654 cm-1, correspondant à un mode de vibration de la liaison C = C, et de celle du pic à 1440 cm-1, correspondant à un mode de vibration du groupe -CH2- du spectre Raman, a été établie. L'équation d'interpolation obtenue a la forme Y = 204.X-11,3 avec un coefficient de corrélation R2 = 0,9602. Ce résultat permettra, à la fois, la détermination directe et rapide de l'indice d'iode, la classification des huiles à base de leur spectre Raman et ainsi de suivre avec rapidité et précision la qualité des huiles alimentaires dans un contexte de sécurité alimentaire. Mots-clés : Huile comestible, indice d'iode, spectroscopie Raman, qualité alimentair

Tunneling spectroscopy of p-type doping in silicon from boron-containing molecular monolayer

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Chemical nature of the anion antisite in dilute phosphide GaAs1−xPx alloy grown at low temperature

International audienceWhile nonstoichiometric binary III-V compounds are known to contain group-V antisites, the growth of ternary alloys consisting of two group-V elements might give additional degrees of freedom in the chemical nature of these antisites. Using cross-sectional scanning tunneling microscopy (STM), we investigate low-temperature-grown dilute GaAs1−xPx alloys. High concentrations of negatively charged point defects are found. Combined with transmission electron microscopy and pump-probe transient reflectivity, this study shows that the defects have a behavior similar to the group-V antisites. Further analyses with x-ray diffraction point to the preferential incorporation of arsenic antisites, consistent with ab initio calculations, that yield a formation energy 0.83 eV lower than for phosphorus antisites. Although the negative charge carried by the arsenic antisites in the STM images is shown to be induced by the proximity of the STM tip, the arsenic antisites are not randomly distributed in the alloy, providing insight into the evolution of their charge state during the growth

Influence of doping level and surface states in tunneling spectroscopy of an I n 0.53 G a 0.47 As quantum well grown on p -type doped InP(001)

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