Imaginaris contraposats. La doble memòria del franquisme i la transició

Quan es parla de trets identitaris, es tendeix a pensar en aquells aspectes més simbòlics, aquells que singularitzen la nació. Quan es parla de Catalunya, ràpidament pensem en la llengua, les tradicions, les institucions i la història. En aquest darrer punt, pel que fa al passat compartit, no sempre es té en compte que aquesta és redactada des d’una determinada historiografia

El desproporcionat pes de l'Església en l'Educació dels Països Catalans

Abstract not availabl

El PCE y la política exterior de Franco: oposición y alternatica

Producción CientíficaLa comunicación pretende abordar las líneas centrales y el desarrollo de la oposición comunista a un aspecto concreto de la dictadura franquista, como fue el de su política exterior, y la definición de una alternativa. Durante las cuatro décadas de régimen franquista, el PCE hizo de la política exterior un importante caballo de batalla. Así, desde el inicio lanzó una dura denuncia de la política exterior del Franquismo, en cuestiones como la vinculación con el nazismo y el fascismo o la posterior ligazón con el bloque occidental durante la Guerra Fría (bases norteamericanas, relaciones con la RFA, etc.), para posteriormente lanzar una crítica del anacronismo que suponía la pervivencia de la dictadura a la hora de desarrollar las relaciones de España con las Comunidades Europeas y también con los países socialistas. La presente comunicación estudiará el desarrollo de esta oposición a la política exterior franquista y el esbozo de la alternativa de los comunistas a dicha política, marcada por el paulatino distanciamiento del PCE respecto a la URSS y el Campo Socialista, y, en paralelo, su creciente vinculación con los partidos comunistas de Europa Occidental

Electrodos transparentes para dispositivos optoelectrónicos basados en ZnO y óxido de grafeno

Memoria presentada para optar al grado de Doctor en Física por la Universidad Autónoma de Madrid.-- Tutora: Prof. Luisa E. Bausá[EN] The increasing interest in transparent and conducting materials is strongly linked to the development of applications as solar cells, portable electronics, displays or flexible electronics which are demanding better performances, increased processability and costs reduction. Flexible or large area devices require also adequate mechanical properties. In the present thesis Al doped ZnO films have been obtained by sputtering at RT obtaining an amorphous fraction up to 84%. Al is significantly incorporated to the crystalline grains upon annealing. The increase of carriers reduces the resistivity and increases the optical band gap by the Burstein-Moss effect. The amorphous character of the films and their excellent transparency are promising in flexible electronics. Graphene is a recently obtained 2D material which presents a broad range of properties (high carrier mobility, transparent, flexible, inert, mechanically resistant…) that would be able to change the current technology. Exfoliation achieved by chemical oxidation has important advantages but introduces oxygen based functional groups. These groups provide graphene oxide (GO) a wide set of applications but have to be eliminated for electrodes. The objectives are the fabrication of ultra-thin reduced-GO films with optimized compromise between conductivity and transparency using mild treatments and to perform fundamental studies about the reduction processes, stacking and morphology of the films and their connection with conductivity. The key parameters for graphene oxide thin films deposition have been optimized in order to obtain homogeneous and continuous ultra-thin films (2-10 layers). A new reduction strategy has been introduced reaching reduction levels not previously reported. The Raman spectra of GO films and powders are analyzed. No vibrations related to oxygen functional groups are observed while three new bands are assigned to defective graphene regions, non-regular C rings and C–H ending sp2 carbon chains or rings, which disappear when the C network is restored. Raman spectroscopy is used to follow the reduction and restoration of the graphitic lattice which depends on the characteristics of the starting oxide. The electrical conductivity has been optimized by combining chemical and soft thermal treatments. A linear correlation has been observed between the conductivity and the width of the defects D Raman peak width. The stacking of the GO flakes in few-layer films has been studied by synchrotron x-ray diffraction and AFM. The flakes mimic perfectly the substrate roughness. The fraction of the GO flakes that forms stacks not parallel to the substrate is only significant for thick drop-cast films but the interlayer distances are the same, 1nm. The most important disorder in the stacking of the large GO flakes occurs between 100 and 200 ºC by the ejection of the embedded water molecules and the distances are drastically decreased down to 0.38 nm at 510ºC. The large distances in chemically reduced few-layer films (0.76 nm) and their robustness against thermal annealing (weak distance decrease) is due to the folding of the edges of the flakes occurring upon the elimination of the functional groups. The central part of them remains extremely flat contrary to what occurs with thermal reduction. These structural defects induced by chemical and thermal reduction processes are very probably the most important limitations for electrical conductivity in reduced GO based transparent electrodes. Several strategies regarding hybridization of GO with Au nanoparticles were essayed. The best combination of conductivity and transparency was obtained for chemically reduced GO few-layer films with 0.5 nm of Au decreasing the resistance about 40%. The incorporation of Au nanoparticles in thermally reduced GO+Au films increases around 20 times the conductivity.[EN] El objetivo general de esta tesis es el desarrollo de nuevos electrodos transparentes para dispositivos optoelectrónicos. Los materiales aptos para su aplicación como electrodos transparentes deben presentar una alta transparencia en el espectro del visible y una alta conductividad. Recientemente con la aparición de la llamada electrónica flexible, también son requeridas propiedades mecánicas específicas. En las últimas décadas, las nuevas aplicaciones tales como dispositivos para emisión de luz, energía fotovoltaica o pantallas táctiles, por ejemplo, han exigido un gran esfuerzo en el desarrollo de los electrodos transparentes. El mercado está actualmente dominado por el ITO (In-Sn-O) y hay una gran actividad en la búsqueda de distintas alternativas. Los materiales conductores transparentes más estudiados son los llamados Óxidos Transparentes Conductores (TCO en sus siglas en inglés) basados en óxidos metálicos, principalmente de Sn, In, Zn y Cd, los cuales se pueden dopar o combinar para mejorar sus propiedades conductoras. El reto más reciente es la obtención de estos electrodos con las propiedades mecánicas adecuadas para su implementación en los dispositivos en electrónica flexible y en electrónica de gran área. Por tanto un objetivo primordial es obtener electrodos amorfos o nano-particulados manteniendo las propiedades ópticas y de transporte y, además, empleando temperaturas de síntesis o de depósito y de procesado suficientemente bajas para su compatibilidad con substratos flexibles. La irrupción del grafeno ha supuesto una apertura de posibilidades de desarrollo en el campo de la ciencia y tecnología de materiales. Específicamente, el campo de los electrodos transparentes, el grafeno supone el candidato ideal ya que su alta transmisión en el rango desde el UV hasta el MIR y la altísima movilidad de los portadores ofrecen la posibilidad de una mejora respecto al TCO por excelencia, el óxido de indio dopado con titanio (ITO). El principal obstáculo a vencer para la implementación del grafeno como electrodo transparente es la obtención a gran escala de grafeno de alta calidad. Para conseguir este objetivo existen diversas estrategias de síntesis.La exfoliación del grafito mediante oxidación y la posterior reducción del óxido de grafeno obtenido es un método extendido que aporta una gran facilidad de procesado y de implementación en dispositivos y, además, es escalable a nivel industrial. A pesar de ello, el proceso de reducción no es completo e implica la formación de defectos que lastran las propiedades originales del grafeno. En términos de investigación se está realizando un gran esfuerzo para minimizar los efectos del proceso oxidación-reducción y conseguir las propiedades de conducción y transparencia óptimas para su aplicación como electrodo transparente. Este trabajo se ha centrado por un lado en obtención de electrodos transparentes amorfos basados en óxido de zinc dopado con Al compatibles con la electrónica flexible y, por el otro, en el estudio y desarrollo de películas ultra-delgadas conductoras y transparentes basadas en óxido de grafeno. En este caso se empleó la vía química es decir partiendo de suspensiones de óxido de grafeno provenientes de la oxidación y exfoliación de grafito. Se obtuvieron las condiciones óptimas para la formación de películas continuas y homogéneas de pocas monocapas (2-10) y para su reducción. Se han estudiado y comparado los mecanismos de reducción química y térmica y se ha puesto de relieve la importancia del apilamiento de las monocapas de óxido de grafeno de las películas en sus propiedades. Desde el punto de vista tecnológico, se ha participado en la evaluación de las posibilidades de aplicación de una técnica de litografía que permite realizar motivos a escala micrométrica en un solo paso a las películas obtenidas, tanto de ZnO:Al como las basadas en óxido de grafeno. Se emplearon técnicas físicas de depósito, en particular “sputtering” asistido por magnetrón, para las películas de óxidos y metales mientras que para las películas de materiales relacionados con el grafeno se empleó la técnica de “spin coating” a partir de suspensiones. Se optimizaron los parámetros específicos de cada técnica de depósito para la obtención de los distintos materiales. Se emplearon diversas técnicas para la caracterización estructural y morfológica: difracción y reflectividad de rayos X, microscopía de fuerzas atómicas, microscopía óptica y elipsometría. La caracterización óptica, química y electrónica se realizó empleando espectroscopía Raman, de transmisión óptica y de rayos X (XPS). Para las medidas de conductividad eléctrica se puso a punto un sistema de micro-posicionadores que permite realizar medidas en contactos y áreas de decenas de micras.Beca/contrato FPI Ministero Economía y competitividadPeer reviewe