Compliance with EU Law: Why Do Some Member States Infringe EU Law More Than Others?

Why do some member states infringe EU law more than others? Based on the quantitative and qualitative analysis reported here, is not because of administrative capacity limitations, but because of political context, policy changes and deliberate opposition by member governments in order to maintain their independence. States in turn, are motivated by domestic politics to seek to avoid implementing EU law. Additionally, I find that richer countries violate the law more often than poorer countries. Further, member states infringe more than others because of a high number of institutional and coalitional veto players. These results suggest that member states are in the EU because the EU serves their national interest over collective ones. Finally, these results suggest new hypothesis. Member states that have a high level of public discontent with the EU are unlikely to tolerate the political costs of implementing EU legislation

Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds

El objetivo principal del presente trabajo es estudiar y explotar estructuras que presentan un gas bidimensional de electrones (2DEG) basadas en compuestos nitruros con alto contenido de indio. Existen muchas preguntas abiertas, relacionadas con el nitruro de indio y sus aleaciones, algunas de las cuales se han abordado en este estudio. En particular, se han investigado temas relacionados con el análisis y la tecnología del material, tanto para el InN y heteroestructuras de InAl(Ga)N/GaN como para sus aplicaciones a dispositivos avanzados. Después de un análisis de la dependencia de las propiedades del InN con respecto a tratamientos de procesado de dispositivos (plasma y térmicos), el problema relacionado con la formación de un contacto rectificador es considerado. Concretamente, su dificultad es debida a la presencia de acumulación de electrones superficiales en la forma de un gas bidimensional de electrones, debido al pinning del nivel de Fermi. El uso de métodos electroquímicos, comparados con técnicas propias de la microelectrónica, ha ayudado para la realización de esta tarea. En particular, se ha conseguido lamodulación de la acumulación de electrones con éxito. En heteroestructuras como InAl(Ga)N/GaN, el gas bidimensional está presente en la intercara entre GaN y InAl(Ga)N, aunque no haya polarización externa (estructuras modo on). La tecnología relacionada con la fabricación de transistores de alta movilidad en modo off (E-mode) es investigada. Se utiliza un método de ataque húmedo mediante una solución de contenido alcalino, estudiando las modificaciones estructurales que sufre la barrera. En este sentido, la necesidad de un control preciso sobre el material atacado es fundamental para obtener una estructura recessed para aplicaciones a transistores, con densidad de defectos e inhomogeneidad mínimos. La dependencia de la velocidad de ataque de las propiedades de las muestras antes del tratamiento es observada y comentada. Se presentan también investigaciones relacionadas con las propiedades básicas del InN. Gracias al uso de una puerta a través de un electrolito, el desplazamiento de los picos obtenidos por espectroscopia Raman es correlacionado con una variación de la densidad de electrones superficiales. En lo que concierne la aplicación a dispositivos, debido al estado de la tecnología actual y a la calidad del material InN, todavía no apto para dispositivos, la tesis se enfoca a la aplicación de heteroestructuras de InAl(Ga)N/GaN. Gracias a las ventajas de una barrera muy fina, comparada con la tecnología de AlGaN/GaN, el uso de esta estructura es adecuado para aplicaciones que requieren una elevada sensibilidad, estando el canal 2DEG más cerca de la superficie. De hecho, la sensibilidad obtenida en sensores de pH es comparable al estado del arte en términos de variaciones de potencial superficial, y, debido al poco espesor de la barrera, la variación de la corriente con el pH puede ser medida sin necesidad de un electrodo de referencia externo. Además, estructuras fotoconductivas basadas en un gas bidimensional presentan alta ganancia debida al elevado campo eléctrico en la intercara, que induce una elevada fuerza de separación entre hueco y electrón generados por absorción de luz. El uso de metalizaciones de tipo Schottky (fotodiodos Schottky y metal-semiconductormetal) reduce la corriente de oscuridad, en comparación con los fotoconductores. Además, la barrera delgada aumenta la eficiencia de extracción de los portadores. En consecuencia, se obtiene ganancia en todos los dispositivos analizados basados en heteroestructuras de InAl(Ga)N/GaN. Aunque presentando fotoconductividad persistente (PPC), los dispositivos resultan más rápidos con respeto a los valores que se dan en la literatura acerca de PPC en sistemas fotoconductivos. ABSTRACT The main objective of the present work is to study and exploit the two-dimensionalelectron- gas (2DEG) structures based on In-related nitride compounds. Many open questions are analyzed. In particular, technology and material-related topics are the focus of interest regarding both InNmaterial and InAl(Ga)N/GaNheterostructures (HSs) as well as their application to advanced devices. After the analysis of the dependence of InN properties on processing treatments (plasma-based and thermal), the problemof electrical blocking behaviour is taken into consideration. In particular its difficulty is due to the presence of a surface electron accumulation (SEA) in the form of a 2DEG, due to Fermi level pinning. The use of electrochemical methods, compared to standard microelectronic techniques, helped in the successful realization of this task. In particular, reversible modulation of SEA is accomplished. In heterostructures such as InAl(Ga)N/GaN, the 2DEGis present at the interface between GaN and InAl(Ga)N even without an external bias (normally-on structures). The technology related to the fabrication of normally off (E-mode) high-electron-mobility transistors (HEMTs) is investigated in heterostructures. An alkali-based wet-etching method is analysed, standing out the structural modifications the barrier underwent. The need of a precise control of the etched material is crucial, in this sense, to obtain a recessed structure for HEMT application with the lowest defect density and inhomogeneity. The dependence of the etch rate on the as-grown properties is observed and commented. Fundamental investigation related to InNis presented, related to the physics of this degeneratematerial. With the help of electrolyte gating (EG), the shift in Raman peaks is correlated to a variation in surface eletron density. As far as the application to device is concerned, due to the actual state of the technology and material quality of InN, not suitable for working devices yet, the focus is directed to the applications of InAl(Ga)N/GaN HSs. Due to the advantages of a very thin barrier layer, compared to standard AlGaN/GaN technology, the use of this structure is suitable for high sensitivity applications being the 2DEG channel closer to the surface. In fact, pH sensitivity obtained is comparable to the state-of-the-art in terms of surface potential variations, and, due to the ultrathin barrier, the current variation with pH can be recorded with no need of the external reference electrode. Moreover, 2DEG photoconductive structures present a high photoconductive gain duemostly to the high electric field at the interface,and hence a high separation strength of photogenerated electron and hole. The use of Schottky metallizations (Schottky photodiode and metal-semiconductor-metal) reduce the dark current, compared to photoconduction, and the thin barrier helps to increase the extraction efficiency. Gain is obtained in all the device structures investigated. The devices, even if they present persistent photoconductivity (PPC), resulted faster than the standard PPC related decay values

Realización de una serie testimonial radiofónica sobre los mitos y leyendas de la comunidad negra de San Lorenzo

Este trabajo tenía como principal objetivo difundir por medio de una serie testimonial radiofónica los mitos y leyendas del cantón San Lorenzo de la Provincia de Esmeraldas para revitalizar la identidad cultural en los niños de etapa escolar del cantón, para cumplir con este objetivo, se realizó primero una investigación bibliográfica en la cual obtuvimos información tanto de la cultura afro como de los mitos y leyendas más conocidos en el cantón San Lorenzo, que nos sirvió para la elaboración del producto radial. A continuación procedimos con la investigación de campo, viajando hacia San Lorenzo donde recolectamos información acerca de los primeros simientes de la cultura afro en la Provincia, a través de entrevistas realizadas a personajes destacados del lugar, quienes por sus años de experiencia han sido importantes referentes del desarrollo cultural de la Provincia y su población. Una vez recopilada la información necesaria, procedimos a la realización de guiones que conjuntamente con nuestro director corregimos y mejoramos, al finalizar los guiones, decidimos viajar hacia la provincia de Esmeraldas y realizar el casting para la elección de las voces de la serie testimonial, listos los personajes continuamos con la grabación del producto. Posteriormente regresamos a la ciudad de Quito para realizar la producción final, musicalizando y ambientando nuestra serie. Al finalizar el producto viajamos hasta la ciudad de Esmeraldas, para validar el mismo; por los diversos acontecimientos de inseguridad que se han dado en el cantón San Lorenzo, como es de conocimiento público, no fue posible llegar hasta dicho lugar para presentar el producto a los niños con los que teníamos previsto trabajar, así que decidimos realizar la validación con unos niños del Cantón Río Verde. Después de escuchar el producto, procedimos a receptar las opiniones tanto de los niños (as) como de los maestros (as), después de lo cual realizamos los cambios adecuados al producto y se realizó la entrega del mismo a la Universidad

Modulation différentielle par la privation de sommeil des processus attentionnels frontaux et pariétaux: une étude de potentiels évoqués cognitifs

L’objectif de la présente étude visait à évaluer les effets différentiels de la privation de sommeil (PS) sur le fonctionnement cognitif sous-tendu par les substrats cérébraux distincts, impliqués dans le réseau fronto-pariétal attentionnel, lors de l’administration d’une tâche simple et de courte durée. Les potentiels évoqués cognitifs, avec sites d’enregistrement multiples, ont été prévilégiés afin d’apprécier les effets de la PS sur l’activité cognitive rapide et ses corrélats topographiques. Le matin suivant une PS totale d’une durée de 24 heures et suivant une nuit de sommeil normale, vingt participants ont exécuté une tâche oddball visuelle à 3 stimuli. L’amplitude et la latence ont été analysées pour la P200 et la N200 à titre d’indices frontaux, tandis que la P300 a été analysée, à titre de composante à contribution à la fois frontale et pariétale. Suite à la PS, une augmentation non spécifique de l’amplitude de la P200 frontale à l’hémisphère gauche, ainsi qu’une perte de latéralisation spécifique à la présentation des stimuli cibles, ont été observées. À l’opposé, l’amplitude de la P300 était réduite de façon prédominante dans la région pariétale pour les stimuli cibles. Enfin, un délai de latence non spécifique pour la N200 et la P300, ainsi qu’une atteinte de la performance (temps de réaction ralentis et nombre d’erreurs plus élevé) ont également été objectivées. Les résultats confirment qu’une PS de durée modérée entraîne une altération des processus attentionnels pouvant être objectivée à la fois par les mesures comportementales et électrophysiologiques. Ces modifications sont présentes à toutes les étapes de traitement, tel que démontré par les effets touchant la P200, la N200 et la P300. Qui plus est, la PS affecte différemment les composantes à prédominance frontale et pariétale.The objective of the present study was to assess the differential effects of sleep deprivation (SD) on cognitive functions relying on distinct cerebral networks, involved in the fronto-parietal attentional network, during a relatively simple and short cognitive task. Multi-sites recording event-related-potentials (ERP) were used in order to evaluate the effect of SD on rapid cognitive activity and its topographical correlates. The morning following a night of total SD and a night of sleep, 20 participants were administered a 3-stimuli visual oddball paradigm. Amplitudes and latencies of the P200 and N200 ERP components were analyzed as frontal indexes, whereas P300 was analyzed as a mixed frontal and parietal component. Following TSD, a non specific increase in P200 amplitude for the left hemisphere, as well as a loss of lateralisation in response to target stimuli, were observed. Contrarily, P300 amplitude was predominantly reduced in the parietal region in response to target stimuli. Moreover, N200 and P300 latencies were delayed non specific to the type of stimuli and performance (reaction time and accuracy) was altered. These results confirm the deleterious effect of a moderate duration SD on attention processes that can be objectified by means of behavioural and electrophysiological measures. Each stages of information processing was altered by SD, as shown by its effect on P2, N2 and P3 components. Moreover, SD affected differently components caracterized by a predominant frontal or parietal distribution

Compromiso organizacional y conductas de seguridad en operarios de una empresa almacenera de Cercado de Lima, 2021

La presente investigación tuvo como objetivo determinar la relación entre compromiso organizacional y conductas de seguridad en operarios de una empresa almacenera de Cercado de Lima, 2021. Se trabajó con la investigación tipo descriptivo correlacional, diseño no experimental. La muestra estuvo compuesta por 71 operarios, de ambos sexos entre los 20 y 60 años. Los instrumentos empleados fueron la Escala de compromiso organizacional de Meyer y Allen y la Escala de conductas de seguridad de Neal & Griffin. Los resultados demostraron que el compromiso organizacional y las conductas de seguridad se relacionan de manera directa y significativa (Rho=.371), asimismo, se evidenció que el compromiso organizacional se relaciona de manera positiva con las dimensiones de las conductas de seguridad, expresados en cumplimiento de seguridad (Rho=.383) y participación en seguridad (Rho=.318), de igual manera, se demostró que existe relación positiva entre las conductas de seguridad y las dimensiones del compromiso organizacional, expresados en compromiso afectivo (Rho=.256), compromiso continuidad (Rho=.194) y compromiso normativo (Rho=.338)

Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection

In the last decade the interest in nitride-based sensors (gas, ions...) and bio-sensors is increased. In the case of ion sensitive FET (ISFET), gate voltages induced by ions adsorbed onto the gate region modulate the source-drain currents

Effective treatment of threatening hemoptysis by ultraselective embolization: Experience of 50 cases

Cincuenta pacientes con diagnóstico de hemoptisis amenazante, 35 varones y 15 mujeres fueron referidos para manejo mínimamente invasivo. Tuberculosis y sus secuelas fueron las causas más frecuentes. Previa angiografía, 41 fueron sometidos a embolización arterial que fue exitosa, seis necesitaron una embolización adicional y cuatro requirieron dos embolizaciones extras; en uno no se realizó la embolización porque no se demostró sangrado activo. No hubo complicaciones. Por tanto, la embolización arterial en estos casos es un procedimiento seguro y puede salvar vidas.Fifty patients with diagnosis of threatening hemoptysis, 35 men and 15 women were referred for minimally invasive management. Tuberculosis and its sequela were the most frequent causes. Prior angiography, 41 were subjected to arterial embolization, which was successful, six needed additional embolization and four required two extra embolizations; embolization was not performed in one because there was not active bleeding. There were no complications. Therefore, arterial embolization in these cases is a safe procedure and can save lives

Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection

The pH response of GaN/AlInN/AlN/GaN ion-sensitive field effect transistor (ISFET) on Si substrates has been characterized. We analyzed the variation of the surface potential (ΔVsp/ΔpH) and current (ΔIds/ΔpH) with solution pH in devices with the same indium content (17%, in-plane lattice-matched to GaN) and different AlInN thickness (6 nm and 10 nm), and compared with the literature. The shrinkage of the barrier, that has the effect to increase the transconductance of the device, makes the 2-dimensional electron density (2DEG) at the interface very sensitive to changes in the surface. Although the surface potential sensitivity to pH is similar in the two devices, the current change with pH (ΔIds/ΔpH), when biasing the ISFET by a Ag/AgCl reference electrode, is almost 50% higher in the device with 6 nm AlInN barrier, compared to the device with 10 nm barrier. When measuring the current response (ΔIds/ΔpH) without reference electrode, the device with thinner AlInN layer has a larger response than the thicker one, of a factor of 140%, and that current response without reference electrode is only 22% lower than its maximum response obtained using reference electrode