Atomically Sharp Interface in an h-BN-epitaxial graphene van der Waals Heterostructure

International audienceStacking various two-dimensional atomic crystals is a feasible approach to creating unique multilayered van der Waals heterostructures with tailored properties. Herein for the first time, we present a controlled preparation of large-area h-BN/graphene heterostructures via a simple chemical deposition of h-BN layers on epitaxial graphene/SiC(0001). Van der Waals forces, which are responsible for the cohesion of the multilayer system, give rise to an abrupt interface without interdiffusion between graphene and h-BN, as shown by X-ray Photoemission Spectroscopy (XPS) and direct observation using scanning and High-Resolution Transmission Electron Microscopy (STEM/HRTEM). The electronic properties of graphene, such as the Dirac cone, remain intact and no significant charge transfer i.e. doping, is observed. These results are supported by Density Functional Theory (DFT) calculations. We demonstrate that the h-BN capped graphene allows the fabrication of vdW heterostructures without altering the electronic properties of graphene

Graphene and beyond for heterojunctions - Research opportunities

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Probing and Modulation of the electronic properties of graphene for heterostructures

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Microcapteurs de rayonnement infrarouge en technologie silicium

La demande de microradiomètres infrarouge affiche une croissance importante. Des secteurs tels que l'électroménager et l'automobile sont parmi les plus importants consommateurs. Cependant, il n'existe pas de grande variété de microcapteurs thermiques sur le marché et ceux-ci présentent encore un coût élevé. C'est pourquoi, dans le cadre de cette thèse, nous nous sommes attaché à réaliser une nouvelle génération de microcapteurs compétitive en technologie silicium. Un modèle analytique intégrant l'ensemble des propriétés physiques et des paramètres technologiques du microcapteur a été développé de manière à extraire le meilleur compromis de fabrication. Pour améliorer la précision de calcul et compte tenu de la diversité des valeurs contenues dans les bases de données, l'accent a été porté sur la caractérisation des matériaux entrant dans la constitution du microradiomètre. Nous avons donc quantifié le pouvoir thermoélectrique du polysilicium dopé Bore et Phosphore constituant la thermopile ainsi que l'absorptivité de l'absorbant infrarouge. L'exploitation des résultats ainsi que les solutions technologiques apportées dans le cadre du projet INTERLAB nous ont permis d'entreprendre la fabrication de deux prototypes de surface 6*5 et 3*3mmcarré. Bien que ces prototypes soient sous certaines conditions perturbés par les phénomènes de convection et de conduction gazeuse, les performances obtenues en terme de sensibilité à l'éclairement énergétique SindiceE sont nettement supérieures aux réalisations antérieures. De plus les perspectives apportées par la modélisation permettent d'envisager la radiation de microradiomètres insensibles aux signaux parasites dus à la convection et la conduction gazeuse. Les réalisations effectuées ont suscité l'intérêt de PME des secteurs de l'automobile et du textile ainsi que d'un leader mondial de l'électroménager.LILLE1-BU (590092102) / SudocSudocFranceF

Raman spectroscopy on Bi and Trilayer flakes of graphene

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