Valence-band offsets of strained heterojunction ZnS/ZnSe

采用基于lMTO-ASA的平均结合能计算方法，研究了在znSXSE1-X衬底上沿（001）方向外延生长的应变层异质结znS/znSE的价带带阶值。研究表明，应变的结果使价带带阶随衬底组分（X）的变化呈非线性且单调的关系；与其他理论计算和实验结果比较，本文的计算结果比较理想The valence-band offsets (VBO) of strained heterojunction ZnS/ZnSe as a function of the alloy composition x of ZnS x Se 1- x substrates are studied using the average-bond-energy theory based on LMTO-ASA method.It is shown that the strain leads to the nonlinear and monotonous variation of VBO's with x .The calculation results are more desirable compared with the theoretical and experimental data previously reported.国家和福建省自然科学基

VALENCE BAND ofFSETS of TERNARY ALLOY HETEROJUNCTIONS (AlP) x (Si 2) 1-x /GaP AND (GaP) x (Si 2) 1-x /GaP

采用基于lMTOASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了两组晶格匹配三元合金异质结（AlP）X（SI2）1-X/gAP和（gAP）X（SI2）1-X/gAP的价带带阶ΔEV（X）值。研究表明，两组异质结的ΔEV（X）值随合金组分X的变化都是非线性的，且表现出非单调的关系。The valence band ofFsets Δ E v(x) as a Function of the alloy compositon x of two typical lattice matched ternary alloy heterojunctions (AlP) x (Si 2) 1-x /GaP and (GaP) x (Si 2) 1-x /GaP are studied by using the average bond energy theory in conjunction with the cluster expansion method.It is shown that the variations of Δ E v(x) at (AlP) x (Si 2) 1-x /GaP and (GaP) x (Si 2) 1-x /GaP are nonlinear and non monotonous.The calculated results of Δ E v are in very good agreement with the data previously reported.国家和福建省自然科学基

正态分布近似式的研究

正态分布近似式的研究郑金成蔡淑惠王仁智郑永梅程灿东（厦门大学物理系，361005）正态分布是一种重要的概率分布，在许多情况下，简单的近似解析方程有助于问题的解决。通过将理论计算与数值模拟相结合的方法给出了一个较好的近似式。标准正态分布函数的形式为Φ（..

2008年度に徳島赤十字病院救命救急センターに糖尿病性低血糖性昏睡で入院した糖尿病患者21例の臨床的検討

2008年4月～2009年3月の間に，当院救命救急センターに入院した糖尿病性低血糖性昏睡21例（男10人：女11人）の臨床像を検討した．平均年齢は76.9±12.5（Mean±SD）歳，救急車要請時のJCS＞100が20人，JCS30が1人であった．来院時の血糖値は28.6±9.7mg／dl，回復に要した時間は17.5±12.6時間，使用したブトウ糖は101±67.5gであった．直近の治療薬が経口血糖降下薬（OHA）であった12人のHbA1c 5.7±1.0（JDS 値），インスリン（Ins）治療9人のHbA1c7.0±2.0％であった．OHA 群はIns 群よりも年齢が高かった．発現状況や危険因子では，糖尿病治療薬に対する知識不足14人，食事摂取の減少13人，低血糖の既往8人，健忘症8人，労作過多6人，飲酒2人で，危険因子の重複している例が多かった

Valence offsets at Ternary Alloy Heterojunctions (GaAs )_x (Ge_2 )_(1-x)/GaAs, (AlAs )x_ (Ge_2 ) _(1-x)/GaAs and Al_xGa_(1-x)As/GaAs

采用基于lMTO-ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（gAAS）X（gE2）1-X/gAAS，（AlAS）X（gE2）1-X/gAAS和AlXgA1-XAS/gAAS的价带带阶△EV（X）值。研究表明：AlXgA1-XAS/gAAS异质结的MV（X）值随合金组分X的变化接近于线性；（gAAS）X（gE2）1-X/gAAS和（AlAS）X（gE2）1-X/gAAS的△EV（X）值随合金组分X的变化是非线性的。△EV（X）的理论计算值与实验结果相当符合。In this paper, the valence-band offsets △Ev(x) as a function of thealloy composition x of three typical lattice-matched ternary alloy heterojunctions(GaAs )x (Ge2 )_(1-x)/GaAs, (AlAs )x (Ge2 )1-x/GaAs and AlxGa1-x As/GaAs arestudied,using the average-bond-energy theory in conjunction with a cluster expansion method.It is shown that the variation of △Ev (x) for AlxGa1-xAs/GaAs is nearlinear, while the variations of 3E.(x ) at (GaAs ).(Ge2 )1-x/GaAs and (AlAs )x(Ge2 )1-x/GaAs are nonlinear.The calculation results are in very good agreementwith relevant experimental data.国家和福建省自然科学基金;厦门光电子公司工业部的资

VALENCE BOND ofFSETS of STRAINED HETEROJUNCTION ZnS/ZnSe, ZnS/ZnS x Se 1- x AND ZnSe/ZnS x Se 1- x

采用基于原子球近似下线性MufIn-TIn轨道（lMTO-ASA）的平均键能计算方法，研究了以znSXSE1-X为衬底，沿（001）方向外延生长的应变层异质结znS/znSE、znS/znSXSE1-X和znSE/znSXSE1-X的价带带阶值ΔEV（X）.研究表明，ΔEV（X）值随衬底合金组分X单调变化.且两者的关系是非线性的.在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好.The valence band offset Δ E v( x ) at strained ZnS/ZnSe, ZnS/ZnS x Se 1- x and ZnSe/ZnS x Se 1- x (001) interfaces as a function of the alloy composition x of ZnS x Se 1- x substrates are studied, usting the average bond energy theory based on LMTO ASA method.It is shown that the variation of Δ E v (x) with x is monotonous and nonlinear to some extent.The calculation results are rather good compared with the theoretical and experimental data previously reported.国家和福建省自然科学基金;国家教委博士点专项基

Studies on the Band Structure of CrC

采用lMTO-ASA方法研究了CrC的能带结构，对引起SIngH与zHukOV等人计算结果差异的原因进行了探讨.结果表明，特殊k点数的选取对计算结果有较大影响，而在原子球间隙区添加空原子球有助于改善计算结果The band structure of CrC is calculated by using LMTO ASA method.The reasons which lead to the diFFerent results are investigated.The results indicated that the number of special k-points used in calculation has pronounced inFluences on the results.By the addition of empty atomspheres, the calculated results can be greatly improved

共沉淀法制备LiNi_(1-x-y)Co_xMn_yO_2正极材料工艺条件探究

共沉淀法可高效、低能耗制备出较高纯度的球形层状Li Ni1-x-yCoxMnyO2正极材料,广泛应用于基础研究和工业生产中,主要包括液相共沉淀及高温煅烧过程。对这两个过程中涉及的机理进行了阐述,并分析相关影响因素,考察了共沉淀制备前体这个关键步骤中颗粒成核过程以及Ni、Co、Mn 3种金属离子发生的络合及沉淀反应。通过建立的反应和热力学平衡方程,分析未沉淀的3种金属离子及其相互之间比值随pH和氨水加入量的二维变化,首次定量得出制备所需Ni、Co、Mn配比三元正极材料的理论最佳条件。此外,从前体及正极材料的结构特性以及最终材料的电化学活性出发,定性探究了最优操作条件。最后,展望了三元正极材料工艺条件优化的科学方法。</p