12 research outputs found

    硅基锗材料生长与高效发光

    No full text

    亚微米波导型Ge量子阱电光调制器

    No full text
     一种亚微米波导型Ge量子阱电光调制器,包括:一SOI衬底,该SOI衬底包括一硅衬底,一制作在硅衬底上的二氧化硅层和制作在二氧化硅层上的硅波导层,该硅波导层的宽度小于二氧化硅层的宽度;一缓冲层,该缓冲层制作在SOI衬底上面的硅波导层的中间部位,该缓冲层的长度小于硅波导层的长度;一虚衬底,该虚衬底制作在缓冲层上;一有源区,该有源区制作在虚衬底的上面;一盖层,该盖层制作在有源区的上面,所述的缓冲层、虚衬底、有源区和盖层构成调制区,该调制区和SOI衬底上的硅波导层的宽度均为亚微米量级

    一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法

    No full text
    本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法,包括以下步骤:步骤1:在一外延生长装置中置入硅衬底;步骤2:在硅衬底上生长锗缓冲层;步骤3:在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底,锗的原子组分大于0.5且小于1

    用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构

    No full text
    用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500-1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光

    外延生长Gel-xSnx合金的研究进展

    No full text
    Ge_1-xSn_x是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝.采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差.采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge_1-xSn_x合金,但是所用的Sn气体源难以获得.综述了Ge_1-xSn_x合金外延生长的研究进

    GeSn合金的外延生长方法

    No full text
    一种GeSn合金的外延生长方法,包括如下步骤:步骤1:将一Sn固体金属作为Sn源材料置入真空腔的Sn固体源炉中;步骤2:将一衬底置入分子束外延源炉的真空腔的加热器上,对真空腔抽真空,对衬底加热;步骤3:对Sn固体金属加热,使Sn固体金属熔化,蒸发产生Sn的原子,打开挡板,使Sn原子到达衬底表面;步骤4:向分子束外延源炉的真空腔内通入含有Ge的化合物气体,使Ge原子淀积到衬底表面,完成GeSn合金的外延生长

    Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜

    No full text
    使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层, 在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge_(0.975) Sn_(0.025)合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明, Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜具有很好的晶体质量, 并且没有发生Sn表面分凝.另外, Ge_(0.975)_Sn_(0.025)合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性, 有望在Si基光电器件中得到应

    硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管

    No full text
    目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输; 通过外延高质量的锗薄膜, 实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器; 调制速率高达30 GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报

    在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法

    No full text
    本发明提供一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法,包括如下步骤:步骤1:在Si衬底上生长一层第一Ge材料层;步骤2:在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层;步骤3:在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层;步骤4:在第一GeSn合金层上生长一层第二GeSn合金层,完成材料的生长

    JUNO Sensitivity on Proton Decay pνˉK+p\to \bar\nu K^+ Searches

    Get PDF
    The Jiangmen Underground Neutrino Observatory (JUNO) is a large liquid scintillator detector designed to explore many topics in fundamental physics. In this paper, the potential on searching for proton decay in pνˉK+p\to \bar\nu K^+ mode with JUNO is investigated.The kaon and its decay particles feature a clear three-fold coincidence signature that results in a high efficiency for identification. Moreover, the excellent energy resolution of JUNO permits to suppress the sizable background caused by other delayed signals. Based on these advantages, the detection efficiency for the proton decay via pνˉK+p\to \bar\nu K^+ is 36.9% with a background level of 0.2 events after 10 years of data taking. The estimated sensitivity based on 200 kton-years exposure is 9.6×10339.6 \times 10^{33} years, competitive with the current best limits on the proton lifetime in this channel
    corecore