一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法

Abstract

本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于1