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Novel dual-threshold voltage FinFETs for circuit design and optimization
A great research effort has been invested on finding alternatives to CMOS that have better process variation and subthreshold leakage. From possible candidates, FinFET is the most compatible with respect to CMOS and it has shown promising leakage and speed performance. This thesis introduces basic characteristics of FinFETs and the effects of FinFET physical parameters on their performance are explained quantitatively. I show how dual- V th independent-gate FinFETs can be fabricated by optimizing their physical parameters. Optimum values for these physical parameters are derived using the physics-based University of Florida SPICE model for double-gate devices, and the optimized FinFETs are simulated and validated using Sentaurus TCAD simulations. Dual-14, FinFETs with independent gates enable series and parallel merge transformations in logic gates, realizing compact low power alternative gates with competitive performance and reduced input capacitance in comparison to conventional FinFET gates. Furthermore, they also enable the design of a new class of compact logic gates with higher expressive power and flexibility than CMOS gates. Synthesis results for 16 benchmark circuits from the ISCAS and OpenSPARC suites indicate that on average at 2GHz and 75°C, the library that contains the novel gates reduces total power and the number of fins by 36% and 37% respectively, over a conventional library that does not have novel gates in the 32nm technology
Dual-Vth Independent-Gate FinFETs for Low Power Logic Circuits
This paper describes the electrode work-function,
oxide thickness, gate-source/drain underlap, and silicon thickness
optimization required to realize dual-Vth independent-gate
FinFETs. Optimum values for these FinFET design parameters
are derived using the physics-based University of Florida SPICE
model for double-gate devices, and the optimized FinFETs are
simulated and validated using Sentaurus TCAD simulations.
Dual-Vth FinFETs with independent gates enable series and
parallel merge transformations in logic gates, realizing compact
low power alternative gates with competitive performance and
reduced input capacitance in comparison to conventional FinFET
gates. Furthermore, they also enable the design of a new class of
compact logic gates with higher expressive power and flexibility
than conventional CMOS gates, e.g., implementing 12 unique
Boolean functions using only four transistors. Circuit designs
that balance and improve the performance of the novel gates
are described. The gates are designed and calibrated using
the University of Florida double-gate model into conventional
and enhanced technology libraries. Synthesis results for 16
benchmark circuits from the ISCAS and OpenSPARC suites
indicate that on average at 2GHz, the enhanced library reduces
total power and the number of fins by 36% and 37%, respectively,
over a conventional library designed using shorted-gate FinFETs
in 32 nm technology
Cross-Layer Resiliency Modeling and Optimization: A Device to Circuit Approach
The never ending demand for higher performance and lower power consumption pushes the VLSI industry to further scale the technology down. However, further downscaling of technology at nano-scale leads to major challenges. Reduced reliability is one of them, arising from multiple sources e.g. runtime variations, process variation, and transient errors. The objective of this thesis is to tackle unreliability with a cross layer approach from device up to circuit level
Design for Reliability and Low Power in Emerging Technologies
Die fortlaufende Verkleinerung von Transistor-StrukturgröĂen ist einer der wichtigsten Antreiber fĂŒr das Wachstum in der Halbleitertechnologiebranche. Seit Jahrzehnten erhöhen sich sowohl Integrationsdichte als auch KomplexitĂ€t von Schaltkreisen und zeigen damit einen fortlaufenden Trend, der sich ĂŒber alle modernen FertigungsgröĂen erstreckt. Bislang ging das Verkleinern von Transistoren mit einer Verringerung der Versorgungsspannung einher, was zu einer Reduktion der Leistungsaufnahme fĂŒhrte und damit eine gleichbleibenden Leistungsdichte sicherstellte. Doch mit dem Beginn von StrukturgröĂen im Nanometerbreich verlangsamte sich die fortlaufende Skalierung. Viele Schwierigkeiten, sowie das Erreichen von physikalischen Grenzen in der Fertigung und Nicht-IdealitĂ€ten beim Skalieren der Versorgungsspannung, fĂŒhrten zu einer Zunahme der Leistungsdichte und, damit einhergehend, zu erschwerten Problemen bei der Sicherstellung der ZuverlĂ€ssigkeit. Dazu zĂ€hlen, unter anderem, Alterungseffekte in Transistoren sowie ĂŒbermĂ€Ăige Hitzeentwicklung, nicht zuletzt durch stĂ€rkeres Auftreten von Selbsterhitzungseffekten innerhalb der Transistoren. Damit solche Probleme die ZuverlĂ€ssigkeit eines Schaltkreises nicht gefĂ€hrden, werden die internen Signallaufzeiten ĂŒblicherweise sehr pessimistisch kalkuliert. Durch den so entstandenen zeitlichen Sicherheitsabstand wird die korrekte FunktionalitĂ€t des Schaltkreises sichergestellt, allerdings auf Kosten der Performance. Alternativ kann die ZuverlĂ€ssigkeit des Schaltkreises auch durch andere Techniken erhöht werden, wie zum Beispiel durch Null-Temperatur-Koeffizienten oder Approximate Computing. Wenngleich diese Techniken einen GroĂteil des ĂŒblichen zeitlichen Sicherheitsabstandes einsparen können, bergen sie dennoch weitere Konsequenzen und Kompromisse.
Bleibende Herausforderungen bei der Skalierung von CMOS Technologien fĂŒhren auĂerdem zu einem verstĂ€rkten Fokus auf vielversprechende Zukunftstechnologien. Ein Beispiel dafĂŒr ist der Negative Capacitance Field-Effect Transistor (NCFET), der eine beachtenswerte Leistungssteigerung gegenĂŒber herkömmlichen FinFET Transistoren aufweist und diese in Zukunft ersetzen könnte. Des Weiteren setzen Entwickler von Schaltkreisen vermehrt auf komplexe, parallele Strukturen statt auf höhere Taktfrequenzen. Diese komplexen Modelle benötigen moderne Power-Management Techniken in allen Aspekten des Designs. Mit dem Auftreten von neuartigen Transistortechnologien (wie zum Beispiel NCFET) mĂŒssen diese Power-Management Techniken neu bewertet werden, da sich AbhĂ€ngigkeiten und VerhĂ€ltnismĂ€Ăigkeiten Ă€ndern.
Diese Arbeit prÀsentiert neue Herangehensweisen, sowohl zur Analyse als auch zur Modellierung der ZuverlÀssigkeit von Schaltkreisen, um zuvor genannte Herausforderungen auf mehreren Designebenen anzugehen. Diese Herangehensweisen unterteilen sich in konventionelle Techniken ((a), (b), (c) und (d)) und unkonventionelle Techniken ((e) und (f)), wie folgt:
Analyse von Leistungszunahmen in Zusammenhang mit der Maximierung von Leistungseffizienz beim Betrieb nahe der Transistor Schwellspannung, insbesondere am optimalen Leistungspunkt. Das genaue Ermitteln eines solchen optimalen Leistungspunkts ist eine besondere Herausforderung bei Multicore Designs, da dieser sich mit den jeweiligen Optimierungszielsetzungen und der Arbeitsbelastung verschiebt.
Aufzeigen versteckter Interdependenzen zwischen Alterungseffekten bei Transistoren und Schwankungen in der Versorgungsspannung durch âIR-dropsâ. Eine neuartige Technik wird vorgestellt, die sowohl Ăber- als auch UnterschĂ€tzungen bei der Ermittlung des zeitlichen Sicherheitsabstands vermeidet und folglich den kleinsten, dennoch ausreichenden Sicherheitsabstand ermittelt.
EindĂ€mmung von Alterungseffekten bei Transistoren durch âGraceful Approximationâ, eine Technik zur Erhöhung der Taktfrequenz bei Bedarf. Der durch Alterungseffekte bedingte zeitlich Sicherheitsabstand wird durch Approximate Computing Techniken ersetzt. Des Weiteren wird Quantisierung verwendet um ausreichend Genauigkeit bei den Berechnungen zu gewĂ€hrleisten.
EindĂ€mmung von temperaturabhĂ€ngigen Verschlechterungen der Signallaufzeit durch den Betrieb nahe des Null-Temperatur Koeffizienten (N-ZTC). Der Betrieb bei N-ZTC minimiert temperaturbedingte Abweichungen der Performance und der Leistungsaufnahme. Qualitative und quantitative Vergleiche gegenĂŒber dem traditionellen zeitlichen Sicherheitsabstand werden prĂ€sentiert.
Modellierung von Power-Management Techniken fĂŒr NCFET-basierte Prozessoren. Die NCFET Technologie hat einzigartige Eigenschaften, durch die herkömmliche Verfahren zur Spannungs- und Frequenzskalierungen zur Laufzeit (DVS/DVFS) suboptimale Ergebnisse erzielen. Dies erfordert NCFET-spezifische Power-Management Techniken, die in dieser Arbeit vorgestellt werden.
Vorstellung eines neuartigen heterogenen Multicore Designs in NCFET Technologie. Das Design beinhaltet identische Kerne; HeterogenitĂ€t entsteht durch die Anwendung der individuellen, optimalen Konfiguration der Kerne. Amdahls Gesetz wird erweitert, um neue system- und anwendungsspezifische Parameter abzudecken und die VorzĂŒge des neuen Designs aufzuzeigen.
Die Auswertungen der vorgestellten Techniken werden mithilfe von Implementierungen und Simulationen auf Schaltkreisebene (gate-level) durchgefĂŒhrt. Des Weiteren werden Simulatoren auf Systemebene (system-level) verwendet, um Multicore Designs zu implementieren und zu simulieren. Zur Validierung und Bewertung der EffektivitĂ€t gegenĂŒber dem Stand der Technik werden analytische, gate-level und system-level Simulationen herangezogen, die sowohl synthetische als auch reale Anwendungen betrachten
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Configurable Circuits Featuring Dual-Threshold-Voltage Design With Three-Independent-Gate Silicon Nanowire FETs
Silicon nanowire transistors with Schottky-barrier contacts exhibit both n-type and p-type characteristics under different bias conditions. Polarity controllability of silicon nanowire transistors has been further demonstrated by using an additional polarity gate. The device can be configured as n-type or p-type by controlling the polarity gate voltage. This paper extends this approach by using three independent gates and shows its interest to implement dual-threshold-voltage configurable circuits. Polarity and threshold voltage of uncommitted devices are determined by applying different bias patterns to the three gates. Uncommitted logic gates can thus be configured to implement different logic functions, targeting either high-performance or low-leakage applications. Dual-threshold-voltage design is thereby achievable through the use of a wiring scheme on an uncommitted pattern. With the polarity controllability of the three-independent-gate device, a range of logic functions is also obtained by replacing VDD and GND by complementary input signals. Synthesis results of ISCASâ85 and VTR sequential benchmark circuits with these devices show, before place and route, comparable performance and 51% reduction of leakage power consumption compared to 22-nm low-standby-power FinFET technology
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