Полупроводники в радиоэлектронике

В пособии рассматриваются физические основы полупроводниковой электроники. В первую очередь приведены общие сведения о полупроводниках и рассмотрены электрические процессы в p-n переходе. Далее представлены сведения об основных разновидностях диодов и транзисторов. Приведены схемы их включения и многочисленные примеры использования в радиоэлектронике. Сформулированы задания для самостоятельной работы. По собие предназначено для студентов физических специальностей и используется при изучении курсов «Радиотехнические цепи и сигналы», «Основы радиоэлектроники», «Электронные цепи»

Разработка организационно-технических направлений снижения себестоимости производства германия (на примере ОАО "Германий")

Текст работы публикуется с изъятиями

ЗАВИСИМОСТЬ СТРУКТУРЫ ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ СКОРОСТИ РЕКОМБИНАЦИИ МЕЖДУ ЗОНАМИ

This article researches the dependence of recombination processes that occur in semiconductors on the structure of semiconductor zones. The advantages of using faulty zonal semiconductors in the development of solar cells have been substantiated.This article researches the dependence of recombination processes that occur in semiconductors on the structure of semiconductor zones. The advantages of using faulty zonal semiconductors in the development of solar cells have been substantiated

Азия, Африка, Америка и Океания: методические материалы по дисциплине «Страноведение» (часть 2)

Приводятся основные сведения о природе, населении, культуре, специализации хозяйства макрорегионов Азии, Африки, Америки и Океании. Пособие предназначено для подготовки студентов к экзамену

Зонная теория твердого тела. Основные понятия и определения

В работе рассмотрены и изучены основные понятия Зонной теории твёрдого тела. . Зонная теория имеет границы применимости, которые исходят из трех основных предположений: а) потенциал кристаллической решетки строго периодичен; б) взаимодействие между свободными электронами может быть сведено к одноэлектронному самосогласованному потенциалу (а оставшаяся часть рассмотрена методом теории возмущений); в) взаимодействие с фононами слабое (и может быть рассмотрено по теории возмущений)