半導体産業のパラダイムシフトとイノベーションの停滞 : 戦略思考の視点から見たNECの混迷の本質

1990年代から現在まで日本の半導体産業の競争力が低下してきた大きな要因は、世界の半導体産業のパラダイムが大きな変貌を遂げているのに対して、日本の半導体産業は旧来の思考や制度の枠組みに埋没したままで、組織学習ができずに、戦略とビジネスモデルの進化がなく、ビジネス上のイノベーションが停滞していることである。日本企業は、世界的にみて成長分野で弱く、低成長分野・衰退分野で強い状況である。事例研究として主にロジック半導体に関して日本電気株式会社(以下NECという)をとり上げ、世界の半導体産業の特性や競争ルールが変化するなかで、経営政策、製品戦略が矛盾に陥っている状況を解明する。なぜ「バランス経営」が現状維持に陥り成長する製品・市場への注力を妨げ、「顧客志向のソリューション」がASSP(Application Specific Standard Product)などの製品革新を停滞させて、総合電機メーカーの全社経営が半導体事業のシステム志向を停滞させているかなどについて、半導体産業の様々な世界的変化を背景にして分析する。最後に、組織的に継続的な戦略学習に取り組む重要性を提言するとともに、日本の半導体産業のビジネス・イノベーションを促進するために、国際競争力のある高機能プロダクトを開発して、高成長のアジアを始めとする世界市場でマーケティングする必要性を指摘する。

ハイニックス半導体の再生 : ターンアラウンド理論の仮設・検証

Ⅰ 序論 : １ 問題意識 ２ 先行研究 Ⅱ ターンアラウンドの７つの要素による仮設の設定 Ⅲ ハイニックス半導体事例の仮設・検証 １ ハイニックス半導体の成長とターンアラウンド事例 ２ ハイニックス半導体事例の仮設・検証 Ⅳ 結

Study on High Efficiency of Silicon Power Semiconductors

九州工業大学博士学位論文 学位記番号:工博甲第350号　学位授与年月日:平成25年6月30日第1章 パワーエレクトロニクスの高効率化|第2章 パワー半導体の新しい理論性能と理論性能追求の課題|第3章 ダイナミック・パンチスルーによる低周波ノイズ|第4章 ダイナミック・アバランシェによる高周波ノイズ|第5章 Sパラメータによるパワー半導体のノイズ発生判定|第6章 シリコンパワー半導体の新しい設計アプローチ|第7章 シリコンパワー半導体の高効率化を可能にする新構造|第8章 結論九州工業大学平成25年

量子ドット半導体光増幅器内で発生する周波数チャープを用いた光信号再生器に関する研究

　近年，スマートフォンの急激な普及に伴い，今後のネットワークには伝送の高速化，省電力化が求められている．しかし，現在の信号処理部は主として電子回路により行われており，光-電気変換による消費電力の増大や電子デバイスの処理速度制限などがボトルネックとなっている．これらの問題を解決するために，データ信号を電気に変換することなく，光領域のまま処理を行う光信号処理技術に関する研究が盛んに行われている．中でも，高速・長距離伝送や信号処理によって強度揺らぎや波形歪みなどの劣化が生じてしまった光信号を，歪みの無い光信号に直すものとして，光信号再生器が重要な要素として挙げられている．　光信号処理デバイスとしては，低消費電力かつ小型で集積化が容易である半導体光増幅器が注目されている．さらに，新たな半導体光増幅器として，量子ドット半導体光増幅器が近年注目を集めている．量子ドット半導体光増幅器は従来の半導体光増幅器と比較して，高利得かつ広い利得帯域，高速な利得回復時間を持ち，より高速な光信号処理に応用可能である．しかし，量子ドット半導体光増幅器を含む半導体光増幅器では周波数チャープと呼ばれる現象が生じ，信号の立上がり及び立下がり時に搬送波周波数が変動する．これにより，信号品質の劣化や伝送距離の制限などが生じる． 本研究では，伝送時には問題として挙げられる周波数チャープを光信号処理に応用した新たな光信号再生器を提案する．周波数チャープの中でも入力パワーの変化に耐性を持つ高周波側へのチャープを，急峻なロールオフを持つ矩形波型のフィルタを用いてフィルタリングすることによって，歪んだ光信号を波形再生することを目指した．光信号再生器としての有効性を確認するため，実際に量子ドット半導体光増幅器を用いた実証実験を行い，結果として，雑音や波形歪みなどの信号再生に成功し，周波数チャープを用いた光信号再生器の有効性を実証した．電気通信大学201

高分子トランジスタを用いた内部ノイズを有するデバイスシステムにおける確率共鳴

学位記番号：理工博甲3

研究解説 : 化合物半導体の表面不活性化技術

GaAsあるいはGaP等の化合物半導体は，その電子的性質にSiにない特徴があり，マイクロ波あるいは光領域の能動素子として注目され，研究が進んでいる．本稿では化合物半導体技術を担う表面不活性化技術の現況を紹介し，著者らの進めている陽極酸化法を概説し，今後の応用と問題点について考える

Sn-Sb-Ni系高温鉛フリーはんだの機械的特性と接合特性に関する研究

学位記番号：理工博甲3

The Future of Power Modules

パワー半導体が自動車のパワートレインに使われて約20 年がたち，今では自動車用パワーモジュール技術がパワー半導体をリーディングしている．2030 年の社会を想像すると，現在研究されている様々な新しいアイデアのいくつかが実現し，従来の「クルマ」や「パワーモジュール」の延長線上にはない新しい技術や産業が形作られている可能性が高い．本稿では，2030 年の「クルマ」と，自動車用「パワーモジュール」についてフィクションの形式で予想し，その際重要になる技術について考察する

半導体産業とそのR&D―発展と変容―

早稲田大学創立125周年記念シンポジウム 半導体・ナノエレクトロニクス―技術立国日本のこれから― 2007年10月23日 早稲田大学国際会議場井深大記念ホー