Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon

Hydrogen gettering by buried layers formed in oxygen-implanted silicon (Si:O prepared by O²⁺ implantation at the energy 200 keV and doses 10¹⁴ and 10¹⁷ cm⁻²) was investigated after annealing of Si:O at temperatures up to 1570 K, including also processing under enhanced hydrostatic pressure, up to 1.2 GPa. Depending on processing conditions, buried layers containing SiO₂₋x clusters and/or precipitates were formed. To produce hydrogen-rich Si:O,H structures, Si:O samples were subsequently treated in RF hydrogen plasma. As determined using secondary ion mass spectrometry, hydrogen was accumulated in sub-surface region as well as within implantation-disturbed areas. It has been found that hydrogen was still present in Si:O,H structures formed by oxygen implantation with the dose D = 10⁷ cm⁻² even after post-implantation annealing up to 873 K. It is concluded that hydrogen accumulation within the disturbed areas in Si:O as well as in SOI structures can be used for recognition of defects

INTERACTIVE METHODS OF PREPARATION OF WORKERS IN THE CONDITIONS OF PRACTICE-ORIENTED TRAINING

В статье рассматриваются возможности использования интерактивных технологий в обучении рабочих в практико-ориентированной подготовкеThe article describes the possibility of using interactive technologies in the training of workers in practice-oriented trainin

Instructions-technological support of training of workers in the profession of welder in conditions of intra-firm training

The article deals with features of intra-firm training of students in the field of welding industry. Authors descriptions the effect of the learning process in the working profession in a particular situation of the use the maps, when maps are provided with all the jobs of students. This allows students to regularly, independently of other students, refer to the instructions contained in the instructions in the processВ статье рассмотрены особенности внутрифирменной подготовки студентов в области сварочного производства. Описан эффект управления процессом обучения по рабочей профессии в конкретной ситуации, а также организация применения карт, когда картами обеспечены все рабочие места обучаемых. Это позволяет студентам регулярно, независимо от других обучающихся, обращаться к указаниям, содержащимся в инструкции в процессе работ

Organizational and pedagogical activity of the teacher in training at the training center of the enterprise

In the article presents a system of methodological principles and organizational and pedagogical conditions aimed at the formation of a high level of knowledge of students in the working profession in the working profession. Authors descriptions of learning process including: the resources of educational, scientific and industrial structuresВ статье представлена система методических принципов и организационно-педагогических условий, направленных на формирование высокого уровня знаний обучающихся по рабочей профессии в условиях производственной среды наукоемких производств. Приведено описание процесса обучения, включающего ресурсы образовательных, научных и производственных структур, позволяющих обеспечить участие обучающихся по рабочей профессии в научно-инновационной деятельност

Silicon Powder-Based Wafers for Low-Cost Photovoltaics: Laser Treatments and Nanowire Etching

In this study, laser-treated polycrystalline Si (pc-Si) wafers, fabricated by wire sawing of hot-pressed ingots sintered from Si powder, have been investigated. As-cut wafers and those with high-quality thin Si layers deposited on top of them by e-beam have been subjected to laser irradiation to clarify typical trends of structural modifications caused by laser treatments. Moreover, possibility to use laser-treated Si powder-based substrates for fabrication of advanced Si structures has been analysed. It is established that (i) Si powder-based wafers with thicknesses 180 μm can be fully (from the front to back side) or partly (subsurface region) remelted by a diode laser and grain sizes in laser-treated regions can be increased; (ii) a high-quality top layer can be fabricated by crystallization of an additional a-Si layer deposited by e-beam evaporation on top of the pc-Si; and (iii) silicon nanowires can be formed by metal-assisted wet chemical etching (MAWCE) of polished Si powder-based wafers and as-cut wafers irradiated with medium laser power, while a surface texturing on the as-cut pc-Si wafers occur, and no nanowires can form in the region subject to a liquid phase crystallization (LPC) caused by high-power laser treatments

Defects in high temperature and high pressure processed Si:N revealed by deuterium plasma treatment

Deuterium is accumulated by defects in nitrogen-implanted silicon (Si:N). This effect is investigated for Si:N processed at HT ≤ 1400 K, also under enhanced hydrostatic pressure, HP ≤ 1.1 GPa. Si:N was prepared from Czochralski grown silicon by N₂⁺ implantation at E = 140 keV with nitrogen doses, DN = 1–1.8•10¹⁸ cm⁻². Si:N was subsequently processed in RF deuterium plasma to prepare Si:N,D. Si:N and Si:N,D were investigated by Transmission Electron Microscopy (TEM), X-ray and Secondary Ion Mass Spec- trometry (SIMS) methods, also after additional annealing at 723 K. In heavily implanted Si:N (DN = 1.8•1010¹⁸ cm⁻²), plasma treatment leads to deuterium pile up to сD1 = 2•10²¹ cm⁻³ at a depth, d = 50 nm, while, at d = 80–250 nm, deuterium concentration is practically constant with сD2 = 1•10²¹ cm⁻³. This suggests dominating accumulation of deuterium within the bubble-containing areas. Determination of deuterium depth profiles in Si:N,D can reveal implantation- and processing-induced defects.В работе рассмотрены эффекты влияния обработки температурным отжигом (до 1400 K) и гидростатическим давлением (до 1.1 GPa) на дефектный состав SOI-структур (silicon-on-insulator) на основе образцов Si:N – материала, широко используемого в полупроводниковых технологиях. Были получены новые данные, свидетельствующие об образовании скрытых дефектосодержащих слоев в образцах кремния, имплантированного азотом, и подвергнутых обработке высокими температурами и давлениями. Такие структуры становятся центрами абсорбции дейтерия из плазмы – его накопление и распределение внутри образца зависят от микроструктуры материала. Таким образом, показано, что обработка в дейтериевой плазме с дальнейшим определением концентрационных профилей по глубине образца может быть полезной для оценки микроструктурыУ роботі розглянуто ефекти впливу обробки температурним відпалом (до 1400 K) і гідростатичним тиском (до 1.1 GPa) на дефектний склад SOI-структур (silicon-oninsulator) на основі зразків Si:N – матеріалу, широко використовуваного в напівпровідникових технологіях. Було отримано нові дані, що свідчать про утворення прихованих дефектовміщуючих шарів в зразках кремнію, імплантованого азотом, підданих обробці високими температурами та тиском. Такі структури стають центрами абсорбції дейтерію з плазми – його накопичення і розподіл усередині зразка залежать від мікроструктури матеріалу. Таким чином, показано, що обробка в дейтерієвій плазмі з подальшим визначенням концентраційних профілів по глибині зразка може бути корисною для оцінки мікроструктури Si:N-зразка, особливо зважаючи на потенційну застосовність в SOI-технологіях

Formation of mentoring activity of students of a vocational pedagogical university in the process of passing pedagogical practice

Изучена роль наставнической деятельности будущих педагогов профессионального обучения, описаны способы ее формирования в процессе прохождения педагогической практики. В результате проведенного исследования установлено, что педагогическая практика может быть рассмотрена как одно из условий создания среды, способствующей формированию наставнической деятельности. Предложен вариант создания среды для будущего наставника на основе процесса моделирования. Уточнены понятия «наставническая деятельность в условиях педагогической практики» и «модель подготовки наставника».The role of mentoring activity of future teachers of vocational training has been studied; the ways of its formation in the whole period of educational practice have been described. As a result of the conducted research, it was found that pedagogical practice can be considered as one of the conditions for creating an environment conducive to the formation of mentoring activities. The article offers a variant of creating an environment for a future mentor based on the modeling process. The concepts of "mentoring activity in the conditions of pedagogical practice" and "mentor training model" are clarified

Strain-induced modulation of band structure of silicon

acceptedVersio