Sponge-like nanostructured silicon for integrated emitters

A new approach to nanoporous silicon formation is proposed. Anomalies both in low current densities and low fluorine ion concentrations, which is lead to low uniformity of formed porous silicon, are under consideration. It is shown that at very low current densities and fluorine ion concentration high uniformity, high porosity nanoporous silicon layers can be created. Structural, electrical and optical properties of porous silicon formed in a wide range of current densities, doping levels of silicon substrates and fluorine concentrations are presented

АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА

In order to develop a technology for the growth of Al(Ga)N-based heterostructures, the effect of different molecular beam epitaxy growth conditions on the properties of AlN and AlGaN layers was studied. The optimal conditions for the growth of AlN buffer layers were established, which made it possible to achieve a root mean square roughness as small as 0.7 nm. It was shown that an increase of AlN layer thickness leads to a decrease of density of edge dislocations, while no explicit dependence of the screw dislocation densityon the layer thickness was observed. The minimal obtained dislocations density values for 1.25μm-thick AlN layer were nedges = 5.9×109 cm-2 and nscrew = 2.2×107 cm-2 for edge and screw dislocations respectively. As a result of optimization of the AlGaN growth temperature, a series of 0.15μm-thick layers was grown, which showed stimulated emission at wavelengths λ = 330 nm, 323 nm, 303 nm, and 297 nm with threshold powerdensities of 0.7 MW/cm2, 1.1 MW/cm2, 1.4 MW/cm2 and 1.4 MW/cm2, respectively. The determined optimal epitaxy conditions for AlN and AlGaN layers were used to grow the AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure on a sapphire substrate with two-dimensional electron gas, which had a mobility of 1950 cm2/(Vs) at a concentration of 1.15×1013 cm-2. The obtained results are important for creating of nitride-basedUV-emitting optoelectronic semiconductor devices, as well as high-power and high-frequency electronic devices.В работе с целью разработки технологии роста гетероструктур на основе Al(Ga)Nисследовалось влияние различных условий роста гетероструктур молекулярно-пучковой эпитаксией на свойства слоев AlN и AlGaN. Были установлены условия для роста буферных слоев AlN, которые позволили достигнуть среднеквадратичного значения величины шероховатостей 0,7 нм. Показано, что увеличение толщины слоя AlN приводит к уменьшению плотности краевых дислокаций, в то время как явной зависимости плотности винтовых дислокаций от толщины слоя не наблюдалось. Минимальные полученные значения плотности проникающих дислокаций для слоя AlN толщиной 1,25 мкм составили nкраев. = 5,9×109 см-2 и nвинт. = 2,2×107 см-2. В результате оптимизации температуры роста AlGaN была выращена серия слоев толщиной 0,15 мкм, показавших стимулированное излучение на длинах волн λ = 330 нм, 323 нм, 303 нм и 297 нм с пороговыми плотностями мощности 0,7 МВт/см2, 1,1 МВт/см2, 1,4 МВт/см2 и 1,4 МВт/см2 соответственно. Установленные условия эпитаксии слоев AlN и AlGaN на подложках сапфира были использованы для роста транзисторной структуры AlGaN/GaN на подложке сапфира с двумерным электронным газом, который имел подвижность 1950 см2/(Вс) при концентрации 1,15×1013 см-2. Полученные результаты важны для создания излучающих оптоэлектронных полупроводниковых приборов, работающих в УФ области спектра, а также приборов силовой и высокочастотной электроники на основе нитридов

Оптические, механические и электрические характеристики теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа на основе оксида ванадия

Determination of optical, mechanical and electrical characteristics is one of the decisive factors in the design of instrumentation structures of thermal uncooled bolometer-type detectors (microbolometers). The paper presents the results of optimization calculations by means of computer simulation of absorption, transmittance and reflection spectra of device structures of microbolometers based on thermosensitive vanadium oxide film by finite-difference time-domain method (FDTD). The characteristics of the investigated microbolometer structure were checked for compliance with mechanical and electrical requirements for this class of devices.Определение оптических, механических и электрических характеристик является одним из решающих факторов при проектировании приборных структур тепловых неохлаждаемых детекторов болометрического типа (микроболометров). В статье представлены результаты оптимизационных расчетов посредством компьютерного моделирования спектров поглощения, пропускания и отражения приборных структур микроболометров на основе термочувствительной пленки оксида ванадия методом конечных разностей во временной области (англ. finite-difference time-domain, FDTD). Выполнена проверка на соответствие характеристик исследуемой структуры микроболометра механическим и электрическим требованиям, предъявляемым к данному классу приборов

Расчет оптических параметров тонких пленок конструкционных материалов теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа

The increased interest in utilizing uncooled thermal bolometer-type detectors (microbolometers) within the infrared or terahertz detection field is justified by their operational and technological characteristics, in particular: relatively low manufacturing cost, high detection efficiency, compatibility with silicon CMOS technology, and operation at room temperature. The performance of such detectors depends on optimizing critical parameters, which are dictated by both the geometrical design and the electrical, optical, and thermal properties of the materials used. The determination of optical parameters stands as a decisive factor in the design of microbolometer structures. This article delves into the examination of optical parameters of thin films of structural materials of microbolometer based on thermosensitive vanadium oxide film manufactured at JSC “INTEGRAL”. The investigation showcases the results of determining optical constants (refractive indexes n and absorption coefficients k) of thin films from the transmission curve by applying the reflection-transmission method. Furthermore, a comparison is carried out between the results of computer modeling of the transmission, reflection and absorption spectra – taking into account the obtained values of the coefficients n and k – and the empirical data from the in-situ experiment.Повышенный интерес к применению неохлаждаемых тепловых детекторов болометрического типа (микроболометров) в инфракрасном или терагерцовом поле обнаружения обоснован их эксплуатационными и технологическими характеристиками, в частности: относительно низкой стоимостью изготовления, высокой эффективностью обнаружения, совместимостью с кремниевой КМОП-технологией, работоспособностью при комнатной температуре. Характеристики таких детекторов зависят от оптимизации критических параметров, которые определяются геометрией конструкции, а также электрическими, оптическими и тепловыми свойствами применяемых материалов. Определение оптических параметров является одним из решающих факторов при проектировании приборных структур микроболометров. В статье исследованы оптические параметры тонких пленок конструкционных материалов микроболометра на основе термочувствительной пленки оксида ванадия, изготовленных в ОАО «ИНТЕГРАЛ». Приведены результаты определения посредством применения метода отражения-передачи оптических констант (коэффициентов преломления n и поглощения k) тонких пленок по кривой пропускания. Выполнено сравнение результатов компьютерного моделирования спектров пропускания, отражения и поглощения с учетом полученных значений коэффициентов n и k с данными натурного эксперимента

AMMONIA MOLECULAR BEAM EPITAXY OF AlGaN HETEROSTRUCTURES ON SAPPHIRE SUBSTRATES

In order to develop a technology for the growth of Al(Ga)N-based heterostructures, the effect of different molecular beam epitaxy growth conditions on the properties of AlN and AlGaN layers was studied. The optimal conditions for the growth of AlN buffer layers were established, which made it possible to achieve a root mean square roughness as small as 0.7 nm. It was shown that an increase of AlN layer thickness leads to a decrease of density of edge dislocations, while no explicit dependence of the screw dislocation densityon the layer thickness was observed. The minimal obtained dislocations density values for 1.25μm-thick AlN layer were nedges = 5.9×109 cm-2 and nscrew = 2.2×107 cm-2 for edge and screw dislocations respectively. As a result of optimization of the AlGaN growth temperature, a series of 0.15μm-thick layers was grown, which showed stimulated emission at wavelengths λ = 330 nm, 323 nm, 303 nm, and 297 nm with threshold powerdensities of 0.7 MW/cm2, 1.1 MW/cm2, 1.4 MW/cm2 and 1.4 MW/cm2, respectively. The determined optimal epitaxy conditions for AlN and AlGaN layers were used to grow the AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure on a sapphire substrate with two-dimensional electron gas, which had a mobility of 1950 cm2/(Vs) at a concentration of 1.15×1013 cm-2. The obtained results are important for creating of nitride-basedUV-emitting optoelectronic semiconductor devices, as well as high-power and high-frequency electronic devices

Coloured nanocapsules formation process by ink-jet printing

Разработан и исследован процесс формирования окрашенных капсул в пленках анодного оксида алюминия методом струйной печати. Получены окрашенные слои толщиной до 150 мкм с разрешением порядка 50 мкм, как на типографском алюминиевом листе, так и на фольге, приваренной анодной сваркой к стеклянной подложке, при частичном либо сквозном анодировании алюминия с последующим заполнением нанопор анодного оксида. Полученные таким образом окрашенные слои обладают исключительной термической и химической стойкостью. Описанный в настоящей статье низкотемпературный и достаточно дешевый процесс перспективен для организации массового производства дисплейных устройств и элементов электронной техники нового поколения с использованием высокопроизводительной "с рулона на рулон" (roll-to-roll) технологии.The coloured capsules formation process was developed and researched by ink-jet printing in a film of nanostructural anodic aluminum oxide. The coloured layers were obtained with thickness up to 150 m and resolution of about 50 m at partial and through aluminum anodizing with the follow- ing anodic oxide nanopores filling as on typographical aluminum as on foil welding to glass substrate. Thermal and chemical stability of the obtained coloured layers were obtained. This low-temperature inexpensive process is perspective for organization of mass display production and electronic technique elements of new generation with using of the highly productive of "roll-to-roll" technology

The impact of economic recession on company activities

Negative consequences of economic fluctuations and economic downturns influence the significance of research in this area. Results of such research allow providing insights and sugges¬tions for governments to make political-economic decisions. The article investigates the impact of slowing economy on enterprises, the reasons of fluctuations of economic cycles and their characteristics, phases of economic cycle: growth, peak, downturn and crisis. The article studies definition of slowing economy, its reasons, ratios, and inter-relationship between various ratios. Methodology of evaluating economic cycles is provided in the article. Article in Lithuanian. Lėtėjančios ekonomikos poveikis įmonių veiklai Santrauka  Didėjantys neigiami ekonominių svyravimų ir ekonomikos nuosmukio padariniai nulemia šioje srityje atliekamų tyrimų svarbą. Remiantis tyrimų rezultatais, pateikiamos įžvalgos ir pasiūlymai vyriausybės politiniams – ekonominiams sprendimams priimti. Straipsnyje nagrinėjamas lėtėjančios ekonomikos poveikis įmonėms, išgrynintos pagrindinės ekonomikos ciklų svyravimų priežastys ir jų charakteristikos. Nagrinėjamos ekonominio ciklo fazės: pakilimas, viršūnė, nuosmukis ir krizė. Analizuojama ekonomikos lėtėjimo samprata, priežastys, rodikliai ir įvairių ekonominių rodiklių sąveika. Taip pat pateikiama ekonominių ciklų vertinimo metodika. Reikšminiai žodžiai: ekonominiai ciklai, ciklo fazės, lėtėjimas, pakilimas, krizė, lėtėjimo rodikliai