Oder: Wie bastle ich mir meine eigenen Vergangenheiten?

Die Archäologie produziert möglichst inhaltlich, formal und methodologisch kohärentes Wissen über die Vergangenheit. Zugleich wird dies aber in jeweils bestehende personale Wissensbestände der ‚interessierten Öffentlichkeit‘ eingepasst und von archäologischer Seite jegliche auftretenden Sinnveränderungen als Missverständnisse oder Instrumentalisierung verstanden. Der Artikel fokussiert auf die Frage, warum auf personaler Ebene verschiedene Vergangenheitsvorstellungen konkurrieren können, ohne sich entweder beständig zu widersprechen und aufzuheben oder zu einem kohärenten Vergangenheitsbild zusammengefügt zu werden. Dazu wird Vergangenheit als Wissensraum verstanden, der sich mit den Raumvorstellungen von Henri Lefebvre und David Harvey analysieren lässt. Abschließend wird versucht, sich dem vielschichtigen Konstruktionsprozess des Wissensraumes Vergangenheit durch das Konzept der Bastelei/Bricolage nach Claude Lévi-Strauss zu nähern

Dinge

Verwendung des Begriffs 'Dinge' in verschiedenen Fachdiskursen

Finding their own way in a Jewish environment: the Letters (and Gospel) of John and the parting of the ways

The article asks whether in the Gospel of John and especially in the Epistles of John a separation of the Johannine communities from Judaism can already be discerned. It demonstrates on the basis of the relevant passages 1 John 2:18–25, 4:1–3 and 2 John 7 that the conflict with the competitors in the Epistles (which are set after the Gospel) is still fought out in the inner-Jewish sphere. While a separation from Judaism has not yet taken place, essential aspects concerning the formation of a distinctive identity are found in 1 John. This is evidenced by the conviction that Jesus is the Messiah of God, the forgiveness of sins, the group-specific application of the Torah, and the formation of a specific tradition. The last point recapitulates how 1 John undertakes a demarca- tion of its own group from the majority of Jews. We see the effort to find one’s own way within being Jewish

Comparative study of the growth of sputtered aluminum oxide films on organic and inorganic substrates

We present a comparative study of the growth of the technologically highly relevant gate dielectric and encapsulation material aluminum oxide in inorganic and also organic heterostructures. Atomic force microscopy studies indicate strong similarities in the surface morphology of aluminum oxide films grown on these chemically different substrates. In addition, from X-ray reflectivity measurements we extract the roughness exponent \beta of aluminum oxide growth on both substrates. By renormalising the aluminum oxide roughness by the roughness of the underlying organic film we find good agreement with \beta as obtained from the aluminum oxide on silicon oxide (\beta = 0.38 \pm 0.02), suggesting a remarkable similarity of the aluminum oxide growth on the two substrates under the conditions employed