Growth of Phosphazene Film Onto Undoped n-InP

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Stability of fast elaborated small CdS quantum dots

International audienceSmall size CdS QDs were synthesized by (i) the single source precursor methodology and by (ii) the microwave synthetic route. The consequences of CdS QD direct exposure to air for a period of 7 days were investigated by following the evolution of the photoluminescence (PL) and absortion spectra. For QDs obtained by (i), the excitonic emission band (3.0 ‑ 3.1 eV) decreases in intensity, relatively to the low energy one (2.2 ‑ 2.5 eV) tentatively associated to midgap surface states. This suggests arising of new recombination path(s) associated to degradations during aging, possibly an oxidative formation of a CdO surface layer. On the other hand, no significant change is observed in the absorption spectra. For QDs obtained by (ii), no degradation is revealed by the PL spectra which remain unchanged. On the other hand, the absorption spectra are dominated by an unexplained broad band around 3.6 eV which tends to hide the fundamental excitonic transition one and increases in intensity with aging

Investigating the optical behavior of electrochemically passivated highly doped n-InP with PPP nanofilm

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Hydrogen evolution reaction catalyzed by Mo2O2S2 thiosemicarbazone based complexes

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XPS chemical state mapping in opto- and microelectronics

International audienceDans le but d’approcher des compositions chimiques de surface de quelques millimètres carrés, l’imagerie XPS est un atout indéniable. Ces mesures de photoémission peuvent s’avérer utiles pour i) localiser avec confiance des objets micrométriques, ii) connaître la distribution spatiale des éléments constitutifs de la surface (cartographie élémentaire) et iii) différencier localement des environnements chimiques.Les différents modes d’acquisition d’images (snap map vs parallel imaging), développés grâce à la diminution des tailles de spot de rayons X (jusqu’à la dizaine de microns) ou l’utilisation conjointe d’une lentille et d’un détecteur 2D, ouvrent la porte à la caractérisation de motifs dans une large gamme d'applications industrielles et en particulier dans le domaine de la micro- optoélectronique. Les dimensions caractéristiques mises en jeu dans ce type de dispositifs nécessitent généralement une analyse sur des zones trop fines pour être caractérisées avec des outils traditionnels tels que la microscopie électronique à balayage couplée à de la spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie (MEB-EDS). Par ailleurs, le recours souvent nécessaire à des couches de passivation isolantes (oxydes, nitrures…) rend l’utilisation de la spectroscopie d’électrons Auger (AES) assez délicate à mettre en œuvre. Dans ces conditions, malgré une résolution latérale nettement plus faible, l’imagerie XPS avec un canon à neutralisation de charges s’avère être une technique de choix.Dans cette présentation, nous montrerons l’intérêt de la cartographie XPS dans le cadre de la structuration de matériaux III-V. En effet, il est rapporté que le traitement électrochimique anodique du phosphure d’indium (InP) dans NH3 liquide permet la croissance d’une couche ultramince de type polyphosphazène (PPP) en surface du semiconducteur1. L'extrême stabilité chimique de ce film d’épaisseur nanométrique en fait un matériau propice pour réaliser des masques pour la gravure humide d’InP2. La structuration du PPP grâce à des techniques de dépôt sélectif, étape clé dans le procédé technologique, sera démontrée par imagerie XPS des niveaux de cœur N1s et P2p (Figure 1).Par ailleurs, nous détaillerons l’apport de la cartographie XPS pour la caractérisation d’hétérostructures d’oxydes pérovskites, classe de matériaux prometteurs pour l’électronique du futur. L’imagerie XPS des niveaux de cœur Ti2p et V2p sur l’empilement (SrTiO3/SrVO3) met clairement en évidence les deux domaines (Figure 2). La cartographie XPS du niveau de cœur Sr3d sera discutée : le strontium étant commun aux deux oxydes et dans des environnements chimiques3,4 très proches

Chemistry and electronics of single layer MoS 2 domains from photoelectron spectromicroscopy using laboratory excitation sources

International audienceIn the recent context of emerging two‐dimensional (2D) materials, a comprehensive set of spatially resolved photoelectron spectroscopic techniques providing information ranging from surface chemical states to electronic band structure must be available at the practical level (i.e. from laboratory‐based instrumentation) for a better understanding of their outstanding properties. We highlight recent capabilities of X‐ray PhotoElectron Emission Microscopy (XPEEM) and reciprocal‐space VUV‐PEEM (kPEEM) for addressing this issue, with a report on microscopic analyses of chemical vapor deposited (CVD) molybdenum disulfide (MoS2) domains. These include band structure imaging with event‐counting detection allowing to perform angle‐resolved ultra‐violet photoelectron spectroscopy (ARUPS) in a parallel way with energy resolution of 200 meV and less, and k resolution of 0.05 Å−1

Chemical engineering of Cu(In,Ga)Se 2 surfaces: An absolute deoxidation studied by X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron spectroscopy signatures

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Surface reactivity of CIGS absorber on soda-lime and flexible substrates studied by XPS: a global approach of deoxidation, ageing and alkali elements distribution

International audienceCIGS based solar cells are still part of the most popular solar cells developed. A chemical study is presented here by using XPS measurements, characterizing the surface chemistry and reactivity, with a focus on deoxidation and further ageing products, among which binary compounds and oxides can be found. Different chemical treatments are also suggested to adjust the surface composition of CIGS materials and to determine the re-oxidation delay. A specific point will be also discussed about the comparative evolution of alkali element distribution during the ageing of conventional CIGS/glass and CIGS/flexible substrate systems, requiring in this case an external alkali source