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    中国式学科评估:问题与出路

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    今年四月份,教育部学位与研究生教育发展中心(以下简称"教育部学位中心")邀请全国学位授予单位参加全国第四轮一级学科整体水平评估。随之,各个高校展开了一场大规模、高级别的学科评估申报及材料提交总动员。第四轮学科评估自发布起也引发了学界的广泛关注和热烈讨论。高等教育是中国崛起的思想发动机,关涉民族复兴的未来,而学科评估是近年来中国高等教育学科建设成就的集中展示,其意义和影响可谓深远。为了更好推进学科评估科学进行,特别是促进高等教育健康发展,《探索与争鸣》编辑部邀请全国

    PVB超滤膜污染特性及其在MBR中的应用

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    采用连续制膜技术制备了平片式聚乙烯醇缩丁醛(PVB)超滤膜。该膜室温下平均纯水通量为0.02 L/(m2.h.Pa),对牛血清白蛋白(BSA)的平均截留率为25.0%(BSA水溶液质量浓度0.5 g/L)。通过终端过滤实验,以活性污泥混合液为处理对象,分析了PVB超滤膜过滤过程中的膜污染特性。结果表明:沉积层阻力占总过滤阻力的70%以上,是PVB膜过滤活性污泥混合液过程中污染阻力的主要组成部分;将制备的PVB超滤膜应用于好氧膜生物反应器(MBR)处理生活污水中,PVB-MBR系统在膜通量12 L/(m2.h)条件下运行105 d,期间未对膜进行任何人为清洗,系统抽吸压力能够在-16~-22 kPa间维持稳定,且系统出水的主要水质指标完全符合国家城镇污水处理厂污染物排放一级A的标准

    碳纳米管-膨胀石墨/环氧树脂复合材料的导热性能

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    在环氧树脂中添加多壁碳纳米管和膨胀石墨作为填料,以提高环氧树脂的导热性能.结果表明,添加0.5wt%多壁碳纳米管时,环氧树脂的最佳导热系数为0.3448 W/(m&times;K),比不添加时提高30%;添加0.75wt%羧基改性多壁碳纳米管时,环氧树脂的最佳导热系数为0.3813 W/(m&middot;K),比添不加时提高40%;同时添加多壁碳纳米管和膨胀石墨后,环氧树脂导热系数可进一步提高到0.4039 W/(m&middot;K),表明在环氧树脂中添加混合填料,二者可在环氧树脂中形成有效的导热网络,能进一步提高聚合物的导热性能.</p

    碳纳米管膨胀石墨环氧树脂复合材料的导热性能

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    在环氧树脂中添加多壁碳纳米管和膨胀石墨作为填料,以提高环氧树脂的导热性能.结果表明,添加0.5wt%多壁碳纳米管时,环氧树脂的最佳导热系数为0.3448 W/(m×K),比不添加时提高30%;添加0.75wt%羧基改性多壁碳纳米管时,环氧树脂的最佳导热系数为0.3813 W/(m×K),比添不加时提高40%;同时添加多壁碳纳米管和膨胀石墨后,环氧树脂导热系数可进一步提高到0.4039 W/(m×K),表明在环氧树脂中添加混合填料,二者可在环氧树脂中形成有效的导热网络,能进一步提高聚合物的导热性能

    介孔铁硅复合氧化物负载金对一氧化碳的低温催化氧化

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    基于体素的静息态fMRI 观察原发性失眠患者针刺治疗后 全脑度中心度的改变

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    :【目的】利用度中心度(DC)的方法探讨原发性失眠(PI)患者针灸治疗后静息态下脑功能网络连接属性的改 变。【方法】对29例PI患者及22例年龄、性别、受教育程度均匹配的健康对照组进行百会、四神聪、神门、三阴交等穴位行两 周针灸治疗后,行静息状态下的功能磁共振成像扫描,经预处理和后处理计算出全脑DC值图,采用双样本t 检验进行组间 比较,分别检测PI组与NC组间DC分布图间的统计学差异。【结果】与NC组相比,PI患者DC 值减低的脑区主要分布在右侧 颞中回、右侧海马、右侧豆状核、双侧海马旁回及左侧楔叶等区域。【结论】基于静息态功能MRI 数据的DC 分析观察到PI 患者在脑区间功能连接改变,DC作为一种新的基于体素水平描述脑网络属性的方法,可能对理解PI神经机制及观察其脑 网络属性的改变提供了一个新视角

    用于平面光波导的控温模块的设计与制作

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    研制了一种用于平面光波导(PLC)的控温模块。该模块采用比例微分积分(PID)控制回路控温,针对PLC控温特点,采用了优化模块的导热与散热,调整控温电路中的PID参数并采用H桥电流输出等方案对整个控温模块进行了优化设计。该模块体积小,长宽高分别为7cm×6cm×4cm;控温面积为3cm×3cm,适用于大尺寸的PLC芯片;控温范围广,从0~70℃;控温速率快、精度高,能将温度稳定到土0.15℃内

    (111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察

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    利用衍衬、SAED、HRTEM对在(111)Si上外延生长的六方GaN进行了观察分析。GaN外延层与缓冲层和基底的取向关系为(0001)_(GaN)∥(0001)_(AlN)∥(111)_(Si),[11(2-bar)0]_(GaN)∥[11(2-bar)0]_(AlN)∥[110]_(Si)。GaN外延层中存在倒反畴。GaN中位错以刃型位错为主。In_(0.1) Ga_(0.9) N/GaN的多重量子阱结构(MQW)具有阻挡穿透位错,降低位错密度的作用
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