ECAP制备纯Cu的热处理工艺与力学性能

Cu经过等径角挤压(ECAP)变形后,屈服强度达到了约400 MPa,然而加工硬化能力不足导致其在小应变阶段就开始颈缩(≤2%) 。研究发现,可以通过部分再结晶退火调控变形Cu的室温准静态拉伸性能。在275 ℃退火10 min后,其准静态拉伸强度和塑性得到了良好的匹配:在保持屈服强度为330 MPa的前提下,均匀伸长率达5%

短时退火对纳米层片结构低碳钢加工硬化的影响

通过准静态拉伸测试、显微硬度测试研究短时退火对含碳量为0.10%(质量分数)的纳米层片结构低碳钢加工硬化的影响,利用扫描电镜观察微观结构和断口形貌。结果表明:短时退火处理使轧制态10号钢试样软硬微区组织不均匀性增加,增强了加工硬化能力。随着退火温度升高,晶粒长大,层片结构不明显,导致加工硬化能力减弱

制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法

本发明公开了一种制作用于1.55微米通信波段的硅波导光电转换器的方法，包括:在SOI的顶层硅上刻蚀出直波导和环形波导，使二者相切或保持一定的耦合关系;在环形波导两侧分别注入或扩散V族和III族离子并退火，形成波导侧壁连续的n型和p型掺杂区，在环形波导表层构造横向p-i-n结构，并控制本征区i的宽度;向环形波导表面的本征区i内注入硅离子、银离子或氢离子，并退火，形成深能级缺陷;在n型和p型掺杂区表面、以及SOI材料背面分别蒸发金属电极，形成非带隙吸收、深能级电荷遂穿、波长可调的硅波导光电转换器。利用本发明，使硅波导p-i-n横向结构对1.55微米波段能够进行探测，并利用热效应来调节转换波长

半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究

应用电子显微镜首次在ZnTe外延膜中观察到分布在(111)和(-1-11)滑移面上、宽度为40nm的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错，其Burgers矢量为三个相同的a/6。在进行了各种衍衬的分析和模拟之后，这类三重位错带被证明是由两个部分重叠的层错组成的。它们的来源归结为两个相互垂直扩展的失配位错的“强制”反应

半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析

该项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察。在ZnT/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展，而且首次发现类似螺旋位错分解的层错，并将其归结为原子在不全位错之后的堆积

一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法

本发明公开了一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法，包括：步骤1：在弱n型Si衬底表面制绒，形成绒面；步骤2：在该绒面上制备具有杂质深能级的n型Si层；步骤3：在具有杂质深能级的n型Si层上覆盖p型半导体薄膜，与n型Si层形成pn结；步骤4：对形成pn结的掺杂Si片进行高温退火处理，以激活杂质；步骤5：在p型半导体薄膜上制备p电极，在n型Si层上制备第一n电极，在弱n型Si衬底下表面制备第二n电极。利用本发明，以实现Si对红外光的更多吸收；以实现对电池内建电场的调节，使其覆盖具有杂质深能级的n型Si层，从而分离该区域的光生电子—空穴对；以实现在杂质深能级上光生载流子的输出问题。从而提高了电池整体的光伏效率