一种低高频串扰的微带结构设计与实验研究

为了满足高频信号对400 Gbit/s光器件性能的要求,通过高频结构仿真软件HFSS建立、分析了三维电磁场模型,在分析电场分布的基础上,设计、研制了一种具有新的阻抗补偿结构的可降低高频串扰的微带线结构。实验测试和仿真结果均表明,使用这种微带线结构可以使串扰在0～60 GHz频率范围内小于-30 dB,能够满足高频信号对400 Gbit/s光器件性能的要求

钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器

采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW

钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性

采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用

适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质

研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质，采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构，器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性，实现了偏振灵敏度小于0.5 dB，100 mA偏置时可达0.1 dB。在较大的电流范围内，峰的半高全宽（FWHM）为40 nm

GH37合金表面激光熔凝后的显微组织

本文采用1KW横流CO_2激光器研究了在不同激光熔凝和后续热处理条件下GH37合金表层的显微组织特征,为激光快速熔凝技术在沉淀硬化型高温合金中的应用提供了一定的试验依据

室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器

报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65％

InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器

报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H~+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω

JUNO Sensitivity on Proton Decay p→νˉK+p\to \bar\nu K^+ Searches

The Jiangmen Underground Neutrino Observatory (JUNO) is a large liquid scintillator detector designed to explore many topics in fundamental physics. In this paper, the potential on searching for proton decay in $p\to \bar\nu K^+$ mode with JUNO is investigated.The kaon and its decay particles feature a clear three-fold coincidence signature that results in a high efficiency for identification. Moreover, the excellent energy resolution of JUNO permits to suppress the sizable background caused by other delayed signals. Based on these advantages, the detection efficiency for the proton decay via $p\to \bar\nu K^+$ is 36.9% with a background level of 0.2 events after 10 years of data taking. The estimated sensitivity based on 200 kton-years exposure is $9.6 \times 10^{33}$ years, competitive with the current best limits on the proton lifetime in this channel