MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究

报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1×10~(13)cm~(-3)＜n＜1×10~(15)cm~(-3))内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会一致Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度N_a/N_d之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率

MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合

氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响

该文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化

MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法

采用了以解理面为衍射基面,直接测量水平弛豫的方法测量了In_xGa_(1-x)As(衬底为GaAs,X-0.1)外延层的应变及其弛豫状态。在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂。表明当InGaAs层厚度较厚(-2μm)时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态。其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数(△α/α-10~(-3))。并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变。在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x

GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究

报道了用MBE非平面生长方法制备的GaAs脊形量子线发光性特实验研究。低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表

可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构

该文介绍了一种可以实用的侧墙式GaAs量子线及其列阵结构。沿〔01-1〕方向腐蚀条形的(311)A衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成。用光栅刻蚀方法，制备了横向周期为1μm、纵向三层叠加的三维侧墙量子线列阵。阴极荧光谱研究表

GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究

报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊形结构的形成机制,认为在一定的生长条件下,脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的;而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的

分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析

运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中，观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶)，以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的生成机理进行了讨论

三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化

报道了在腐蚀图形的(311)A衬底上,一种新型三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化研究.原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域,MBE选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构,其尖角沿[2-33]方向,收缩面由对称的{111}A面构成。低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表