Growth and evaluation of high quality AlN using sputtering

넓은 밴드갭, 높은 열전도도와 표면 탄성 속도와 같은 우수한 물성을 지니고 있는 AlN (질화 알루미늄)은 다양한 분야에 활용되고 있다. 지금까지는 AlN 박막은 주로 MOCVD, MBE 및 스퍼터 등과 같은 박막 성장 장비들을 이용하여 성장하였다. 하지만 스퍼터로 제작된 AlN 박막은 저온 성장의 가능성, 박막의 낮은 거칠기 및 낮은 제조 단가와 같은 장점이 있지만 결정성의 관점에서는 특정 용도로서 활용에는 충분하지 않았다. 스퍼터된 AlN 박막의 결정성은 스퍼터링 조건들에 영향을 받는 것으로 보고된다. 그러므로 스퍼터링 방법으로 고품질의 AlN 박막을 제조하기 위해서는 스퍼터링 조건이 AlN 박막에 미치는 영향에 관한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 AlN 박막의 응용 확대를 위해, 스퍼터링을 이용하여 AlN 박막의 성장과 평가에 관한 연구를 하였다. 1장에서는 이 연구의 배경과 동기에 대해 소개하였다. AlN의 결정 구조, 특성, 응용 분야 및 AlN 박막을 제작하기 위한 방법들을 서술하였다. 2장에서는 실험에 사용한 장비에 대해 기술하였다. AlN 박막의 제조를 위한 스퍼터링 방법들과 XRD, SEM, EDS, AFM, CL과 같은 AlN 박막의 분석 및 평가를 실시한 장비들을 설명하였다. 3장에서는 DC 반응성 가스 마그네트론 스퍼터를 이용하여 AlN 박막의 성장에 대해 설명하였다. 박막들은 공급량의 변화에 따라 화학양론적 조성의 변화에 대한 관점으로 결정성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 4장에서는 펄스 스퍼터를 이용하여 AlN 박막에 성장에 대해 연구하였다. 3장의 내용을 활용하여 AlN 박막의 성장 조건 최적화를 실시하였다. 5장에서는, 다양한 분야의 활용 가치를 판단하기 위해, 4장에서 최적화된 AlN 박막의 물성을 평가하였다. 마지막으로 6장에서 모든 결과를 요약하고 본 연구의 결론을 설명 하였다. |AlN (aluminum nitride), which has excellent properties such as wide band gap, high thermal conductivity and surface acoustic velocity, is utilized in various fields. Up to now, AlN thin films are mainly grown using thin film growth equipments such as MOCVD, MBE and sputter. However, AlN thin films fabricated by sputtering have advantages such as a higher possibility of a low temperature growth, a low roughness of thin film and a low manufacturing cost, but it is not satisfying in terms of crystallinity for certain applications. It was reported that the crystallinity of the sputtered AlN thin film is affected by the sputtering conditions. Therefore, in order to fabricate high-quality AlN thin films by sputtering, it is necessary to study the influence of sputtering conditions on AlN thin films. In this study, I researched the growth and evaluation of AlN thin films by sputtering for the widen application of AlN thin films. In the chapter 1, the background and motivation of this study were introduced. The crystal structure, properties, application fields of AlN and methods for fabricating AlN thin films were described. In the chapter 2, the equipments used in the experiment were introduced. The sputtering methods for fabrication of AlN thin film and equipments for the analysis and evaluation of AlN thin films such as XRD, SEM, EDS, AFM, and CL are described. In the chapter 3, The growth of AlN thin films was demonstrated using a DC reactive gas magnetron sputter. The Influences to the crystallinity in terms of the stoichiometric composition change with changes of the supply amount were investigated. In the chapter 4, The growth of the AlN thin film is discussed using a pulsed sputter. The growth conditions of the AlN thin film are optimized by utilizing the content of chapter 3. In chapter 5, In order to evaluate the utilization value of various fields, the physical properties of the optimized AlN thin films were evaluated in chapter 4. Finally, In the chapter 6 all results are summarized and conclusions of this study were explained.1. Introduction 1.1 Aluminum nitride 1 1.1.1 Crystal structure 1 1.1.2 Physical properties 3 1.1.3 Applications 4 1.2 Growth method for AlN thin films 7 1.3 Outline of thesis 7 Reference 9 2. Experimental Equipment 2.1 Sputter 13 2.1.1 DC discharge 14 2.1.2 Sputtering yield 15 2.1.3 Magnetron sputter 16 2.1.4 Reactive gas sputter 16 2.1.5 Pulsed sputtering deposition (PSD) 16 2.2 X-ray diffraction (XRD) 18 2.3 Atomic force microscopy (AFM) 20 2.4 Field emission scanning electron microscope (FE-SEM) 22 2.5 Energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) 24 2.6 Cathodoluminescence (CL) 24 2.7 Fourier transform infrared (FTIR) 25 Reference 27 3. Reactive Gas DC magnetron Sputtering of AlN thin films 3.1 Introduction 29 3.2 Experimental details 30 3.3 Influence of plasma power on reactive gas DC magnetron sputtering of AlN thin films 30 3.3.1 Growth rate variation 30 3.3.2 Surface change 323.3.3 Composition variation 34 3.3.4 Crystallinity 35 3.4 Influence of gas flow ratio on the reactive gas DC magnetron sputtering of AlN thin films 37 3.4.1 Growth rate variation 38 3.4.2 Surface change 39 3.4.3 Crystallinity and composition variation 40 3.5 Conclusion 42 Reference 43 4. Pulsed Sputtering Deposition of AlN Thin Films 4.1 Introduction 44 4.2 Experiment details 45 4.3 Influence of plasma power on pulsed sputtering deposition of AlN thin films 46 4.3.1 Al amount supply 46 4.3.2 Migration length 49 4.3.3 Plasma damage 50 4.3.4 Lattice constant 52 4.3.5 Al-N cluster 53 4.4 Influence of gas pressure on pulsed sputtering deposition of AlN thin films 56 4.5 Influence of growth temperature on pulsed sputtering deposition of AlN thin films 58 4.6 Conclusion 62 Reference 63 5. Characterizations of AlN Thin Films 5.1 Introduction 65 5.2 Experimental details 65 5.3 Surface morphology 66 5.4 Refraction index 67 5.5 Luminescence property 69 5.6 Relative permittivity 69 5.7 Electrical resistivity 71 5.8 Conclusion 72 Reference 73 6. Conclusion 75 Resume 77 Acknowledgement 82Maste

Floating-Gate를 갖는 Flash Memory 소자의 신뢰성분석

학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 전기·컴퓨터공학부, 2015. 2. 이종호.최근 NAND 플래시 메모리가 점차 고집적, 소형화 되면서 트랩에 전자가capture 또는 emission 되어 발생하는 Random Telegraph Noise (RTN)가 읽기 동작 및 소자의 불안정성 등 심각한 문제를 야기 시키고 있어 메모리 동작 시 중요한 사안으로 대두되고 있다. 또한, Interpoly dielectric (IPD)의 두께가 점점 감소함에 따라, IPD에 존재하는 트랩으로 인해 발생되는 신뢰성문제 또한 중요해지고 있다. 이에 본 논문에서는 Tunneling oxide및 IPD에 존재하는 트랩의 분석을 통해 Floating Gate NAND 플래시 메모리의 신뢰성에 대하여 논하고자 한다. 먼저, Read cell은 NAND string의 구조적인 특성으로 인해 pass cell들의 채널저항 영향을 받게 되며, 트랩의 위치와 에너지 준위를 추출함에 있어 pass cell들의 채널저항을 고려하여야 더욱 정확한 값을 추출할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 또한, 최근 소자가 소형화 됨에 따라 인접 cell에 의한 간섭효과가 급속히 커지고 있기 때문에 인접 cell의 간섭효과에 따른 RTN 특성을 보고자 3-D TCAD 시뮬레이션 및 측정을 진행하였다. 인접 cell 상태에 따라, Read cell의 채널 Width 방향의 Electron current density 및 RTN에 의한 비트라인 전류변화, capture/emission time constant가 변화 됨을 3-D TCAD 시뮬레이션 및 측정을 통해 알 수 있었다. 또한, 앞서 pass cell들의 채널저항 효과 및 인접 cell 간섭효과를 이용하여 실제 32nm 및 26nm NAND 플래시 메모리string에서 RTN을 유발하는 트랩의 위치를 Vertical, Lateral, Width 방향으로 추출을 하여 3-D 그래프로 표현을 할 수 있었다. 더 나아가 NAND 플래시 메모리의 읽기 동작 시, RTN의 영향을 줄이기 위하여 ~μsec 범위의 pre-bias를 인가하는 새로운 읽기방법을 제안을 하였으며 측정을 통해 그 효과를 보여주었다. 다음으로는 NAND 플래시 메모리에서 발생하는 hysteresis 현상을 분석하기 위해 pulsed I-V 측정 및 비트라인 전류의 Transient 특성, 시뮬레이션을 진행하였으며, 이는 IPD의 bottom oxide에 존재하는 트랩에 의해 발생된다는 결론을 도출 할 수 있었다. 또한 이런 hysteresis 효과를 줄이기 위해 새로운 읽기방법을 제안을 하였으며 측정을 통해 그 효과를 보여주었다. 마지막 부록에서는 인접 cell 상태에 따라 영향을 받게 되는 간섭효과를 고려하여, 트랩 위치에 따른 비트라인 전류변화에 대한 모델링을 진행하였다. 모델링을 진행하기 위해 electric blockade length 및 트랩 위치가 고려된 Gaussian 형태를 가진 특성 함수를 정의를 하였고 이를 이용하여 트랩에 의한 비트라인 전류변화를 추출할 수 있었다. 3-D TCAD 시뮬레이션 결과와의 비교를 통해 제안된 모델이 매우 정확하다는 것을 알 수 있었고, 제안된 모델을 이용하면 트랩에 의한 비트라인 전류 변화값을 손쉽게 예측할 수 있을 것으로 예상된다.As flash memory cells continue to decrease in scale, random telegraph noise (RTN) caused by electron capture or emission at trap sites has become an important issue. Fluctuations in the threshold voltage (ΔVth) due to RTN can cause serious problems, such as read errors and device instability. As the thickness of the inter-poly dielectric IPD continues to decrease, the traps in the IPD also lead to reliability issues related to the leakage current and data retention. In this thesis, we investigate the reliability of NAND flash memory with respect to traps not only in the tunneling oxide but also in the IPD of the cell device. We first focus on traps that produce RTN in the tunneling oxide during a read operation. The trap position with respect to the channel surface and the floating-gate (xT) and the trap position along the channel length direction (yT) in the fabricated NAND flash memories were obtained by considering the channel resistance of the pass cells. The RTN in the floating-gate NAND flash cell strings interfered with the adjacent bit-line cell, and the effects of such on the fluctuations in the bit-line current (ΔIBL= high IBL – low IBL) were characterized. The electron current density (Je) of a read cell was found to be appreciably different depending on the position in the channel width direction relative to the interference produced by the adjacent bit-line cells. We verified that ΔIBL due to RTN increases as a high Je position is controlled to be close to a trap position in 32 nm NAND flash memory strings. The adjacent cell interference was shown to affect not only ΔIBL but also the ratio between the capture and the emission time constants [ln(τc/τe)]. We used the interference between the adjacent bit-lines (BLs) to obtain the trap position along the width direction and to represent the 3-D position of the traps in 32 nm and 26 nm NAND flash memory cells for the first time. We propose a new read method that reduces the effects on ΔIBL resulting from RTN. The pre-bias is controlled in the s range, and our method was confirmed to effectively suppress the effect of the RTN during read operations in NAND flash memory. Second of all, we investigate the hysteresis phenomenon in the floating-gate NAND flash memory strings, which originates from the traps in the bottom oxide of the oxide/nitride/oxide blocking dielectric (IPD). The hysteresis phenomenon in the floating-gate NAND flash memory strings is analyzed by measuring pulsed I-V and fast transient IBL. A new read method that suppresses the effect of the hysteresis phenomena was also proposed in order to reduce the read failures in NAND flash memory. In the Appendix, ΔIBL is modeled with the trap position as a parameter for the state (program or erase) of the adjacent bit-line cells, and it is observed to appreciably affect the current density distribution. ΔIBL is modeled by determining the integrated electron current density [J0=f(z)] and the electric blockade length (Lt) by considering the effect of the interference on the adjacent cells. A characteristic function [g(z)] with a Gaussian functional form is defined based on Lt and the trap position within the tunneling oxide from the channel surface (xT). Finally, ΔIBL is extracted by integrating f(z) and g(z). Our model accurately predicts ΔIBL, with the trap position as a parameter of the state of the bit-line cells, showing good agreement with data from a 3-D simulation.Abstract 1 Contents 4 Chapter 1 Introduction 7 1.1 RELIABILITY ISSUES IN NAND FLASH MEMORY 7 1.2 MOTIVATION AND ORGANIZATION 14 Chapter 2 Extraction of trap profiles considering channel resistance of pass cells 16 2.1 INTRODUCTION 16 2.2 DEVICE STRUCTURE AND MEASUREMENT METHOD 17 2.3 EQUATIONS OF TRAP PROFILES IN A NAND FLASH MEMORY STRING 19 2.4 VERIFICATION OF PROPOSED EQUATIONS 24 2.5 DISTRIBUTION OF TRAP POSITIONS IN TUNNELING OXIDE OF NAND FLASH MEMORY 29 Chapter 3 Effect of bit-line interference on RTN in NAND flash memory 30 3.1 INTRODUCTION 30 3.2 DEVICE STRUCTURE AND SIMULATION CONDITION 31 3.3 RESULTS OF 3-D TCAD SIMULATION 31 3.4 RTN MEASUREMENT RESULTS WITH THE STATE OF ADJACENT BIT-LINE CELLS 38 3.5 3-D TRAP POSITION IN TUNNELING OXIDE 45 Chapter 4 A new read method suppressing random telegraph noise 49 4.1 INTRODUCTION 49 4.2 DEVICE STRUCTURE AND MEASUREMENT SETUP 50 4.3 MEASUREMENT RESULTS AND DISCUSSION 52 Chapter 5 Hysteresis phenomena in floating-gate NAND flash memory 64 5.1 INTRODUCTION 64 5.2 DEVICE STRUCTURE AND MEASUREMENT SETUP 67 5.3 HYSTERESIS PHENOMENA IN ABNORMAL CELLS 69 5.4 ORIGIN OF HYSTERESIS PHENOMENON IN THE ABNORMAL CELL 76 5.5 HYSTERESIS PHENOMENA WITH BIAS AND P/E CYCLING STRESS 90 5.6 EFFECT OF HYSTERESIS PHENOMENA ON READ OPERATION 96 Conclusions 104 Appendix Modeling of ΔIBL due to RTN considering bit-line interference 106 A.1 INTRODUCTION 106 A.2 DEVICE STRUCTURE 108 A.3 RESULTS AND DISCUSSION 108 Bibliography 120 Abstract in Korean 129Docto

(The) tentorial notch : morphological analysis using magnetic resonance imaging(MRI) : 뇌자기공명영상을 이용한 형태학적 분석

의학과/석사[한글] 목적 : 경천막 허니아 증후군은 두개강내 다양한 원인의 공간점유 병소가 뇌압 상승을 야기하여 뇌간부가 천막절흔으로 이동되거나 뒤틀려져 신경학적 이상을 나타낸다. 따라서 신경외과적으로 중요시 된 것은 다 알려진 사실이다. 본 저자는 신경외과 환자들의 상태를 평가하기 위하여 흔히 사용하는 뇌자기공명영상 촬영을 이용하여 천막 절흔의 크기와 모양 등의 해부학적인 기초를 확립하고 천막 절흔의 형태에 따른 구회 허니아의 발생 및 예후 평가를 위한 인자로서의 선행 연구를 시행하고자 한다. 대상 및 방법 : 2002년 1월 1일부터 2002년 9월 30일 까지 원주기독병원 신경외과에 내원하여 뇌자기공명영상을 시행하였던 환자 중 두개강내 공간점유 병소가 없었던 100명을 대상으로 하였다. 뇌자기공명영상의 여러 영상면을 이용하여 1) T1 축면에서의 터어키안 배부의 넓이, 2) T1 관상면에서의 천막 절흔의 최대넓이, 3) T2 시상면에서의 터어키안 배부의 상후면에서의 절흔의 첨부까지의 거리, 4) T2 시상면에서 절흔의 첨부에서 정맥동 합류까지의 최단거리, 5) T2 시상면에서 중뇌 덮개에서 절흔의 첨부까지의 거리, 6) T2 시상면에서 터어키안 배부의 상후면에서 뇌각간오목까지의 거리와 7) T1 축면에서의 제3뇌신경간의 각도 등의 평균값을 알아보고, 천막 절흔의 최대 넓이와 터어키안 배부의 상후면에서의 절흔의 첨부까지의 거리의 사분위 분포 기술을 이용한 분류법을 이용하여 wide, narrow, long, short, typical, large, small, mixed로 분류하고, 성별 및 연령에 따른 차이를 알아보고자 하였다. 결과: 대상 100명 중 남자는 64명(64%), 여자는 36명(36%)이었으며, 평균연령은 29.6세(2-62세)였다. 터어키안 배부의 넓이는 22mm와 22.3±4.4mm(12-32mm) 천막 절흔의 최대넓이는 33mm와 32.9 ± 3.6mm (28-39mm), 절흔의 첨부에서 정맥동 합류까지의 최단거리는 30mm와 30.4± 3.0mm (23 -36mm), 터어키안 배부의 상후면에서 절흔의 첨부까지의 거리는 56mm와 57.6±5.4mm(50-70mm), 중뇌 덮개에서 절흔의 첨부까지의 거리는 27mm와 25.2±4.8mm (12- 33 mm), 터어키안 배부의 상후면에서 뇌각간오목까지의 거리는 18mm와 18.0 ± 4.9mm (10-30mm), 제3뇌신경간의 각도는 50.4°와 50.8±6.9°(37.5-70.1°)였다. 남성의 경우에서 터어키안 배부의 넓이와 천막 절흔의 최대넓이와 절흔의 첨부에서 정맥동 합류까지의 최단거리와 중뇌 덮개에서 절흔의 첨부까지의 거리는 여성의 수치들에 비해서 통계학적 유의성이 있었다(P<0.05). 17세이상의 경우에서 터어키안 배부의 넓이와 천막 절흔의 최대넓이만 16세 이하와 비교시 통계학적인 유의성이 있었다(P<0.05). wide는 16명(16%), narrow는 11명(11%), long은 12명(12%), short는 12명(12%), typical은 17명(17%)이었고, wide와 long이 같이 존재한 형태인 large는 8명(8%), small은 12명(12%), wide와 short가 같이 존재하는 형태인 mixed는 4명(4%)이었으며, narrow와 long이 같이 존재하는 mixed는 8명(8%)이었다. 터어키안 배부의 상후면에서 뇌각간 오목까지의 거리의 일사분위와 삼사분위에 해당되는 14mm와 21mm를 기준으로 하여 14mm이하인 경우를 앞부분에 고정된 위치(prefixed position), 14mm에서 21mm사이를 중간에 고정된 위치(midposition), 21mm이상인 경우를 후방에 고정된 위치(postfixed position)라고 분류하면, 각각 31명(31%), 42명(42%), 27명(27%)이었다. 결론: 신경외과 환자들의 상태를 평가하기 위하여 흔히 사용하는 뇌자기공명영상촬영을 이용하여 천막 절흔의 형태에 따라 중증 두부 손상 환자에서의 구회 허니아의 발생 및 예후 평가를 위한 인자로 사용될 수 있을 것으로 사료된다. [영문]Objective : The goals of this study were the follows: 1. to measure anatomical basis for interpretation of the tentorial notch, oculomotor nerve and brainstem using MRI; 2. to develop a classification system for the tentorial notch. Methods : From January to September 2002, we analized 100 patients with mild head injury and without space occupying lesion on the MRI. All imaging was made using a 1.5 tesla superconductive magnet(Gyroscan ACS-NT, Philips, Netherlands). The following measurements were done: 1) anterior notch width(ANW); 2) maximum notch width (MNW); 3) notch length (NL) ; 4) posterior tentorial length (PTL); 5) interpedunculoclival (IC) distance; 6) apicotectal (AT) distance; 7) inter-third nerve angle, the angle between the third cranial nerves in the T1 axial plane. The quatile distribution technique was applied to all measurements. Quatile groups defined by NL (mean 57.6�5.4mm) were labeled long, short, and midrange, and those defined by MNW(mean 32.9�.6mm) were labeled as wide, narrow, and midrange. Results : The patients were composed of men and women whose mean age is 29.6(2- 61) year of age. Mean values are presented as the means �standard deviations into following variations: 1) ANW, 22.3 �4.4mm; 2)MNW, 32.9 �3.6mm; 3) NL, 57.6 �5.4mm; 4) PTL, 30.4 �3.0mm; 5) AT distance, 25.2 �4.8mm; 6) IC distance, 18.0 �4.9mm; 7) inter-third nerve angle, 50.8�.9� Using the variables NL and MNW to examine predominant structural features permitted typing of tentorial notches into categories of wide(16%), narrow(11%), long(12%), short(12%), and typical(17%). Notches that were both wide and long were labeled large (8%), and those that were narrow and short were labeled small (12%). The category of mixed notches (12%) was assigned to tentorial notches that were either wide/short (4%) or narrow/long (8%). The positional relationship of the brainstem to the clivus was defined by the first quatile (14mm) and third quatile(21mm) of the IC distance. On the basis of this measurements, the terms "prefixed (31%)", midposition (42%)", and postfixed (27%) were applied to the brainstem position within the tentorial aperture. Conclusions : A significant statistical correlation was shown among morphometric parameters of the tentoral notches, brainstem, gender and age. The use of MRI to identify the type of tentorial notch and regional anatomy may help neurosurgical decision making.ope

상황의 특성에 따른 아동의 자기 규제에 대한 판단

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :소비자아동학과 아동가족학전공,1998.Maste

Photocatalytic Degradation of PVC-TiO2 Composite film.

Maste

색확장형 깊이 인식 기반 인체 모션 트레킹 시스템

학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 기계항공공학부, 2016. 2. 이건우.Motion tracking system using depth sensing camera has been widely used in motion game, sports, rehabilitation, and so on, which has limita- tions of self-occlusion, full body tracking, and person-occlusion in med- ical applications such as virtual rehabilitation. First, in order to under- stand limitations of conventional vision based method, we developed several rehabilitation and assessment programs using depth sensing cam- era. Although we confirmed the treatment effect and similarity with real assessment by the clinical testing, the occlusion and system integration problems could not cover a lot of movement of human. In this study, we examine this limitation in the developing process of several rehabilita- tion application, and resolve this problem by implementing a new track- ing method called Color Augmented Depth Sensing (CA-DT). The color based segmentation, Principle Component Analysis (PCA), and error weighted interpolation were used to develop CA-DT. Consequently, CA- DT system allowed the users to move freely without problems by partial occlusion, connection with other person. The result of comparison with a motion capture system of the passive marker type shows 0.97 correla- tion coefficient, which means that tracking ability of CA-DT is similar to conventional system. Furthermore, we considered patch size and shortened the armband type up to 5 cm breadth.Chapter 1 Introduction 1 1.1. Overview 1 1.1.1. Stroke and Neurorehabilitation 1 1.1.2. Virtual Rehabilitation 6 1.1.3. Motion Tracking System 9 1.2. Motivation and Objectives 11 1.2.1. Issue of the Stroke 11 1.2.2. Studies for Virtual Rehabilitation 16 1.2.3. Depth Sensing based Skeleton Tracking 19 1.3. Our Approach 21 1.3.1. Virtual Rehabilitation and Assessment 22 1.3.2. Color Augmented Depth Tracking 24 Chapter 2 Virtual Rehabilitation and Assessment Programs 27 2.1. Overview 27 2.2. Intensive Therapy Programs . 29 2.2.1. Introduction 29 2.2.2. Result 32 2.3. Virtual Box and Block Test [37] 39 2.3.1. Introduction 39 2.3.2. System Design and Algorithm Development 41 2.3.3. Result and Discussion 48 2.4. Virtual Fugl Meyer Assessment 52 2.4.1. Introduction 52 2.4.2. Data Acquisition 53 2.4.3. Feature Extraction 56 2.4.4. Learning Model for FMA score Prediction 60 2.4.5. Result and Discussion 61 Chapter 3 Color Augmented Depth Tracking Method 66 3.1. Introduction 66 3.2. System Overview 72 3.3. Cloth Design 76 3.4. Body Segmentation Algorithm 79 3.4.1. Introduction 79 3.4.2. Algorithm Development 81 3.4.3.Result 86 3.5. Body Axis Tracking Algorithm 90 3.5.1. Introduction 90 3.5.2. Cylindrical Fitting on 3D Point Cloud 94 3.5.3. Fitting Error Weighted Interpolation Method 98 3.5.4. Result 101 3.6. Hand Tracking Algorithm 104 3.6.1. Introduction 104 3.6.2. Hand Detection with Full Body Tracking 105 3.6.3. Result 106 3.7. Body Part Connection 109 3.8. Discussion 111 Chapter 4 Evaluation of CA-DT System 112 4.1. Introduction 112 4.2. Skeleton Tracking Performance 116 4.2.1. Self-Occlusion 116 4.2.2. Connection with Others 117 4.2.3. Hand Tracking 118 4.3. Biomedical Validation 119 4.3.1. Design and Procedure 119 4.3.2. Result and Discussion 121 4.4. Patch Length Specification 125 4.4.1. Introduction 125 4.4.2. Simulation as Cylindrical Length 126 4.4.3. Result and Discussion 129 Chapter 5 Conclusion 132 Bibliography 134 초록 148Docto

Deformational characteristics of soft clayey deposits under the embankment loading in Korea

학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :토목공학과,1998.Docto

내독소로 유도된 임신 생쥐의 태반감염시 태아 대뇌에서 관찰되는 apoptosis와 bcl-2, bcl-xs, bax 발현과의 관계

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :의학과 소아과학전공,1998.Maste