Status of the GAMMA-400 Project

The preliminary design of the new space gamma-ray telescope GAMMA-400 for the energy range 100 MeV - 3 TeV is presented. The angular resolution of the instrument, 1-2{\deg} at E{\gamma} ~100 MeV and ~0.01^{\circ} at E{\gamma} > 100 GeV, its energy resolution ~1% at E{\gamma} > 100 GeV, and the proton rejection factor ~10E6 are optimized to address a broad range of science topics, such as search for signatures of dark matter, studies of Galactic and extragalactic gamma-ray sources, Galactic and extragalactic diffuse emission, gamma-ray bursts, as well as high-precision measurements of spectra of cosmic-ray electrons, positrons, and nuclei.Comment: 6 pages, 1 figure, 1 table, submitted to Advances in Space Researc

A non-coherent holographic correlator based on a digital micromirror device

Рассмотрена возможность применения в оптическом корреляторе микрозеркального модулятора в качестве устройства вывода голографических фильтров при квазимонохроматическом пространственно-некогерентном входном излучении. Представлена экспериментальная установка оптического коррелятора, собранная по схеме с одним объективом. Проведены эксперименты по распознаванию тестовых объектов при динамическом выводе синтезированных голографических фильтров на модулятор. Полученные результаты позволяют сделать вывод об успешном распознавании объектов в некогерентном корреляторе при использовании микрозеркального модулятора

ALKENES - REACTIVITY AND ELECTRON-STRUCTURE

The modern methods for the calculations of alkene electron structure have been discussed. Analysis of the photoelectron spectra of alkenes have been undertaken. Based on the experimental data and quantum-chemical calculations the relation of molecular properties and their orbital structure have been reviewed. The systematic comparison of the related structural parameters of alkenes with their reactivity have been discussed. The ionisation energy values of alkenes have been stated. The bibliography includes 86 references

The electronic structure and reactivity of alkenes

The modern methods for the calculation of the electronic structures of alkenes are examined. The photoelectron spectra of alkenes are analysed and the relation between the properties of molecules and their orbital structure is discussed on the basis of experimental data and quantum-chemical calculations. The corresponding structural parameters of alkenes are systematically compared with their reactivities. The ionisation energies of alkenes are presented. © 1992 IOP Publishing Ltd

ALKENES - REACTIVITY AND ELECTRON-STRUCTURE

The modern methods for the calculations of alkene electron structure have been discussed. Analysis of the photoelectron spectra of alkenes have been undertaken. Based on the experimental data and quantum-chemical calculations the relation of molecular properties and their orbital structure have been reviewed. The systematic comparison of the related structural parameters of alkenes with their reactivity have been discussed. The ionisation energy values of alkenes have been stated. The bibliography includes 86 references

Конструкції і характеристики диференціальних пар CJFet транзисторів для проектування CBiCJFet диференціальних і мультидиференціальних операційних підсилювачів

We have developed technology and construction solutions system to increase differential pairs (DP) of JFet with p- and n-channels identity, which are included into silicon complementary bipolar process of SPE “Pulsar” (Moscow). The possibility of creating several types of JFet DPs within the process is shown. The paper presents the results of experimental studies of two types of DP JFet designs with p- and n-channels for the spread of gate-source voltage ΔVGS depending on the drain current and drain-source voltage. The main features of the first design of p-channel JFets were the following: formation of drain/source area due to passive base of npn-transistor and deep collector areas for pnp-transistor; channel formation based on p-layer collector of pnp-transistor; formation of bottom gate using p+ buried layer; top gate formation due to active base and polysilicon emitter of npn-transistor. A feature of the second JFet design was top gate formation due to passive base. The designs of the first and second types of n-channel Jfet were formed similarly, taking into account the replacement of the applied areas of bipolar transistors with opposite ones in the type of conductivity. It was found that with increasing drain current ΔVGS decreases, and with increasing drain-source voltage ΔVGS at high currents increases for DP based on p-channel JFet with the first type of design. The maximum difference ΔVGS was in the range of 5–80 mV for a given differential pair JFet with a p-channel. On plots for DP p-channel JFet with the second type design a significantly lower voltage spread ΔVGS was shown: for example, for the drain current ID = 50 μA the voltage spread ΔVGS did not exceed 10 mV. In this case the voltage spread ΔVGS practially did not depend on drain-source voltage in contrast to differenctial pair of the first type. The second type JFet n-channel differential pairs like for the DP p-channel JFet provided lower spread values in comparison with the first type design: ΔVGS reached values of 5-20 mV. Moreover, for the design of the second type, a significantly weaker effect of the drain-source voltage on ΔVGS was observed at high current densities. The developed designs of differential pairs based on p- and n-channel JFet are recommended for use in organizing the production of CBiCJFet analog circuits, including operations at low temperatures.Разработана система технологических и конструктивных решений, обеспечивающая повышение идентичности дифференциальных пар (DP) полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (JFet) с p- и n-каналами, встроенных в кремниевый комплементарный биполярный технологический процесс АО «НПП «Пульсар» (г. Москва). Показано, что в рамках данного технологического процесса возможно создание нескольких типов DP JFet. В работе представлены результаты экспериментальных исследований двух типов конструкций DP JFet с p- и n- каналами по разбросу напряжения затвор-исток ΔVGS в зависимости от тока стока и напряжения сток-исток. К основным особенностям первой конструкции p-канального Jfet относились: формирование областей стока/истока за счёт пассивной базы npn-транзистора и областей глубокого коллектора pnp-транзистора; формирование канала на основе p–слоя коллектора pnp-транзистора; формирование нижнего затвора с применением p+ скрытого слоя; формирование верхнего затвора за счёт активной базы и поликремниевого эмиттера npn-транзистора. Особенностью второй конструкции Jfet являлось формирование верхнего затвора за счёт пассивной базы. Конструкции первого и второго типов n-канальных Jfet формировались аналогично с учетом замены применяемых областей биполярных транзисторов на противоположные по типу проводимости. Для DP на основе p-канальных JFet с конструкцией первого типа установлено, что с ростом тока стока величина ΔVGS снижается, а с увеличением напряжения сток-исток ΔVGS при высоких токах возрастает. Для данной дифференциальной пары JFet с p-каналом максимальная разница DVGS лежит в пределах 5 – 80 мВ. Для DP p-канальных JFet с конструкцией второго типа приведены графики, показывающие существенно меньшее значение разброса напряжений ΔVGS: например, для значения тока стока ID = 50 мкА разброс напряжений ΔVGS не превышает 10 мВ. При этом, в отличие от первого типа DP, разброс напряжения ΔVGS практически не зависит от напряжения сток-исток. Как и для DP p-канальных JFet дифференциальные пары n-канальных JFet второго типа обеспечили меньшие значения разброса в сравненни с конструкцией первого типа: ΔVGS достигает значений 5 – 20 мВ. Также для конструкции второго типа наблюдалось значительно более слабое влияние напряжения сток-исток на ΔVGS при высоких плотностях тока.   Разработанные конструкции дифференциальных пар на основе p- и n-канальных JFet рекомендуется использовать при организации производства CBiCJFet аналоговых микросхем, в том числе для эксплуатации в условиях низких температур.Розроблено систему технологічних і конструктивних рішень, що забезпечує підвищення ідентичності диференціальних пар (DP) польових транзисторів з керуючим p-n переходом (JFet) з p- і n-каналами, що вбудованих в кремнієвий комплементарний біполярний технологічний процес АТ «НВП «Пульсар». Показано, що в рамках даного технологічного процесу можливе створення декількох типів DP JFet. В роботі представлені результати експериментальних досліджень двох типів конструкцій DP JFet з p- і n- каналами з розкидом напруги затвор-витік ΔVGS в залежності від струму стоку і напруги стік-витік. До основних особливостей першої конструкції p-канального Jfet ставилися: формування областей стоку / витоку за рахунок пасивної бази npn-транзистора і областей глибокого колектора pnp-транзистора; формування каналу на основі p-шару колектора pnp-транзистора; формування нижнього затвору з застосуванням p+ прихованого шару; формування верхнього затвору за рахунок активної бази і полікремнієвогох емітера npn-транзистора. Особливістю другої конструкції Jfet було формування верхнього затвору внаслідок пасивної бази. Конструкції першого і другого типів n-канальних Jfet формувалися аналогічно з урахуванням заміни застосовуваних областей біполярних транзисторів на протилежні за типом провідності. Для DP на основі p-канальних JFet з конструкцією першого типу встановлено, що зі зростанням струму стоку величина ΔVGS знижується, а зі збільшенням напруги стік-витік ΔVGS за великих струмах зростає. Для даної диференціальної пари JFet з p-каналом максимальна різниця ΔVGS лежить в межах 5 - 80 мВ. Для DP p-канальних JFet з конструкцією другого типу наведено графіки, що показують істотно менше значення розкиду напруг ΔVGS: наприклад, для значення струму стоку ID = 50 мкА розкид напруг ΔVGS не перевищує 10 мВ. При цьому, на відміну від першого типу DP, розкид напруги ΔVGS практично не залежить від напруги стік-витік. Як і для DP p-канальних JFet диференціальні пари n-канальних JFet другого типу забезпечили менші значення розкиду в порівнянні з конструкцією першого типу: ΔVGS досягає значень 5 - 20 мВ. Також для конструкції другого типу спостерігалося значно слабший вплив напруги стік-витік на ΔVGS у разі високої щільності струму. Розроблені конструкції диференціальних пар на основі p- і n-канальних JFet рекомендується використовувати при організації виробництва CBiCJFet аналогових мікросхем, в тому числі для експлуатації в умовах низьких температур