Тенденции развития и реформы образования в мире : учебное пособие

Современный этап развития образования в мире характеризуется особой интенсивностью и масштабами преобразований, обусловленных не только актуальными потребностями социально-экономического развития конкретных стран, но и вовлеченностью их систем образования в интеграционные процессы, происходящие в условиях интернационализации и глобализации. Масштабные преобразования, осуществляемые в рамках программ модернизации или реформ образования, как правило, не ограничиваются одним направлением, а затрагивают фактически все аспекты образовательной деятельности: целевые установки и содержание образования, его организационные и управленческие структуры, методы и технологии обучения, источники и механизмы финансирования, условия и формы международного образовательного сотрудничества. Указанные обстоятельства предопределяют междисциплинарный характер курса и обусловливают необходимость сопоставительного подхода при его изучении. Основная цель курса заключается в формировании у обучающихся знаний об основных тенденциях развития образования в мире и о приоритетных направлениях модернизации национальных систем образования ведущих развитых стран и отдельных регионов. Учебное пособие выполнено в рамках инновационной образовательной программы Российского университета дружбы народов, направление «Формирование службы обеспечения экспорта образовательных услуг на базе модернизации существующей инфраструктуры международного образования РУДН», и входит в состав учебно-методического комплекса, включающего описание курса, программу и электронный учебник

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

Structural anisotropy of the SiOx films and nc-Si-SiOx light emitting nanostructures, prepared by oblique deposition of silicon monoxide in vacuum, has been studied using the polarization conversion (PC) effect. For this purpose, a simple method of PC investigation with usage of a standard null-ellipsometer is proposed and tested. This method is based on the analysis of the azimuthal angle dependence of the offdiagonal elements of the Jones matrix. The electron microscopy study shows that obliquely deposited SiOx films have a porous (column-like) structure with the column diameter and inclination depending on the deposition angle. Polarimetric investigations revealed that both in-plane and out-of-plane anisotropy was present, which is associated with the columnar growth. The correlation between the PC manifestations and the scanning electron microscopy results is analyzed. It was found that the tilt angle of columns in obliquely deposited SiOx is smaller than that predicted by the “tangent rule” and “cosine rule” models, and depends on the crystallographic orientation of Si substrate. It is concluded that the proposed method is effective non-destructive express technique for the structural characterization of obliquely deposited films

Micropatterning in bistable cholesteric device with Bragg's reflection

In this work, the method to form bistable patterning in a cholesteric cell with Bragg’s reflection in the visible spectral range is demonstrated. In order to reach this, we used a Si/SiO₂ structure in which a potential relief on SiO₂ surface is induced due to enrichment and depletion of required form areas of the silicon near-surface layer during external electric field action. The patterning of enrichment is determined by the positive charge embedded into SiO₂ film, which is formed by thermodiffusion of aluminum atoms

Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals

The effect of static magnetic field (B = 0.17 T) on composition of defects and lifetime of charge carriers in solar silicon crystals has been investigated. Studied in this work was the character of changes in electrical characteristic of solar silicon. These changes are dependent on the time elapsed after the magnetic treatment. The results have been discussed in terms of spin-dependent processes in the subsystem of structural defects

Визначення локальних деформацій в околі зварного шва нікелевого сплаву за даними енергетичних Фур’є спектрів картин Кікучі

A discrete two-dimensional Fourier transform and the power Fourier spectrum are used for determination of average strains near cracks in a welded seam of Ni-Cr-Fe alloy. The alignment of Kikuchi images with the help of genetic algorithms and subtraction of white Gaussian noise made it possible to more fully take into account the influence of instrumental factors on the formation of electron backscatter diffraction patterns.Для визначення значень середніх деформацій в локальних областях поблизу тріщин зварного шва нікелевого сплаву NiCrFe при аналізі картин Кікучі використано методи енергетичного Фур’є спектру та дискретного двомірного Фур’є перетворення. Суміщення зображень Кікучі за допомогою генетичних алгоритмів та виділення білого гаусівського шуму дало можливість більш повно врахувати вплив інструментальних факторів на формування картин дифракції відбитих електронів

Electron and hole states in quantum-dot quantum wells within a spherical 8-band model

In order to study heterostructures composed both of materials with strongly different parameters and of materials with narrow band gaps, we have developed an approach, which combines the spherical 8-band effective-mass Hamiltonian and the Burt's envelope function representation. Using this method, electron and hole states are calculated in CdS/HgS/CdS/H_2O and CdTe/HgTe/CdTe/H_2O quantum-dot quantum-well heterostructures. Radial components of the wave functions of the lowest S and P electron and hole states in typical quantum-dot quantum wells (QDQWs) are presented as a function of radius. The 6-band-hole components of the radial wave functions of an electron in the 8-band model have amplitudes comparable with the amplitude of the corresponding 2-band-electron component. This is a consequence of the coupling between the conduction and valence bands, which gives a strong nonparabolicity of the conduction band. At the same time, the 2-band-electron component of the radial wave functions of a hole in the 8-band model is small compared with the amplitudes of the corresponding 6-band-hole components. It is shown that in the CdS/HgS/CdS/H_2O QDQW holes in the lowest states are strongly localized in the well region (HgS). On the contrary, electrons in this QDQW and both electron and holes in the CdTe/HgTe/CdTe/H_2O QDQW are distributed through the entire dot. The importance of the developed theory for QDQWs is proven by the fact that in contrast to our rigorous 8-band model, there appear spurious states within the commonly used symmetrized 8-band model.Comment: 15 pages, 5 figures, E-mail addresses: [email protected], [email protected]

Russia

[No abstract available

Russia

[No abstract available

Эволюция международных механизмов признания квалификаций: от региональных конвенций - к глобальной

The presented paper considers the history of the development of multilateral mechanisms for the recognition of qualifications. Over a 50-year period certain changes have taken place in the conception of the recognition of qualifications, as well as in the mechanisms for its practical implementation. The evolution of international agreements (conventions) developed by two authoritative international organizations - UNESCO and the Council of Europe is reviewed. These organizations have been engaged in regulating problems of recognition at the international level for many decades. The article provides comparative analysis of the prerequisites, designation and substantive principles of the Lisbon Convention of 1997 and the Global Convention on the Recognition of Higher Education Qualifications which is being currently developed.В статье рассматривается история развития многосторонних механизмов признания квалификаций. На протяжении 50-летнего периода происходили определенные изменения как самой концепции признания, так и механизмов его практического осуществления. Приводится обзор эволюции международных соглашений (конвенций), разрабатывавшихся двумя авторитетными международными организациями - ЮНЕСКО и Советом Европы. Выполнен сопоставительный анализ предпосылок, назначения и содержательных принципов Лиссабонской конвенции 1997 года и разрабатываемой в настоящее время Глобальной конвенции о признании квалификаций высшего образования

Эволюция международных механизмов признания квалификаций: от региональных конвенций - к глобальной

The presented paper considers the history of the development of multilateral mechanisms for the recognition of qualifications. Over a 50-year period certain changes have taken place in the conception of the recognition of qualifications, as well as in the mechanisms for its practical implementation. The evolution of international agreements (conventions) developed by two authoritative international organizations - UNESCO and the Council of Europe is reviewed. These organizations have been engaged in regulating problems of recognition at the international level for many decades. The article provides comparative analysis of the prerequisites, designation and substantive principles of the Lisbon Convention of 1997 and the Global Convention on the Recognition of Higher Education Qualifications which is being currently developed.В статье рассматривается история развития многосторонних механизмов признания квалификаций. На протяжении 50-летнего периода происходили определенные изменения как самой концепции признания, так и механизмов его практического осуществления. Приводится обзор эволюции международных соглашений (конвенций), разрабатывавшихся двумя авторитетными международными организациями - ЮНЕСКО и Советом Европы. Выполнен сопоставительный анализ предпосылок, назначения и содержательных принципов Лиссабонской конвенции 1997 года и разрабатываемой в настоящее время Глобальной конвенции о признании квалификаций высшего образования