Análisis de las concentraciones de In y As en la superficie de películas de GaInAsSb fabricadas por epitaxia en fase líquida

En este trabajo se presenta un análisis de las variaciones en la estequiometría de películas epitaxia-les de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL), a partir de medi-ciones de XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) realizadas después de 10 y 20 minutos de ero-sión con iones Ar+. Se observa la eliminación de óxidos superficiales así como cambios en la con-centración de In (x) y As (y), dichos cambios se asocian al comportamiento de estos elementos en el proceso de crecimiento y a la temperatura en la cual se ponen en contacto la solución líquida y el sustrato

Análisis por difracción de rayos x de rocas provenientes de región esmeraldífera

La explotación de las esmeraldas colombianas ha sido, desde tiempo atrás, uno de los renglones principales de exportación, debido a la alta calidad y belleza de las piedras colombianas. En este trabajo presentamos un método de análisis de rocas, para la determinación de la presencia del berilo, grupo al cual pertenecen las esmeraldas. Se realizó un análisis por medio de la difracción de rayos X, para 15 muestras en polvo, de rocas provenientes una región esmeraldífera colombiana

Respuesta óptica de sustratos de GaSb dopados con Te y no dopados

Se caracterizaron ópticamente monocristales comerciales de GaSb dopados con Te y no dopados, por medio de fotoluminiscencia, Raman y EDS. En la respuesta Raman se observa que las intensidades del pico asociado al fonón LO son similares en todas las muestras y presentan diferencias en un pico más pequeño, asociado al fonón TO, siendo el de menor intensidad el de la muestra no dopada. Los resultados obtenidos por EDS para la estequiometría de los sustratos, muestran desviaciones hasta de 4% de la relación 50:50 esperada, indicando presencia de defectos en la estructura cristalina. Un estudio zonal sobre la superficie de las muestras hecho por fotoluminiscencia confirma lo anterior. El estudio por fotoluminiscencia en la muestra no dopada evidenció la presencia del defecto VGa-GaSb, presentando además un pico en 753 meV no reportado aún en la literatura.Commercial GaSb single crystals, Te doped and undoped, were characterized optically by means of photoluminescence, Raman and EDS techniques. In the Raman response, it is observed that the intensity of the peak associated to LO-phonon is the same for all samples, and the intensity of the smaller peak, associated to TO-phonon, is different for all samples being smaller for the undoped sample. EDS results obtained for the stoichiometry of the substrates, show deviations from the expected 50:50 relation, even of 4%, indicating the presence of defects in the crystalline structure. This is confirmed by a zonal study by photoluminescence on the samples surface. By photoluminescence study it was evidenced the presence of VGA-GaSb defect, as well as the presence of an additional peak in 753 meV still not reported in the literature

Recubrimientos protectores basados en Nitruro de Niobio (NbN)

In order to find solutions to problems caused by corrosion in day -to-day materials such as mechanizing tools, mechanical devices, injection molds and the like, thin films of NbN have been deposited on Si (100) and substrates of stainless steel AISI 304,High Speed Steel ( HSS) and we inserts by using a multi-target Magnetron Sputtering system with r.f (13.56 Mhz), from a Nb target of high purity (99.99%) in an atmosphere made up of Ar/N2. The crystalinity of the grown films was examined by X- rays diffraction (XRD) spectroscopy. By using FTIR analysis, active modes at about 600 cm-' associated with Nb -N bonds were found. The electrochemical characterization of AISI 304 steel with and without NbN covering by electrochemical impedance spectroscopy (EIS) and Tafel polarization curves. It was found also that the corrosion speed decreased about 66% for the steel covered with NbN at OV compared to the uncovered steel. However when bias voltage was raised to - 100V, the corrosion speed was three times higher, compared to the NbN covering at OV, which in turn shows the harmful effect of bias voltage. In the degradation of NbN films. From the results of the present study the way is now opened to the possibility of applying Nitride NbN based coatings as an alternative solution to corrosion of materials.Con el fin de encontrar alternativas que hagan frente a los problemas que ocasiona la corrosión en algunos materiales de use cotidiano son empleados en: herramientas de mecanizado, dispositivos mecánicos, moldes de inyección y demás, se han depositado películas delgadas de Nitruro de Niobio (NbN) sobre silicio (100) y substratos de acero inoxidable AISI 304, acero rápido e insertos de WC mediante un sistema multi-blanco magnetrón sputtering con r.f. (13.56 MHz), a partir de un blanco de Nb de alta pureza (99.99%) en una atmósfera compuesta de Ar/N2. La cristalinidad de las películas crecidas fue examinada por medio de espectroscopia de difracción de rayos X (XRD). Por medio de análisis de FTIR, se encontró la presencia de modos activos alrededor de los 600 cm -1 asociados con enlaces de Nb-N. Se desarrolló la caracterización electroquímica del acero AISI 304 con y sin  recubrimiento de NbN mediante espectroscopia de impedancia electroquímica (EIS) y curvas de polarización Tafel. En este trabajo se encontró que la velocidad de corrosión decrece alrededor de un 66% para el acero recubierto con NbN a OV en comparación al acero sin recubrimiento. Sin embargo, cuando el voltaje bias fue incrementado a-100V, la velocidad de corrosión es 3 veces mayor que a un voltaje de OV, lo cual muestra el efecto nocivo del voltaje en la degradación de las películas de NbN. De esta manera, se abre la posibilidad de aplicar recubrimientos basados en Nitruro de Niobio como alternativa de solución a los problemas de la corrosión de materiales

Estudio zonal de películas de GaInAsSb/GaSb por fotorreflectancia

Por medio de la técnica de fotorreflectancia en el Infrarrojo cercano (FR-IR) se realizó el estudio zonal en la superficie de dos películas de Ga 1-X In X As Y Sb 1-Y fabricadas por la técnica de epitaxia en fase líquida. Las muestras AS12 y M45TQ fueron crecidas a 529 °C y 530 °C respectivamente, sobre sustratos de GaSb:Te con orientación cristalográfica (100), a partir de dos soluciones que difieren levemente en el contenido de As. Los espectros fueron tomados a una temperatura de 12 K para diferentes posiciones espaciales en la superficie de las películas y analizados con expresiones reportadas extensamente en la literatura especializada. De los respectivos análisis se obtuvieron para cada una de las muestras las dependencias de las energías de transición y los parámetros de ensanchamiento con la posición espacial. En este trabajo también se presenta el estudio comparativo de la respuesta óptica de cada material, logrando identificar las zonas espaciales en las cuales las muestras exhiben mayor densidad de defectos

Caracterización óptica de GaSb Y Ga1-xInxAsySb1-y/GaSb por medio de fotorreflectancia en el infrarrojo cercano

Empleando la técnica de fotorreflectancia en el infrarrojo cercano (FR-IR) se realizó la caracteri-zación óptica de un monocristal de GaSb y dos películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y/GaSb. Los espectros de fotorreflectancia fueron tomados en el rango de temperaturas de 12K a 200K y analizados con expresiones ampliamente reportados en la literatura especializada. De los respecti-vos análisis se obtuvieron para cada una de las muestras la dependencia de la energía de transición interbanda [Eo(T)] y el parámetro de ensanchamiento [Go(T)] con la temperatura. En este trabajo también se presenta el estudio comparativo entre las propiedades ópticas de cada material, obte-niéndose el valor de la energía interbanda Eo(T=0K) e identificando el principal proceso dispersivo en las películas del cuaternario

Fotorreflectancia a baja temperatura en GaInAsSb/GaSb

En este trabajo se presenta el análisis de espectros de fotorreflectancia (FR) tomados en el rango de temperatura de 12K a 100K, de una película de GaxIn(1-x)AsySb(1-y)/GaSb crecida mediante la técnica de epitaxia en fase líquida (EFL). Los ajustes se realizaron con formas de línea lorentziana de primera derivada para la transición excitónica Ex y de tercera derivada para la transición inter-banda Eo. Los parámetros que describen la variación de la energía de las transiciones electrónicas con la temperatura fueron evaluados mediante las relaciones semiempíricas de Varshni y del tipo Bose-Einstein. El comportamiento del ensanchamiento con la temperatura fue descrito por relacio-nes del tipo Bose-Einstein, encontrándose que el proceso dispersivo principal puede estar relacio-nado con la interacción de electrones con la red

Caracterización eléctrica de películas semiconductoras de Ga1-xInxAsySb1-y

En este trabajo se estudia, empleando el método de las cuatro puntas de Van der Pauw, el tipo y la concentración de portadores de una serie de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y, fabricadas por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida, sobre sustratos monocristalinos de GaSb:Te (100). Se encontró que las muestras son tipo n con una alta densidad de portadores. Así mismo, se tomaron curvas I-V para contactos eléctricos de Au y de Ag, observándose un comportamiento no lineal en ambos casos, característico de un contacto bloqueante o barrera Schottky. Las mejores características como dispositivo Schottky, fueron exhibidas por el contacto de Ag