Pienten kiertojen kehittämistä digitalisaatiolla

Kiertodigi-hankkeen tavoitteena on ollut kehittää uusia konsepteja pienten jäte- ja kierrätysmateriaalivirtojen kiertojen hallintaan digitalisaation avulla. Pienillä virroilla tarkoitetaan sellaisia kierrätysmateriaalilähteitä, joiden kerääminen on haastavaa tarvittavan keräyskapasiteetin ja niistä syntyvien kustannusten vuoksi. Tarkastelun kohteina olivat materiaalivirrat, jotka liittyvät tuotteiden tai pakkausten loppukuluttajiin. Tarkasteltuja pieniä materiaalikiertoja olivat esimerkiksi bio-, muovi-, tekstiili-, rakennusmateriaalit. Osana hanketta pieni ryhmä tarkasteltujen avainalojen pk-yrityksiä haastateltiin käyttämällä hyväksi kiertotalouden arviointityökalua, jonka tavoitteena on auttaa pk-yrityksiä tunnistamaan paremmin kiertotalouden tarjoamat liiketoimintamahdollisuudet. Haastattelut on tehty pääosin Etelä-Pohjanmaan maakunnan alueella. Raportti esittelee alueella näihin kiertovirtoihin kehitettyjä ratkaisumalleja, joista osaa on pilotoitu. Pilotoituja hankkeita kuvataan esimerkkitapauksina ja näihin esimerkkitapauksiin on liitetty hankkeen aikana tehdyissä haastatteluissa saatuja taustatietoja kunkin alan yrityksistä. Kuhunkin esimerkkitapaukseen on liitetty myös pohdintaa käsiteltävän materiaalin kierrätysasteen parantamis- ja kehittämismahdollisuuksista. Osin avataan yleisellä tasolla myös kunkin materiaalin kierrättämiseen hankkeen aikana esiin nousseita uusia liiketoimintamahdollisuuksia ja niiden rajaehtoja. Esimerkkitapauksina käsitellään: älykäs vaatekeruu, maatalousmuovi, biojätteet, mobiilisovellus kuluttajille, keruukuljetukset, rakentaminen, mikrokiertojen syntypaikkalajittelu ja muovilaadut. Huomiota kiinnitettiin erityisesti logistiikka-analyyseihin, analyysityökaluihin ja kiertotalouden alustoihin kierrätyksen vauhdittajina, sekä digitaalisten teknologioiden hyödyntämiseen pienten kiertojen lisäämisessä.fi=vertaisarvioimaton|en=nonPeerReviewed

Temperature dependence of current-voltage characteristics of Pt/InN Schottky barrier diodes

The Current-Voltage (IV) measurements on Pt/InN Schottky barrier diodes in the temperature range 10-280 K were done. It was found that the contact was Schottky up to 280 K, becoming irreversible ohmic for higher temperatures. The ideality factor, the saturation current and the apparent barrier height were calculated by using the thermionic emission (TE) theory. The ideality factor is temperature dependent, while the saturation current and the barrier height are not. The non conventional Richardson plot exhibits good linearity, corresponding to an activation energy of 2.08 eV and a Richardson constant of 18.7Am -2K-2. The Cheung's method to estimate the value of a possible series resistance RS yields a negligible resistance. From reverse-bias IV analysis, it is found that the experimental carrier density (ND) value increases with temperature. © 2009 American Institute of Physics.Peer reviewe

Defect studies with positrons: what could we learn on III-nitride heterostructures?

We have applied positron annihilation spectroscopy to study 400 – 500 nm InGaN-based LED structures, as well as InGaN and AlGaN materials with varying In and Al contents. We find that the effect of adding In to GaN on the annihilation parameters obeys the Vegard's law, while in the case of AlGaN the possible effect of Al is completely screened by efficient formation of cation vacancies. The results obtained in the InGaN LED structures are indistinguishable from defect-free GaN, suggesting that the positrons annihilate preferentially in the barriers of the MQW system.Peer reviewe

Diffusion injected multi-quantum well light-emitting diode structure

Peer reviewe

Atomic layer etching of gallium nitride (0001)

In this work, atomic layer etching (ALE) of thin film Ga-polar GaN(0001) is reported in detail using sequential surface modification by Cl2 adsorption and removal of the modified surface layer by low energy Ar plasma exposure in a standard reactive ion etching system. The feasibility and reproducibility of the process are demonstrated by patterning GaN(0001) films by the ALE process using photoresist as an etch mask. The demonstrated ALE is deemed to be useful for the fabrication of nanoscale structures and high electron mobility transistors and expected to be adoptable for ALE of other materials.Peer reviewe

Agency and economic change in regions : identifying routes to new path development using qualitative comparative analysis

This paper investigates the role of human agency in 40 phases of regional economic development in 12 Nordic regions over 30 years. It contributes with a theoretical framework to study agency over time and a fuzzy-set qualitative comparative analysis based on a unique dataset combining over 200 interviews, with printed and online sources, and quantitative data. The paper identifies which combinations of agency types and context conditions make industrial upgrading or diversification possible, and investigates how such combinations come into being. The causal claims from this analysis are illustrated with empirical examples and discussed in relation to previous literature