Mutual Phase Locking of Very Nonidentical Spin Torque Nanooscillators via Spin Wave Interaction

In this paper the mutual phase locking theory of very nonidentical spin-torque nanooscillators, which is based on the Slavin-Tiberkevich model, considering the theory of nonlinear oscillations, is developed. Using generalized Adler equation we calculate phase-locking region of the system with spinwave coupling in the parameter plane - distance between nanocontacts and radii difference. We describe trajectories of such a system in the phase space and show the effect of a broadband synchronization. We introduce a generalization of this approach to the ensembles of spin-torque nanooscillatorsComment: 6 pages, 2 figure

Транзисторы для твердотельных СВЧ-переключателей (обзор)

Introduction. The characteristics of solid-state microwave switches are subject to different requirements depending on the application area and technical problems to be solved. No versatile solution exists that could satisfy all requirements at once. The desire to improve the parameters of switches has led to the emergence of devices based on various technologies. In order to elucidate the current trends and future prospects in the field of switch technologies, semiconductor devices that form the basis of switch circuits should be considered.Aim. To review transistor types used in solid-state switches.Materials and methods. The search and selection of literature sources for review was based on the chronological principle. The search depth for considering the parameters of finished components was no more than 10 years, for considering technologies and structural solutions – more than 10 years. This choice was explained by our desire to trace the history of development and approaches to the creation of semiconductor devices that have led to the emergence of the modern component base. The final array of sources comprised scientific publications presenting factual information on the objects under consideration.Results. The types, structures, materials, characteristics and manufacturing technologies of transistors used in switches are considered. The achievable parameters of the switches based on the considered devices are presented. Conclusion. The choice of a particular transistor type for switches depends on the requirements for the parameters and performance characteristics of the final device. At present, transistor solutions for switches are dominated by field-effect transistors (FETs) of various types: GaAs and GaN transistors with a high electron mobility (HEMT) and Si CMOS FETs implemented by standard as well as silicon-on-insulator and silicon-on-sapphire technologies. The conducted literature review has revealed prospects for the development of technologies based on BiCMOS heterojunction bipolar transistors.Введение. К характеристикам твердотельных СВЧ-переключателей предъявляются различные требования в зависимости от приложения и решаемых технических задач. Естественно, не существует универсального решения, удовлетворяющего сразу всем требованиям. Стремление к совершенствованию параметров переключателей привело к появлению устройств, изготовленных по различным технологиям. Для понимания тенденций развития техники переключателей важно рассмотреть технологии и возможности полупроводниковых приборов, являющихся основой схем переключателей.Цель работы. Обзор типов транзисторов, используемых в твердотельных переключателях.Материалы и методы. В основе поиска и подбора литературы для обзора лежит хронологический принцип. Глубина поиска для рассмотрения параметров конечных компонентов не более 10 лет, для рассмотрения технологий и структурных решений – более 10 лет, ввиду желания проследить историю развития и подходы к созданию полупроводниковых устройств, которые привели к возникновению современной компонентной базы. Конечный массив источников сформирован из научных публикаций, содержащих фактографическую информацию, представленную в обзоре, или дополняющих ее.Результаты. Рассмотрены типы, структуры, материалы, характеристики и технологии изготовления транзисторов, используемых в переключателях. Представлены достижимые параметры переключателей, построенных на рассмотренных приборах.Заключение. Выбор того или иного типа транзистора для переключателей зависит от требований, предъявляемых к параметрам и эксплуатационным характеристикам конечного устройства. На данный момент среди транзисторных решений для переключателей доминируют полевые транзисторы (ПТ) различных типов: GaAs- и GaN-транзисторы с повышенной подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor – HEMT), а также Si КМОП ПТ, реализованные как по стандартной, так и по технологиям "кремний на изоляторе" и "кремний на сапфире". Анализ литературы показал возможные перспективы развития технологии БиКМОП биполярных транзисторов с гетеропереходом

Analysis of the Characteristics of a Biharmonic Oscillator with Two Synchronous Modes

The paper investigates the influence of the coupling coefficient of the double-loop filter forming a biharmonic oscillator on the quality factor and resonant impedance of the input impedance at the resonant frequencies of the double-loop filter. The resonant frequencies of the filter are exactly multiples of 2. In this paper show numerical results that simplify the choice of filter parameters to provide conditions for selfexcitation of two oscillations at exactly multiples of frequencies. Two synchronous modes allow to create a generator with compensation for fluctuations in the reactive component of the output impedance of the active element, which increase the phase noise of the oscillator