Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system

Mechanical strains taking place in GaSb/InAs heterosystem in the presence of misfit dislocation network are investigated. Distributions of energy of strains and deformations in the system with misfit dislocation network were found using two-dimensional simulation. The radius of the dislocation core, depths of the strain penetration into the substrate and epitaxial layer as well as change of the material bandgaps near the heterointerface were calculated

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase

Influence of strains that appear in GaSb/InAs heterosystem on heteroepitaxial layer planarity is considered. It is shown that minimal supercooling of solution-melt at the saturation temperature of gallium antimonide in gallium melt 450 ºC is 7.8 ºС for [111] and 5.8 ºС for [100] growth directions. Calculated are the minimal growth rate 22 nm/s that is necessary for prevention of distortion appearance of epitaxial layer surface caused by elastic strains and the critical thicknesses of misfit dislocation formation – 50 and 54 nm for the [100] and [111] growth directions, respectively. It is shown experimentally that the lack of minimal supercooling leads to the island growth mode

Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon

The porous silicon (PS) current-voltage characteristic (CVC) has measured in transverse and longitudinal applied electric field. The obtained CVC has a varistor-like shape. Besides the practical application this confirms the PS grain structure whose influence is discussed in analizing the mechanism of the visible luminescence in PS

Diode temperature sensors with tunable sensitivity

We investigated the possibility of using of AlGaInP heterostructures with p-n junction as diode temperature sensors having quasi-linear dependence of the forward voltage drop on the ambient temperature at the fixed direct current. Thus we measured the current-voltage characteristics of the p-n structures in the temperature range 293-550 K. Using the data obtained we calculated the differential current thermal sensitivity of the structures mentioned. A semilogarithmic plot of the thermal sensitivity vs. forward current dependence is presented in the figure

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing

The time dependences of changes of the electrophysical, mechanical, and light emitting characteristics of semiinsulated undoped GaAs single crystals on the dissolving annealing (Т = 1050 ºС) with the consequent quenching are obtained. The role of vacancies, interstitial point defects, and dislocations in nonstoichiometric crystals is revealed

Minimal operation current estimation for the temperature sensors based on p+-n GaP diode structures

A decrease of the operation current of diode temperature sensors (DTS) allows to considerably reduce the systematic measurement error of the sensors. In this connection we have made an estimation of the minimum operation current magnitude for p+-n GaP DTS. Thus there is an operation current I at which the total systematic error is minimal. This value I = Imin is taken as the desired current value

Minimal operation current estimation for the temperature sensors based on p+-n GaP diode structures

A decrease of the operation current of diode temperature sensors (DTS) allows to considerably reduce the systematic measurement error of the sensors. In this connection we have made an estimation of the minimum operation current magnitude for p+-n GaP DTS. Thus there is an operation current I at which the total systematic error is minimal. This value I = Imin is taken as the desired current value

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering

The authors investigate how and why defects influence the inverse characteristics of varactors. The paper presents experimental results on the effect laser gettering has on the electrical parameters of varactors. The mechanisms of the laser gettering effect on the parameters of varactors are analyzed.Варикапи широко використовуються в радіоелектроніці як змінна ємність, величина якої управляється напругою. Основними параметрами варикапа є його добротність, номінальна ємність, зворотний струм і коефіцієнт перекриття по ємності, який визначає частотний діапазон використання варикапа. Розробка варикапів зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі дала можливість значно збільшити коефіцієнт перекриття по ємності. При цьому, однак, виникла проблема, пов'язана з низьким виходом придатних приладів через розкид значень номінальної ємності структур по площі пластини, а також високого рівня їх зворотних струмів. Робота присвячена дослідженню впливу структурних дефектів на параметри кремнієвого варикапа зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі і можливості застосування лазерного гетерування для поліпшення його параметрів і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що головною причиною низького відсотка виходу придатних досліджуваних варикапів є окислювальні дефекти упакування (ОДУ), що утворюються в активних областях структур в процесах проведення високотемпературних операцій. Детально розглянута запропонована технологія виготовлення структур варикапів з лазерним гетеруванням, а також особливості створення області гетера на зворотному боці пластин. Приведено експериментальні результати досліджень впливу лазерного гетерування на електричні параметри варикапів. Показано, що застосування розробленої технології дозволяє запобігти або істотно зменшити щільність ОДУ в активних областях структур, що дає можливість знизити рівень зворотних струмів і зменшити розкид значень номінальної ємності варикапів по площі пластини і, як наслідок, підвищити вихід придатних приладів.Работа посвящена исследованию влияния структурных дефектов на параметры кремниевого варикапа с обратным градиентом концентрации примеси в базе и возможности применения лазерного геттерирования для улучшения его параметров и повышения выхода годных приборов. Установлено, что главной причиной низкого процента выхода годных исследуемых варикапов являются окислительные дефекты упаковки (ОДУ), образующиеся в активных областях структур в процессах проведения высокотемпературных операций. Подробно рассмотрена предложенная технология изготовления структур варикапов с лазерным геттерированием, а также особенности создания области геттера на обратной стороне пластин. Приведены экспериментальные результаты исследований влияния лазерного геттерирования на электрические параметры варикапов. Показано, что применение разработанной технологии позволяет предотвратить или существенно уменьшить плотность ОДУ в активных областях структур, дает возможность снизить уровень обратных токов и уменьшить разброс значений номинальной емкости варикапов по площади пластины и, как следствие, повысить выход годных приборов

Water Circulation in the Northern Black Sea in Summer 2016 (Based on the Data Obtained in the 87th Cruise of the R/V Professor Vodyanitsky)

The present work represents the results of water circulation in the northern Black Sea analyzed based on the data of the surveys carried out in the 87th cruise of R/V Professor Vodyanitsky in July 2016. It is shown that during the survey the westward flows being the Rim Current (RC) manifestation are predominant within the studied water area. Based on the survey data, the latitudinal location of the Rim Current geostrophical deep stream is close to its climatic position. In the western part of the polygon, the Rim Current is divided into three branches. The northern branch is located over the shelf, the central one – over the continental slope and the southern one – over the deep-sea regions. The Sevastopol anticyclone is characterized by extremely asymmetric vertical development: its northern periphery over the shelf is weak, whereas the southern periphery over the continental slope is intensive. In the central part of the polygon the Rim Current intensifies, at that one intensive stream is traced. In the eastern part of the polygon two branches of the Rim Current are observed: the intensive northern one over the continental slope and the coastal shelf, and the one located closer to the deep-sea regions (its velocity is rather low and it weakens moving eastward). In the upper layer to the east off Cape Ai-Todor, the anticyclonic gyre is observed; whereas within the 50–100 m below it, the cyclonic turn of the currents is revealed

Near band-edge luminescence of semi-insulating undoped gallium arsenide at high levels of excitation

The dependences of the maximum and the half-width of near band-edge photoluminescence of semi-insulating undoped GaAs crystals at 77K on the concentration of background acceptor impurities and the level of excitation in the range from 3x1021 to 6x1022 quantum/(cm2/s) are investigated. The observed dependences are explained by formation of the density tails of states as a result of fluctuations of impurity concentration and participation of localized states of the donor impurity band in radiative transitions. Reduction of many-particle interaction at increasing of N can be connected with increasing of shielding of charge carriers by atoms of impurity.Comment: 6 pages, 3 figure