Кинетические эффекты, обусловленные флуктуациями толщины квантовой полупроводниковой проволоки

The electrical conductivity, thermopower and thermal conductivity of semiconductor quantum wire conditioned by a random field of Gaussian fluctuations of wire thickness are theoretically determined. We present the results for cases nondegenerate and generate statistics of carriers. The considered mechanism of relaxation of the carriers is essential for sufficiently thin and clean wire from the А3В5 and А4В6 type of semiconductors at low temperatures. The quantum size effects that are typical of quasi-one-dimensional systems were revealed.Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідни- кового дроту внаслідок гаусівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків не- виродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких тем- пературах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.Теоретически определены электропроводность, термоэдс и теплопроводность квантовой полупро- водниковой проволоки вследствие гауссовських флуктуаций толщины проволоки. Результаты приве- дены для случаев невырожденной и вырожденной статистики носителей заряда. Рассмотрен меха- низм релаксации носителей заряда является существенным для достаточно тонкого и чистого прово- локи из полупроводников типа А3В5 и А4В6 при низких температурах. Определены квантово- размерные эффекты, характерные для квазиодномерных систем

Crystallochemistry of defects in lead telluride films

The crystallochemical model of vapor-phase epitaxy of the lead telluride films has been proposed with the supposition about the simultaneous formation of singly charged, doubly charged and electroneutral Frenkel defects in the cationic sublattice. It has been shown that in spite of the large concentration of partly compensated doubly charged defects the singly charged Frenkel pairs Pbi⁺ and VPb⁻ also play an essential role in change carrier concentration in PbTe films. The results of numerical calculation agree with the available experimental data of the dependence of charge carrier's concentration in films upon the partial pressure of tellurium vapor and the deposition's temperature in the hot-wall method