The electrical conductivity, thermopower and thermal conductivity of semiconductor quantum wire
conditioned by a random field of Gaussian fluctuations of wire thickness are theoretically determined. We
present the results for cases nondegenerate and generate statistics of carriers. The considered mechanism
of relaxation of the carriers is essential for sufficiently thin and clean wire from the А3В5 and А4В6 type of
semiconductors at low temperatures. The quantum size effects that are typical of quasi-one-dimensional
systems were revealed.Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідни-
кового дроту внаслідок гаусівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків не-
виродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є
суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких тем-
пературах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.Теоретически определены электропроводность, термоэдс и теплопроводность квантовой полупро-
водниковой проволоки вследствие гауссовських флуктуаций толщины проволоки. Результаты приве-
дены для случаев невырожденной и вырожденной статистики носителей заряда. Рассмотрен меха-
низм релаксации носителей заряда является существенным для достаточно тонкого и чистого прово-
локи из полупроводников типа А3В5 и А4В6 при низких температурах. Определены квантово-
размерные эффекты, характерные для квазиодномерных систем
