Between seas and continents: aspects of the scientific career of Hermann Von Ihering, 1850-1930

This paper covers some periods in Hermann von Ihering’s scientific trajectory: his training in zoology in Germany and Naples, his international activities based in Brazil, and his return to Germany. It deals with aspects of the formulation of his theories on land bridges. It focuses on the network of contacts he maintained with German émigrés like himself, and primarily with Florentino Ameghino, which allowed him to interact in international scientific circles. It mentions excerpts of his letters and his publications in the periods when he began corresponding with Ameghino (1890), when he travelled to Europe in search of support for his theories (1907), and when he published his book on the history of the Atlantic Ocean (1927).Facultad de Ciencias Naturales y Muse

Влияние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин

Mechanical processing of semiconductor monocrystalline ingots is one of the key stages in the production of GaAs wafers. The main issue for obtaining high-quality plates is to determine the optimal parameters of machining and is to identify the dependencies of the surface quality of the substrates after cutting on the parameters set in this technological process. Technology for the production of polished semiconductor wafers (substrates) almost all semiconductor materials have a similar and has in its difference only a number of distinctive features related to the mechanical and structural features of individual materials. Mechanical processing is the first stage after crystal growth, in which it is necessary to observe and improve many technological parameters to obtain high-quality finished products. In the technological process of semiconductor processing, it is necessary first of all to divide the crystal into plates with similar surface characteristics. The quality of this separation determines which plates will eventually turn out and how suitable they will be as substrates for the production of devices in mass production. The study of the influence of cutting parameters on the structure of the disturbed layer and the basic geometric parameters of the plates allows us to identify the optimal parameters of mechanical cutting and to identify the range of deviations possible to obtain plates of similar quality for further processing.Механическая обработка полупроводниковых монокристаллических слитков является одним из ключевых этапов в производстве пластин GaAs. Основной вопрос для получения качественных пластин — определение оптимальных параметров механической обработки, которое заключается в выявлении зависимостей качества поверхности подложек после резки от задаваемых при этом технологическом процессе параметров. Технология получения полированных полупроводниковых пластин (подложек) у практически всех полупроводниковых материалов схожая и имеет в своем различии только ряд отличительных черт, связанных с механическими и структурными особенностями отдельных материалов. Механическая обработка является первым после роста кристалла этапом, при котором необходимо соблюдать и совершенствовать множество технологических параметров для получения качественной готовой продукции. В технологическом процессе обработки полупроводника необходимо в первую очередь разделить кристалл на пластины со схожими поверхностными характеристиками. От качества этого разделения зависит то, какие пластины получатся в конечном итоге и насколько они будут пригодны как подложки для производства приборов при массовом производстве. Исследование влияния параметров резки на структуру нарушенного слоя и основных геометрических параметров пластин позволяет выявить оптимальные параметры механической резки и диапазон отклонений, возможный для получения пластин схожего качества для дальнейшей обработки

Local structure study of In_xGa_(1-x)As semiconductor alloys using High Energy Synchrotron X-ray Diffraction

Nearest and higher neighbor distances as well as bond length distributions (static and thermal) of the In_xGa_(1-x)As (0<x<1) semiconductor alloys have been obtained from high real-space resolution atomic pair distribution functions (PDFs). Using this structural information, we modeled the local atomic displacements in In_xGa_(1-x)As alloys. From a supercell model based on the Kirkwood potential, we obtained 3-D As and (In,Ga) ensemble averaged probability distributions. This clearly shows that As atom displacements are highly directional and can be represented as a combination of and displacements. Examination of the Kirkwood model indicates that the standard deviation (sigma) of the static disorder on the (In,Ga) sublattice is around 60% of the value on the As sublattice and the (In,Ga) atomic displacements are much more isotropic than those on the As sublattice. The single crystal diffuse scattering calculated from the Kirkwood model shows that atomic displacements are most strongly correlated along directions.Comment: 10 pages, 12 figure

СИНТЕЗ СИСТЕМЫ ЗАЖИГАНИЯ АВТОМОБИЛЯ, РАБОТАЮЩЕГО НА ОЗОНИРОВАННОМ ТОПЛИВЕ

The paper presents a mathematical model for electronic control system of the angular ignition timing (AIT) in the (ICE), which is running on ozonized fuel. An algorithm for  ignition system control of internal combustion engine using ozonized fuel has been developed in the paper. A structure of the dynamic ignition system while using a control unit for supplying  ozone into fuel with a purpose to improve automobile ecological and economical indices adapted to operational conditions. Application of the given system allows to ensure minimum reduction of operational petrol consumption and concentration of incomplete combustion products due to optimum ozone dosage into the fuel.  The paper proposes a controlled automobile ignition system as a sequential scheme which has a great number of discrete inputs and outputs and many discrete internal  states. The scheme establishes a functional dependence between input and output states. The paper provides an assessment of ecological indices according to massive emissions of carbon monoxide СО, hydrocarbon СпНт and nitric oxide NOx .  The analysis of  investigations results has been carried out in the paper.Разработана математическая модель электронной системы управления углом опережения зажигания (УОЗ) в двигателе внутреннего сгорания (ДВС), работающем на озонированном топливе. Разработан алгоритм управления системой зажигания ДВС на озонируемом топливе. Создана структура динамической системы зажигания с использованием блока управления подачи озона в топливо для повышения экологических и экономических показателей автомобиля адаптированных к условиям эксплуатации. Применение данной системы позволяет за счет дозирования оптимального количества озона в топливо обеспечить снижение расхода бензина и концентрации продуктов неполного сгорания с точки зрения минимумов в условиях эксплуатации. Представлена управляемую систему зажигания автомобиля как последовательную схему, которая имеет множество дискретных входов, множество дискретных выходов и множество дискретных внутренних состояний. Схема устанавливает функциональную зависимость между состояниями входа и состояниями выхода. Проведена оценка экологических показателей по массовым выбросам оксида углерода СО углеводородов СпНт, оксидов азота NOx, выполнен анализ результатов исследований