The Phase Equilibria in the Quasiternary System Ag 2 Se–Ga 2 Se 3 –ZnSe.

Система Ag2Se–Ga2Se3–ZnSe досліджувалася методами РФА та ДТА аналізу. Для даної системи характерна складна взаємодія фаз із утворенням твердих розчинів значної протяжності. Для системи Ag2Se–Ga2Se3–ZnSe характерне утворення твердого розчину значної протяжності на основі Ga2Se3. The system Ag2Se–Ga2Se3–ZnSe was probed the methods of RFA and DTA of analysis. For this system the characteristic difficult co-operating of phases is with formation of hard solutions of considerable slowness. For the system Ag2Se–Ga2Se3–ZnSe characteristic formation of hard solution of considerable slowness is on the basis of Ga2Se3

Investigation of the Systems Сu(Ag)In5S8 − FeIn2S4

Використовуючи методи диференційно-термічного та рентгенофазового аналізів, досліджено фазові рів- новаги перерізів Сu(Ag)In5S8 – FeIn2S4. Сполуки СuIn5S8 та AgIn5S8 утворюють НРТР зі сполукою FeIn2S4. Пере- різ AgIn5S8 – FeIn2S4 є квазібінарним (І тип за класифікацією Розебома), СuIn5S8 − FeIn2S4 є частково квазібі- нарним, що зумовлено інконгруентним типом утворення СuIn5S8. Ці сполуки кристалізуються в структурному типі шпінели (ПГ Fd 3 m). Using differential thermal and X-ray phase analysis methods, phase equilibria at the Сu(Ag)In5S8 − FeIn2S4 section were investigated. Compounds СuIn5S8 and AgIn5S8 forms continuous solid solution series with FeIn2S4. The section AgIn5S8 − FeIn2S4 is quasi-binary (belongs to Roozeboom I type), section СuIn5S8 − FeIn2S4 is partially non-quasibinary due to the incongruent type of the formation of СuIn5S8. The all compounds has crystal structure of the spinel type (S.G. Fd3 m)

The New Ion-Selective Electrodes for Determination of Copper (ІІ).

На основі Cu2CdGeS4 виготовлено нові Cu2+-селективні електроди. Крутизна електродної функції складає 39–54 мВ/pC у межах визначення Cu2+ 1·10-8–1·10-1 моль/л при рН 3,0–7,0. Електрод апробований як індикаторний при потенціометричному титруванні Cu2+. A new Cu2+-selective electrodes was prepared on the basis of the Cu2CdGeS4. The electrode exhibits the slope of the electrode function 39–54 mV/pC and provides in the determination of 1·10-8−1·10-1 mol/l copper (II) in the pH range 3,0–7,0. The electrode was used for the potentiometric indication of the titration end point in the determination of Cu2+

Properties of the Single Crystals Grown from the Solution-Melts of the Reciprocal System Cu,In,Cd||Те,Se.

Досліджені фізичні властивості монокристалів g-фази, вирощених горизонтальним методом Бріджмена по перерізу CuInSe2–2CdTe системи Cu,In,Cd||Те,Se. Визначена ширина забороненої зони цих кристалів за спектрами поглинання. Виміряно фотопровідність кристалів. Визначено тип провідності зразків із результатів вимірювання термо-ерс. Оптичні властивості кристалів досліджували вимірюваннями ефекту Холла i температурної залежності провідності кристалів. Physical properties of the single crystals of g-phase grown by the horizontal Bridgman method along the CuInSe 2–2CdTe section of the Cu,In,Cd||Те,Se system were investigated. The bandgap energy of these crystals was determined from the absorption spectra. The photoconductivity of the crystals was measured. The conductivity type of the samples was determined from the thermo-EMF measurements. Optical properties of the crystals were investigated by Hall measurements and by the temperature dependence of the conductivity

Crystall Structure Compounds Type Hg5C2X8 (C−Ga, In; X−S, Se, Te) and Solid Solution

Используя методы РФА та РСА анализов, изучена структура соединений состава Hg5C2X8 (C–Ga, In; X–S, Se, Te) и твердых растворов на их основе. Соединения Hg5Ga2Se8, Hg5In2Se8, Hg5Ga2Te8 та Hg5In2Te8 кристализируются в ПГ F 4 3m с параметром элементарной ячейки а = 1,16876(2) нм, 1,18876(2) нм, 1,24738(2) нм и 1,26723(2) нм соответственно. Using X-ray phase and X-ray structure analysis methods, crystal structure compounds type Hg5C2X8 (C–Ga, In; X–S, Se, Te) and solid solution were investigated. Compaunds Hg5Ga2Se8, Hg5In2Se8, Hg5Ga2Te8 and Hg5In2Te8 has crystal structure of the F4 3m with а = 1,16876(2) nm, 1,18876(2) nm, 1,24738(2) nm and 1,26723(2) nm

The Phisycal Properties of the γ-Phase Single Crystals of the Reciprocal System CuInSe2 + 2CdTe ÛCuInTe2 + 2CdSe

Исследованы физические свойства монокристаллов g-фазы, выращенных модифицированным методом Бриджмена по сечению CuInSe2− 2CdTe системы CuInSe2 + 2CdTe Û CuInTe2 +2 CdSe. Определена ширина запрещенной зоны этих кристаллов по спектрам поглощения. Электрические свойства кристаллов определяли измерениями эффекта Холла и температурной зависимости проводимости кристаллов. The physical properties of the single crystals of the g-phase grown by modified Bridgman method of the CuInSe2 + 2CdTe ÛCuInTe2 + 2CdSe system have been investigated. The band gap of these crystals from the absorption spectra was defined. The electrical properties of the crystals were determined by measuring the Hall effect and temperature dependence of the crystal conductivity

Electrical, Optical and Photoelectrical Properties of Cd1-x ZnxTe (x=0,04) Single Crystals .

Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів Cd0,96 Zn 0,04 Te p-типу провідності, отримані методом Бріджмена в парах Cd та Zn. Темновий питомий опір монокристалів при Т≈300 К становив ρ≈10 6 –10 7 Ом·см, коефіцієнт термо- ЕРС – α≈700 мкВ/К. За результатами досліджень магнітоопору оцінено кон-центрацію та рухливість дірок. За положенням краю смуги власного оптичного поглинання, який описується правилом Урбаха, оцінено ширину забороненої зони (E g ≈1,53 еВ). Температурна залежність електропровідності досліджувалась в інтервалі температур 300 –700 К і має активаційний характер. ; Electric al, optical and photoelectrical properties of p-type single crystals Cd1- x Zn x Te grown by Bridgman method under Cd and Zn vapour pressure have been investigated. The resistivity of single crystals at T≈300 K is ρ≈10 6 - 10 7 Ohm·cm, the thermoelectric power factor - α≈700 μV/K. According to studies of the magnetoresistance concentration and mobility of holes have been estimated. On the position of the edge of intrinsic optical transitions, which is well described by the Urbach rule, the optical width of the forbiddenzone of the compound was evaluated (Eg ≈1,53 eV at T≈300 K). Temperature dependence of electrical conductivity was investigated in the temperature region from 300 K to 700 K and is shown to have activation character