Precision determination of band offsets in strained InGaAs/GaAs quantum wells by C-V-profiling and Schroedinger-Poisson self-consistent simulation

The results of measurements and numerical simulation of charge carrier distribution and energy states in strained quantum wells In_xGa_{1-x}As/GaAs (0.06 < x < 0.29) by C-V-profiling are presented. Precise values of conduction band offsets for these pseudomorphic QWs have been obtained by means of self-consistent solution of Schroedinger and Poisson equations and following fitting to experimental data. For the conduction band offsets in strained In_xGa_{1-x}As/GaAs - QWs the expression DE_C(x) = 0.814x - 0.21x^2 has been obtained.Comment: 9 pages, 12 figures, RevTeX

Spin-orbit interaction in three-dimensionally bounded semiconductor nanostructures

The structural inversion asymmetry-induced spin-orbit interaction of conduction band electrons in zinc-blende and wurtzite semiconductor structures is analysed allowing for a three-dimensional (3D) character of the external electric field and variation of the chemical composition. The interaction, taking into account all remote bands perturbatively, is presented with two contributions: a heterointerface term and a term caused by the external electric field. They have generally comparable strength and can be written in a unified manner only for 2D systems, where they can partially cancel each other. For quantum wires and dots composed of wurtzite semiconductors new terms appear, absent in zinc-blende structures, which acquire the standard Rashba form in 2D systems.Comment: 18 pages, 1 figur

Литые катоды и мишени системы Al–Cr–Nb–Si для нанесения упрочняющих нитридных покрытий

The article describes a method for determining eutectic compositions of 3- and 4-component systems for obtaining cathodes and targets by casting. The eutectic compositions of the alloys in the ternary systems Al–Nb–Si, Cr–Nb–Si and the 4-component system Al–Cr–Nb–Si are calculated. The cathode of the eutectic composition (68Al8Cr4Nb20Si) at.%. was obtained by casting in a vacuum-induction furnace. The microstructure of the cathode material is investigated. Phase and elemental analysis are performed. The melting point of the alloy is determined by DSC (differential scanning calorimetry) and is 570 °C. The results of the research of hardening nitride coatings obtained by vacuum arc deposition in a nitrogen atmosphere are presented. The developed alloy of the Al–Cr–Nb–Si system of eutectic composition, namely (68Al8Cr4Nb20Si) at.% is used as a cathode. The dependence of the microhardness of the coatings on the pressure of nitrogen is determined. The microhardness of the coatings obtained at nitrogen pressure of 7 · 10–2 Pa reached 30 GPa. The phase composition of the coatings is investigated. All samples contain AlN, NbN, Si3N4 phases. The coefficient of friction of these coatings is 0.75–0.8. Cast cathode (68Al8Cr4Nb20Si) at.% can be an alternative to replace the currently used powder and composite cathodes.Описан метод определения эвтектических составов трех- и четырехкомпонентных систем для получения катодов и мишеней методом литья. Проведен расчет эвтектических составов сплавов в тройных системах Al–Nb–Si, Cr–Nb–Si и четверной системы Al–Cr–Nb–Si. Методом литья в вакуумной индукционной печи получен катод состава, близкого к эвтектическому, а именно (68Al8Cr4Nb20Si) ат.%. Исследована микроструктура, элементный и фазовый состав материала катода. Температура плавления сплава была определена методом ДСК (дифференциальной сканирующей калориметрии) и составила 570 °С. Представлены результаты исследования упрочняющих нитридных покрытий Al–Cr–Nb–Si–N, полученных методом вакуумного катодно-дугового осаждения в атмосфере азота. В качестве катода использовался разработанный сплав. Установлена зависимость микротвердости покрытий от давления азота. С увеличением давления азота микротвердость покрытий увеличивалась от 15 ГПа при Разота = 1 · 10–2 Па до 30 ГПа при Разота = 7 · 10–2 Па, а затем снижалась до 20 ГПа. Исследован фазовый состав покрытий. Во всех образцах присутствуют фазы AlN, NbN, Si3N4. Коэффициент трения покрытий, полученных при давлении азота (1–50) · 10–2 Па, стабилизировался на уровне 0,75–0,8. Литой катод (68Al8Cr4Nb20Si) ат.% может быть альтернативой для замены используемых в настоящее время порошковых и составных катодов

Сплавы системы Cr–Ni–Si для получения резистивных элементов интегральных микросхем методом магнетронного распыления

This article presents the results of the study of the effect of annealing on the sheet resistivity and temperature coefficient of resistance (TCR) of resistive films obtained from targets of the Cr–Ni–Si system using magnetron sputtering. A diagram of the composition–sheet resistivity of the Cr–Ni–Si system films with a thickness of 100 nm is proposed. It was established that resistive films of the Cr–Ni–Si system deposited by magnetron sputtering on silicon semiconductor plates with a SiO2 sublayer with a thickness of 100 nm, have sheet resistivity up to 350 Ω/square. It is shown that it is necessary to determine their eutectic compositions for the manufacture of targets by casting. Calculations were carried out and it was established that eutectics of the Cr–Ni–Si system contain 36.4 and 38.5 at.% Ni, which is 4 to 6 times higher than in the PC series alloys of this system. Due to the high content of Ni sheet resistivity films of eutectic compositions with a thickness of 100 nm is in the range from 100 to 200 Ω/square. It was noted that it is necessary to develop new four-five-component alloys based on the Cr–Ni–Si system with the introduction of refractory (Mo, Nb) and rare-earth (La, Y) elements into it, in order to increase the sheet resistivity of films and to decrease the melting temperature of alloys.Представлены результаты исследования влияния режимов термообработки на удельное поверхностное сопротивление (УПС) и температурный коэффициент сопротивления (ТКС) резистивных пленок, полученных из мишеней системы Cr–Ni–Si методом магнетронного распыления. На основании обобщения экспериментальных данных предложена диаграмма состав–УПС пленок системы Cr–Ni–Si толщиной 100 нм. Установлено, что резистивные пленки системы Cr–Ni–Si, нанесенные методом магнетронного распыления на кремниевые полупроводниковые пластины с подслоем SiO2, при толщине 100 нм имеют УПС до 350 Ом/кв. Показано, что для изготовления мишеней магнетронных распылительных систем (МРС) методом литья необходимо снизить температуру плавления и хрупкость сплавов, то есть определить их эвтектические составы. Проведены расчеты и установлено, что эвтектики в системе Cr–Ni–Si содержат 36,4 и 38,5 ат.% Ni, что в 4–6 раз выше, чем у сплавов серии РС этой системы. В связи с большим содержанием Ni УПС пленок эвтектических составов толщиной 100 нм находится в диапазоне от 100 до 200 Ом/кв. Отмечено, что для повышения УПС резистивных пленок и снижения температуры плавления сплавов целесообразна разработка новых четырех- и пятикомпонентных сплавов на основе системы Cr–Ni–Si с введением в нее тугоплавких (Mo, Nb) и редкоземельных (La, Y) элементов

Штриховой тест-объект оценки в натурных экспериментах пространственно-частотного и энергетического разрешений цифровых инфракрасных систем получения видовой информации

This article contains the results of work on creating a mobile test object for evaluating the main parameters of digital infrared systems for obtaining airborne imagery information.Излагаются результаты работы над созданием мобильного тест-объекта для оценки в лётных условиях основных параметров цифровых инфракрасных систем получения видовой информации воздушного базирования

Корреляция радиуса катодного пятна вакуумной дуги металлов и размера генерируемых микрокапель

The simple relation to estimate the cathode spot radius of a vacuum arc of pure metals is obtained. On its basis, is established between the cathode spot radius and the size of droplets generated by the cathode spot a correlation. This enables to find ways to reduce droplets in the plasma flow, which forms coatings by the vacuum electric arc method. The paper presents the results of experimental study of the droplet sizes depending on the vacuum arc current iд. The size and amount of the droplets on an area of 1 mm2 of the coating surface are determined using the ImageSP program. As the initial data, the microstructures of the coatings are used with an increase of: ç100, ç200, ç500, ç1000, ç1500. The droplets have been generated by a cathode spot of a vacuum arc for the alloy of the composition, at.%: 68Al–8Cr–4Nb–20Si. It is established that the number of droplets with a diameter of &lt; 2 μm is generated most of all, and the number of droplets with a diameter &gt; 10 μm is generated least of all. The number of generated droplets with a diameter from 2 to 10 μm slightly depends on the arc current iд. It is noted that the diameter of the alloy droplet is smaller than the diameter of the droplets generated by the cathode spot on its components due to the fact that the radius of the cathode spot on the alloy is smaller than the radius of the cathode spot on its pure components.Получено простое соотношение для оценки радиуса катодного пятна вакуумной дуги чистых металлов, и на его основе установлена корреляционная связь между радиусом катодного пятна и размерами микрокапель, генерируемых катодным пятном, что позволяет находить пути их уменьшения в плазменном потоке, который формирует покрытия вакуумным электродуговым методом. Представлены результаты экспериментального исследования размеров микрокапель, генерируемых катодным пятном вакуумной дуги, для сплава состава, в ат.%: 68Al–8Cr–4Nb–20Si, в зависимости от силы тока вакуумной дуги iд. Размер и количество капельной фазы на площади в 1 мм2 поверхности покрытия определены с помощью программы ImageSP. В качестве исходных данных использовали микроструктуры покрытий с увеличением: ç100, ç200, ç500, ç1000, ç1500. Установлено, что больше всего генерируется микрокапель диаметром &lt; 2 мкм, а меньше всего – диаметром &gt; 10 мкм. Количество генерируемых микрокапель диаметром от 2 до 10 мкм незначительно зависит от iд. Отмечено, что диаметр микрокапель сплава меньше, чем диаметр микрокапель, генерируемых катодным пятном на его компонентах, за счет того, что радиус катодного пятна на сплаве меньше, чем радиус катодного пятна на его чистых компонентах

Correlations in STAR: interferometry and event structure

STAR observes a complex picture of RHIC collisions where correlation effects of different origins -- initial state geometry, semi-hard scattering, hadronization, as well as final state interactions such as quantum intensity interference -- coexist. Presenting the measurements of flow, mini-jet deformation, modified hadronization, and the Hanbury Brown and Twiss effect, we trace the history of the system from the initial to the final state. The resulting picture is discussed in the context of identifying the relevant degrees of freedom and the likely equilibration mechanism.Comment: 8 pages, 6 figures, plenary talk at the 5th International Conference on Physics and Astrophysics of Quark Gluon Plasma, to appear in Journal of Physics G (http://www.iop.org