Laser induced birefringence in La–Ga–S–O–Gd glass polymer nanocomposites

In this work, we demonstrate a possibility to use La–Ga–S–O–Gd glass polymer nanocomposites as effective materials for photo-induced birefringence. Here we chose PVA as a photopolymer matrix. The photo-induced effects were studied using 8 ns Nd: YAG laser generating bicolor coherent light beams with wavelengths 1064, and 532 nm. The detection of the photo-induced birefringence was carried out using cw He–Ne laser at 1150 nm. The optimal concentration of the nanoglass favoring maximal changes of refractive indices is established. The photo-induced laser power density was changed up to 0.9 GW/cm2. The photo-induced beams were incident at angles varying within the 32° and 52° with respect to the nanocomposite planes. The polarizations of the beams did not play principal role. We discovered an appearance of maximal birefringence equal to about 0.078. The effect is strongly dependent on the nanoparticle sizes and is completely reversible after switching off the laser treatment within several milliseconds. Such features are useful for the recording of optical information and production of gratings with desirable periods

The influence of Cu Dopant Atoms on the Stabilization of Defect Clusters in CdS single Crystals Irradiated by Neutrons

Досліджувалися леговані міддю монокристали CdS:Cu (NCu ≈ 10 18 cм -3 ), опромінені швидкими реакторни ми нейтронами (Е ≈ 1 МеВ) дозою Ф ≈ 3∙10 18 см -2 . Утворені нейтронною радіацією кластери дефектів (КД) у лего-ваних зразках виявилися стійкими структурними пошкодженнями, які без помітної зміни своїх параметрів можуть існувати в опроміненому матеріалі при Т ≈ 300 К тривалий час (вісім і білше років). Додаткове опро -мінення таких зразків рентгенівськими променями веде до зростання хвостів щільності електронних станів у забороненій зоні. Після припинення дії рентгенівської радіації кристали релаксують (при Т ≈ 300 К протягом ~1500–1600 год) до попереднього стану, тобто до рентгенівського опромінення, що свідчить про незмінність концентрації КД. У чистих кристалах така релаксація веде до повного відпалу кластерів. Запропоно вана несуперечлива фізична модель процесів, яка пояснює стабілізацію КД атомами Cu. ; CdS:Cu single crystale doped with copper atoms (the concentration of dopant N Cu consists 10 18 cm -3 ), irradiated by fast reactor neutrons with the dose -2 18 cm 10 3 were investigated. Defects clusters, formed by neutron irradiation are shown to be stable structural damages, that may exist in the irradiated material at 300K for a long time (more than 8 years) without significant changes of their parameters. Additonal irradiation of such samples by X -rays causes the growth of the «tales» of electron density of states in the band gap. After the termination of X-ray irradiation the crystals relax to the state before the X-ray activation. That reviels, that the cluster concentration does not change

Optical Properties of Crystals of Tl1-x In1-x Sn x Se 2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,25)

Досліджували спектри оптичного поглинання шаруватих напівпровідників системи Tl 1-x In1-x Sn x Se 2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,25). За спектрами пропускання в області краю власного поглинання розраховано коефіцієнт поглинання α. Описано механізм зменшення ширини забороненої зони g E твердого розчину при збільшенні вмісту SnSe 2 ; Investigated optical absorption spectra of layered semiconductor system Tl 1-x In1-x Sn x Se 2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,25). For the transmission spectra in the region of intrinsic absorption calculated absorption coefficient α. We describe the mechanism of reduction of band gap of the solid solution with increased content SnSe 2

Whey electrodialysis using organic-inorganic membranes

Organic-inorganic membranes based on heterogeneous ion exchange polymer supports, which were modified with hydrated zirconium dioxide (anion exchange membrane) and zirconium hydrophosphate (cation exchange separator), were used for whey desalination as well as for concentrate and permeate of whey nanofiltration. Comparing with pristine polymer membranes, the composite materials are characterized by stability against fouling inside pores. The membranes were applied to desalination of whey and products of its baromembrane treatment. Exponential decay of electrical conductivity over time has been found for the solutions being purified. The membrane resistance grew simultaneously

The Influence of Doping with Groups I, III, IV Elements on Some Physical Properties of Quaternary Compound AgGaGe3 Se 8 Single Crystals

Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3 Se 8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука − високоомний (~10 -7 −10 -10 Ом -1 см -1 , при Т ≈ 300К) широкозонний напівпровідник (Eg ≈ 2,4 еВ) р-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe 3 Se 8 з 5 10% концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (hν < 1,8 еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів. ; The electric, optical and photoelectric properties of quaternary phase AgGaGe3 Se 8 single crystals, doped with Cu, In, Si, Sn atoms have been investigated. It has been shown, that the compound is a high resistant (~ 10 -7 −10 -10 Om -1 cm -1 at T ≈ 300 K) wide-band semiconductor (E g ≈ 2,4 eV) that has p-type conductivity and its electric, optical and photoelectric parameters depend on the nature and concentration of the dopant. It is shown that doping of AgGaGe 3 Se 8 with impurity concentration 5−10% leads to the enlightenment of the crystal in the © Кітик І. В., Мирончук Г. Л., Давидюк Г. Є., Якимчук О. В., Парасюк О. В., Хмель М., 2012 РОЗДІЛ I. Фізика твердого тіла. 3, 2012 9 transparency window (h ν < 1,8 eV). On the base of the proposed physical model with provision for the features of disordered systems the interpretation of experimental results has been carried out

Peculiarities of Electric and Optical Properties of Qaternary Single Crystalline Compounds Ag2CdSnS4

Вивчались, одержані в лабораторіях університету об’ємні (60 10 10) мм2 монокристалічні тетрарні сполуки Ag2CdSnS4. Внаслідок високої концентрації технологічних дефектів N 2 1018см 3 вони проявляють риси невпорядкованих систем. На основі дослідження температурних залежностей електропровідності, спектрів поглинання світла, фотопровідності, оптичного гашення фотопровідності встановлено енергетичні положення технологічних дефектів у забороненій зоні, які відповідальні за електрично і оптично активні центри в Ag2CdSnS4, визначено ширину забороненої зони сполуки ( Eg 1,92еВ при T 300K ). Запропоновано несуперечливу фізичну модель спостережуваних процесів у монокристалах тетрарного халькогеніду Ag2CdSnS4.; Single crystals of quaternary compounds Ag2CdSnS4, obtained in the laboratories of the University, have been studied. Due to high concentration of technological defects (N≈2·1018cm-3) they exhibit the features of disordered systems. The energy position in the forbidden band of technological defects responsible for electric and optical properties of Ag2CdSnS4, the energy gap of the compounds (Eg ≈1,92 eV at Т≈300К) have been determined from the temperature dependence of electric conductivity, absorption spectra of photoconductivity and optical quenching of photoconductivity. Non- contradictory physical model of processes observed in single crystals of quaternary chalcogenides Ag2CdSnS4 has been suggested

The Electrical and Optical Properties of the Single Crystal AgGaGe2S2Se4

Досліджено монокристали твердих розчинів 50 %мол. AgGaGeS4 + 50мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної гратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів, не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну й термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Еg 2,30еВ при Т ≈ 300К). Монокристали розчину AgGaGe2S2Se4 виявилися фоточутливими напівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідності та спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дає змогу пояснити експериментально одержані результати. Single crystals of the solid solution of 50 mol.% AgGaGeS4 + 50 mol.% AgGaGe3Se8 were investigated. Due to the statistical distribution of Ga and Ge atoms in their sites and the existence of the vacancies in Ag sites, the solid solution exhibits the properties of disordered semiconductors with the maximum density of localized energy states near the middle of the band gap. Optical and thermal bandgap energy and their temperature dependence were determined (Еg=2.30 еV at 300 К). AgGaGe2S2Se4 single crystals were photosensitive р-type semiconductors with the Fermi level near the middle of the band gap. Peculiarities of the conductivity and the spectral distribution of the photoconductivity of the samples were investigated. A non-contradictory physical model is suggested which explains the experimental results

Laser induced elastooptics in novel Bi2O3, and Pr2O3 doped tellurite rich glasses

We have studied the laser stimulated effects in 70TeO2-10ZnO-10WO3-5TiO2-5Na2O (mol%) glasses doped with 1…5 mol%. of Bi2O3, and Pr2O3, respectively. The photoinduced processes were performed using two coherent beams of 532 nm doubled frequency Nd: YAG pulsed laser at angles varying within 28 to 26 degree. The low-power 532 nm beam has served as a probing one for detection of photoinduced changes. The crucial dependence on the Pr3+ and Bi dopants was observed. This one allows using these compounds for the laser operated optical devices