Retrospective analysis of production of main active ingredients and assortment of disinfectants in Ukraine

There are practically no disinfectants on the market of veterinary drugs that fully meet the requirements. This is due to the significant diversity and peculiarity of the structure of microorganisms and their ability to form resistance during long-term use of the same disinfectants. This is one of the reasons for the active search for effective active substances, the development of new drugs, and their registration, contributing to quite intensive changes in the range of disinfectants on the market. The work aimed to analyze the production, determine the share of domestic and imported disinfectants, determine the main active substances, and the range of disinfectants registered in Ukraine. The research material was a list of disinfectants registered in Ukraine used in animal husbandry, veterinary and humane medicine, and the food industry. It was established that from 2018 to 2022, 66 domestic and imported disinfectants were registered in Ukraine. Imported disinfectants are produced mainly in Great Britain, France, Belgium, Spain, Germany, Israel, Slovenia, Denmark, and the Netherlands. From among domestic companies, PP “Kronos Agro”, LLC “BioTestLab”, LLC “SANFORT-P”, LLC “Brovapharma”, LLC “Ukrvetprompostach”, LLC “Ukrainian-Polish joint enterprise “ZVK”, LLC “VetAgro” are engaged in the production of disinfectants, LLC “Inter-Syntez”, LLC “Ukrainian Chemical Technologies LTD”, LLC “GREENPAKS”, LLC NVK “Globus”, LLC “Vetsyntez”, PF “Termit”, LLC “ABM-Trade”, LLC “Dezsystema”, LLC “Tandem-2002”, NVPP “DEZO” and LLC “UKRTEK KO”. It was determined that manufacturers often use chlorine and oxygen as active ingredients, and the number of products with one active ingredient is relatively insignificant. Most often, the active substance of modern disinfectants is quaternary ammonium salts in combination with aldehydes. Their number is 33.4 % of all registered means. This means combining QAS and acids and QAS and oxygen compounds takes 3.2 times less time. Means containing other combinations of active substances are from 1.5 to 4.6 %. It was established that the leader in the production of imported “cleansing probiotics” (PIP – Probiotics In Progress) is the British company “Ingenious Probiotics”, which produces 66.7 % of registered products. Three companies produce this kind of disinfectant in our country; their assortment includes 23 names, and the largest share belongs to the company “Sirion”

Peculiarities of Electric and Optical Properties of Qaternary Single Crystalline Compounds Ag2CdSnS4

Вивчались, одержані в лабораторіях університету об’ємні (60 10 10) мм2 монокристалічні тетрарні сполуки Ag2CdSnS4. Внаслідок високої концентрації технологічних дефектів N 2 1018см 3 вони проявляють риси невпорядкованих систем. На основі дослідження температурних залежностей електропровідності, спектрів поглинання світла, фотопровідності, оптичного гашення фотопровідності встановлено енергетичні положення технологічних дефектів у забороненій зоні, які відповідальні за електрично і оптично активні центри в Ag2CdSnS4, визначено ширину забороненої зони сполуки ( Eg 1,92еВ при T 300K ). Запропоновано несуперечливу фізичну модель спостережуваних процесів у монокристалах тетрарного халькогеніду Ag2CdSnS4.; Single crystals of quaternary compounds Ag2CdSnS4, obtained in the laboratories of the University, have been studied. Due to high concentration of technological defects (N≈2·1018cm-3) they exhibit the features of disordered systems. The energy position in the forbidden band of technological defects responsible for electric and optical properties of Ag2CdSnS4, the energy gap of the compounds (Eg ≈1,92 eV at Т≈300К) have been determined from the temperature dependence of electric conductivity, absorption spectra of photoconductivity and optical quenching of photoconductivity. Non- contradictory physical model of processes observed in single crystals of quaternary chalcogenides Ag2CdSnS4 has been suggested

ОСОБЛИВОСТІ КОМУНІКАТИВНОГО СТИЛЮ ВИКЛАДАЧІВ ДИСЦИПЛІН РІЗНИХ НАВЧАЛЬНИХ БЛОКІВ У КОНТЕКСТІ СТУДЕНТОЦЕНТРОВАНОГО ПІДХОДУ

The results of the study of peculiarities of realization student-centered approach in the professional training of doctors are presented in the article. Communicative style of teachers of the different educational blocks is analyzed. Recommendations to improve the training process in a student-centered approach in medical universities are supplied.У статті представлені результати дослідження особливостей реалізації студентоцентрованого підходу у процесі професійної підготовки лікарів. Проаналізовано комунікативні стилі викладачів дисциплін різних навчальних блоків. Додаються рекомендації для поліпшення навчального процесу при студентоцентрованому підході у медичному ВНЗ

Метод оцінювання частотної характеристики каналу в OFDM системах на основі фільтрації і екстраполяції пілот-сигналів

Introduction. Mobility is one of the main requirements for modern communication system. For OFDM systems it means spreading the wideband signals thru the multipath channel with variable in time parameters. Receiver should estimate channel parameters for demodulation the received signal. Problem statement. The pilots from current and previous received OFDM symbols are used for channel estimation. Development of channel frequency response estimation method that use only pilots from current received symbol is the task. Method development. This paper proposes a channel frequency response estimation method based on pilot’s filtration and extrapolation. Method consists of two stages. At first stage performs pilot’s filtration in forward and backward directions by Kalman filter and combining the results in each point. It allows increase the accuracy of channel estimation. At second stage performs extrapolation the channel frequency response between pilots in forward and backward directions and combining the results. Experimental results. Performed analysis of developed method by statistical modeling on example of communication system with channel frequency response described as second order autoregressive model. The standard deviation of estimation error for developed algorithm and Kalman algorithm was calculated. Mean square error of channel estimation for developed method and method of least square was compared. Conclusions. Developed algorithm allows decrease the standard deviation of channel frequency response estimation error in comparing with Kalman algorithm. Mean square error of channel frequency response estimation for developed method is lower than for method of least square. Key words: OFDM, digital communication system, wireless channel, channel frequency response, estimation, autoregressive model, Kalman filter.В работе предложен метод оценивания частотной характеристики канала связи по текущему принятому OFDM символу, основанный на фильтрации и экстраполяции пилот-сигналов. На первом этапе восстановленные значения частотной характеристики получаются путем фильтрации принятого сигнала на позициях пилотных поднесущих, выполняя ее над массивом данных слева направо и справа налево. Результаты фильтрации объединяются оптимальным образом в каждой позиции, что позволяет повысить точность оценивания частотной характеристики. На втором этапе выполняется экстраполяция значений частотной характеристики канала на поднесущие с данными, которая также производится слева направо и справа налево с последующим объединением результатов. Анализ разработанного метода выполнен при помощи статистического моделирования на модельном примере для системы связи с частотной характеристикой, представленной авторегрессионной моделью второго порядка.Вступ. Однією з ключових вимог до більшості сучасних систем зв’язку є мобільність. Для систем OFDM це означає проходження широкосмугових сигналів через багатопроменеві канали, характеристики яких швидко змінюються в часі. Щоб виконати демодуляцію прийнятого OFDM сигналу приймач повинен оцінити параметри каналу зв’язку. Чим точніше оцінка буде виконана, тим меншої ймовірності помилок можна досягнути в процесі передачі даних. Постановка задачі. Для оцінювання частотної характеристики каналу використовуються пілотні сигнали як з поточного прийнятого символу, так і з попередніх. Задача полягає у розробці методу оцінювання частотної характеристики каналу по поточному прийнятому OFDM символу. Розробка методу. В роботі запропоновано метод оцінювання частотної характеристики каналу зв’язку на основі фільтрації та екстраполяції пілот-сигналів. На першому етапі відновлені значення частотної характеристики отримуються шляхом фільтрації прийнятого сигналу на пілотних підносіних по алгоритму Калмана. При цьому фільтрація виконується над масивом даних зліва направо і справа наліво. Результати фільтрації об’єднуються оптимальним чином в кожній позиції, що дозволяє підвищити точність оцінювання частотної характеристики. На другому етапі виконується екстраполяція значень частотної характеристики на підносійні з даними. Екстраполяція робиться зліва направо і справа наліво. Результати екстраполяції також об’єднуються. Результати експериментальних досліджень. Аналіз розробленого методу виконаний шляхом статистичного моделювання на модельному прикладі для системи зв’язку, в якій частотна характеристика представлена авторегресією другого порядку. Розраховано значення середньоквадратичного відхилення помилки оцінки для розробленого методу і для алгоритму Калмана. Порівняна точність оцінювання частотної характеристики каналу розробленим методом і методом найменших квадратів. Висновки. Розроблений метод дозволяє зменшити значення середньоквадратичного відхилення помилки оцінки частотної характеристики каналу у порівнянні з алгоритмом Калмана. Точність оцінювання частотної характеристики каналу при використанні розробленого методу вища в 1.5 – 2 рази ніж при використанні методу найменших квадратів

Linear, non-linear optical susceptibilities and the hyperpolarizability of the mixed crystals Ag0.5Pb1.75Ge(S1-xSex)(4): experiment and theory

As the starting point for a comprehensive theoretical investigation of the linear and nonlinear optical susceptibilities, we have used our experimental crystallographic data for Ag0.5Pb1.75GeS3Se (Ag2Pb7Ge4S12Se4) reported. The experimental crystallographic positions were optimized by minimizing the forces acting on each atom to get meaningful theoretical predictions of the optical properties. The linear optical susceptibilities are calculated. We find that the optical band gap shows very good agreement with our measured gap. The second-order nonlinear optical (NLO) susceptibilities dispersion namely the optical second harmonic generation (SHG) is calculated and compared with our experimental measurements. The microscopic first order hyperpolarizability, beta(123), vector component along the principal dipole moment directions for the chi((2))(123)(omega) component was obtained theoretically and compared with our measured values at different temperatures. The dependence of the two-photon absorption (TPA) for the pump-probing at SHG of the microsecond CO2 laser was measured. In addition we explored the linear electro-optical effect in these crystals. This effect is described by the third rank polar tensors similarly to the SHG. However, for the Pockels effect besides the electronic contribution, the phonon subsystem also begins to play a principal role. As a consequence we study the dispersion of the linear electro-optical effects in the mentioned crystals

Zjawiska transportu w monokryształach Tl_1-XIn_1-XGe_XSe₂ (x=0.1, 0.2)

Temperature dependences of electroconductivity for single crystals Tl1−xIn1−xGexSe2 were analyzed. It was established an occurrence of thermoactivated states within the temperature range 100-300 K. The conductivity is formed by delocalized carriers within the conductivity band and the jumping conductivity over the localized states which are situated in the narrow localized states near the Fermi level. Following the performed data the activation energy was evaluated with accuracy up to 0.02 eV. The density of the localized states as well as the distribution of the energy over the mentioned states was evaluated. Additionally the average distance between the localized states is evaluated at different temperatures.Analizowano zależności temperaturowe przewodności elektrycznej dla monokryształów Tl1−xIn1−xGexSe2. Ustalono pojawienie się stanów termo-aktywnych w zakresie temperatur 100-300 K. Przewodnictwo tworzone jest przez zdelokalizowane nośniki w paśmie przewodnictwa i skoki przewodnictwa po stanach zlokalizowanych, znajdujących się w wąskich zlokalizowanych stanach w pobliżu poziomu energii Fermiego. Wartość energii aktywacji oszacowano z dokładnością do 0,02 eV. Wyznaczono wartości gęstości stanów zlokalizowanych, jak i rozkład energii na wymienionych stanach. Dodatkowo w różnych temperaturach oszacowano średnią odległość pomiędzy stanami zlokalizowanymi

Experimental and theoretical investigation of the electronic structure and optical properties of TlHgCl3 single crystal

We have synthesized single crystals of TlHgCl3, which posses an orthorhombic symmetry, space group Pnma, with lattice constants a = 9.1601(4) angstrom, b = 4.3548(2) angstrom and c = 14.0396(5) angstrom. The measurements of the optical absorption of TlHgCl3 are performed on parallel-plate samples with polished optical quality surfaces of d = 0.03 mm. The band gap is estimated to be 2.74 eV from the position of fundamental absorption edge at alpha = 200 cm(-1). We have used our measured crystallographic data of TlHgCl3 as input data for calculating the electronic band structure, density of states, electronic charge density and the optical properties. The all-electron full potential linearized augmented plane wave plus local orbital (FP-L(APW + lo)) method is used. Calculations are performed with three types of exchange correlations; local density approximation (LDA), general gradient approximation (PBE-GGA) and the recently modified Becke-Johnson potential (mBJ). The PBE-GGA is used to optimize the atomic positions by minimization of the forces (1 mRy/au) acting on the atoms. The obtained values of the band gap from various exchange correlations are 2.39 eV (LDA), 2.55 eV (PBE-GGA) and 2.69 eV (mBJ). It is clear that mBJ succeeded by a large amount in bringing the calculated energy gap closer to the experimental one. The calculated electronic band structure exhibits that the conduction band minimum and the valence band maximum are located at Z point of the BZ, resulting in a direct band gap. The calculated density of states provides information about the hybridization between the states and the bonding nature. The electronic charge density show that Hg and Cl atoms form partial ionic/covalent bonding between Cl-Hg-Cl. Furthermore, for a deep insight into the electronic structure we have investigated the optical properties

Indukowane światłem właściwości optyczne monokryształów Tl1-xIn1-xSixSe2

The influence of temperature on electroconductivity and photoinduced changes of the absorption at 0.15 eV under influence of the second harmonic generation of CO2 laser for the two type of single crystals were investigated. The single crystals Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 and 0.2) have been grown by the two-zone Bridgaman-Stockbarger method. The temperature studies of electroconductivity were done in cryostat with thermoregulation in the temperature 77 - 300 K, with stabilization ±0.1 K. Photoinduced treatment of the investigated single crystals were performed using the 180 ns pulses second harmonic generation of the CO2 laser operating at 5.3 μm. Experimental studies have shown that for the Tl1−xIn1−xSixSe2 single crystals with decreasing temperature from 300 up to 240 K and from 315 up to 270 K the conductivity is realized by thermally excited impurities with activation energies equal to about 0.24 eV and 0.22 eV for x= 0.1 and 0.2, respectively. Photoinduced absorption achieves its maximum at a power density below 100 mJ/cm2. Has been shown that the samples with x=0.2 demonstrated higher changes of the photoinduced absorption with respect to the x=0.1. With further decreasing temperature is observed monotonic decrease in the activation energy of conductivity. The origin of these effects is caused by the excitations of both the electronic as well as phonon subsystem. At some power densities the anharmonic excitations become dominant and as a consequence the photoinduced absorption dependence is saturated what were observed. Additionally, we were evaluated at given temperature the average jump length of R for localized states near Fermi level.W pracy badano wpływ temperatury na przewodnictwo elektryczne oraz indukowane światłem zmiany absorpcji optycznej przy 0.15 eV, pod działaniem drugiej harmonicznej lasera CO2 dla dwóch typów monokryształów. Monokryształy Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 i 0.2) otrzymano w pionowym dwustrefowym piecu metodą Bridgamana-Stockbargera. Badania temperaturowe przewodności elektrycznej przeprowadzono w kriostacie z termoregulacją, w temperaturze 77-300 K, przy stabilizacji ±0,1 K. Fotoindukowaną obróbkę laserową monokryształów wykonano przy użyciu 180 ns impulsów drugiej harmonicznej lasera CO2 o długości fali 5,3 μm. Eksperymentalnie wykazano, że z obniżaniem temperatury od 300 do 240 K i od 315 do 270 K przewodnictwo elektryczne monokryształów Tl1−xIn1−xSixSe2 jest wywołane przez wzbudzenia termicznie domieszek z energią aktywacji równą około 0,24 eV i 0,22 eV dla ő = 0,1 i 0,2, odpowiednio. Indukowana optycznie absorpcja osiąga maksimum przy gęstości mocy poniżej 100 mJ/cm2. Stwierdzono, że próbka z x = 0,2 wykazuje większe zmiany absorpcji indukowanej światłem w porównaniu do próbki z x = 0.1. Z dalszym spadkiem temperatury obserwowano monotoniczny spadek energii aktywacji przewodnictwa. Pochodzenie tych efektów jest spowodowane przez wzbudzanie zarówno podsystemu elektronowego jak i fonononowego. Przy niektórych gęstościach mocy wzbudzenia anharmoniczne zaczynają dominować, co w konsekwencji prowadzi do nasycenia indukowanej światłem zależności absorpcji optycznej. Dodatkowo w pracy wyznaczono dla danej temperatury średnią długość skoku R dla stanów zlokalizowanych w pobliżu poziomu Fermiego

Features of the Photoluminescence of of Tetrary Compounds AgGaGeS4 Single Crystals

Розвиток сфери комунікаційного зв’язку в області систем управління і новітніх технологій у різних галузях промисловості і виробництва зумовлює потребу одержання дешевих, анізотропних, кристалічних фоточутливих сполук із регульованими параметрами і широкими вікнами пропускання світла, які можуть бути перспективними матеріалами оптоелектроніки, нелінійної оптики тощо. Як показали проведені в останні роки наукові дослідження, до таких матеріалів відносяться деякі багато-компонентні сполуки. Завдяки низці фізичних властивостей особливо перспективними можуть виявитися халькогенідні фази, для яких аналогами є бінарні халькогеніди групи A II B VI . У роботі досліджено оптичні та фотоелектричні властивості маловивченої тетрарної монокристалічної сульфідної сполуки AgGaGeS 4. Показано, що халькогенідні матеріали даного типу є фоточутливими широкозонними (Eg ≈ 2,8 еВ при Т = 300 К) напівпровідниками, спектр люмінесценції яких лежить у видимій області електромагнітного випро-мінювання (λ m ≈ 700 – 735 нм). На основі дослідження температурної залежності інтенсивності випромінювання в максимумі спектрального розподілу фотолюмінесценції пропонується модель центрів випромінювання, за які при низьких температурах (Т ≈ 80–180 К) відповідальні донорно-акцепторні пари. Встановлено енергетичне положення в забороненій зоні сполуки компонент пари, висловлюється припущення щодо природи донора і акцептора, які входять у склад пари. При високих температурах (Т > 180 200 К) механізм випромінювання набуває характеру рекомбінаційної люмінесценції. ; The optical and photoelectric properties of the poorly studied quaternary monocrystalline compound AgGaGeS 4 have been investigated in the present work. It is shown that it belongs to a photosensitive wide-band (Eg ≈ 2,8 eV at T = 300 K) semiconductors with the luminescence in the visible region of electromagnetic spectrum (700–735 nm). From the study of the temperature dependence of the intensity maxima of radiation it has been ascertained, that donor -acceptor pairs are responsible for the emission centers at low temperatures (T ≈ 80 180 K). The energy position of the pair components has been determined and the hypothes about their nature has been made. At high temperatures (T > 180 200 K) the radiation mechanism acquires features of the recombination luminescence