Széles tiltottsávú félvezető rétegek növekedése, szintézise és mikroszkópiája = Growth, synthesis and microscopy of wide bandgap semiconducting layers

Munkánk során a széles tiltott sávú félvezetők közül a SiC-dal, GaN-del ZnO-dal és kontaktusaikkal foglalkoztunk. Meghatároztuk a jellemző hibákat és a diszlokáció sűrűség értékeket. Sikerült magyarázatot adnunk a gyémánt és SiC illeszkedésére. Zafír hordozóra növesztett ZnO rétegeket vizsgálva megállapítottuk, hogy MgO puffer réteg képes akár teljesen MgOAl2O3 spinel réteggé alakulni, ami csökkenti a misfit-et. Különféle félvezető nanoszerkezeteket állítottunk elő, mint pl. 300 nm hosszú és 15 nm széles szálakból álló Al1-xInxN nanofűvet magnetronos porlasztással. A megfigyelt szerkezetet leírtuk (a koncentráció a nanofű szálainak szélességében változik), hozzá modelt alkottunk és kísérletileg is igazoltuk. Az epitaxiális SiC kristályokat eredményező CO-ban hőkezelt (SiO2-dal borított) Si szeleteket tovább oxidálva azokból többféle nanoszerkezetet állítottunk elő. Mind SiC-hoz, mind GaN-hez készítettünk fém kontaktus rétegeket, melyeket átfogóan vizsgáltunk. Megállapítottuk, hogy a p-tipusú SiC-hoz ohmos kontaktusként használt Ti3SiC2 a Si poláros oldalon alakul ki az Al/Ti kontaktusok hőkezelése során. | During the project wide bandgap semiconductors (like SiC, GaN, ZnO) and contacts to them have been investigated. The characteristic defects and dislocation density values have been determined. An explanation was given for the matching of diamond and SiC.Investigating ZnO layers grown on sapphire with a MgO buffer it was found that the MgO can transform to a MgOAl2O3 spinel, which decreases the misfit. Different semiconducting nanostructures have been prepared, like for example the magnetron sputtered, columnar Al1-xInxN, which has a morphology similar to the grass, therefore we named that as nanograss. The observed structure was described in details (the concentration is changed along the diameter of the columns), a model was created and experimentaly proved. Different nanostructures have been prepared from the SiC nanocrystals formed in CO annealing of oxide covered silicon wafers seprating them from the silicon by further oxidization. Metal contacts have been prepared both to SiC and GaN, which have been investigated in details. On the Al/Ti contacts (used as ohmic contacts to p-type SiC) we have concluded, that Ti3SiC2 phase (responsible for teh ohmic behaviour) is formed on the silicon polar side of SiC, only

Ionsugaras módszerek a fizikai nanotechnológiában (IONNANO) = Ion beam modifications in near-to-physics nanotechnology

Témavezeto: Gyulai József - SiO2 mátrixban Si, Pd-Pt és SiC, valamint SiC-ben gyémánt nanokristályokat állítottunk elő és minősítettünk. - Szén nanocsöveket Ar+ ionokkal besugározva, ponthibákat, kiemelkedő klasztereket és szuperstrukturákat figyeltünk meg. - Ellipszometriával mértük a szilíciumkarbidban ionimplantációval létrejövő roncsoltságot. - Az ionsugaras kutatásaink alapján eljárást fejlesztettünk ki, amellyel külön-külön detektálható a Si-, valamint a C-alrács károsodása. - Ezzel sikerült megbecsülni a He ion c-tengelyi csatorna irányú és random irányú energiaveszteség arányát. - Optikai modelleket fejlesztettünk ferroelektromos anyagok mérésére, valamint továbbfejlesztettük a rácskárosodás ellipszometriai modelljét. - Extrém kis energiájú ionok folyamatainak kutatása a porlasztást alkalmazó felületvizsgáló módszerek kvantifikálását célozta: - új ionkeveredési mechanizmust javaslunk birétegekre - Molekula-dinamikai szimulációnkat kiterjesztettük több ion szukcesszív becsapódásának a vizsgálatára a Ti/Pt kettősrétegben. - Súrlódó beesésnél a szén porlasztási sebessége nagyobb, mint a fémeké. - Kerámiák nanoszerkezetének módosítása témában kiemelkedő eredményünknek tartjuk, hogy a világon elsőként nekünk sikerült előállítani karbon nanocső - szilícium-nitrid kompozitot, amelyben a nanocsövek nem degradálódnak a szinterelés során. | Principal investigator: Gyulai József - Nanocrystals were prepared and characterized: Si in SiO2, Pd-Pt, SiC in Si, and diamond in SiC. - Argon ion irradiation of carbon nanotubes resulted in point defects, clusters and superstructures, as detected with atomic resolution AFM. - Ellipsometry proved itself as efficient method to study radiation damage in SiC. - New version of ion beam analysis applied to implanted SiC allowed us to detect the damage of the carbon and silicon sublattice separately - With defects as markers, ratio of channeled to random stopping power of He ions could be deduced. - Optical model was developed for ellipsometry allowing also characterization of ferroelectric (high-k) materials. - Modeling and experimental studies of damaging and sputtering processes at impact of extreme low-energy resulted in better quantification of surface analysis techniques (Auger profiling): - MC simulation of bilayers led us to a new model of ion beam mixing. - MD simulations were extended to multiple ion impact on Ti/Pt bilayers. - Sputtering coefficient of carbon was found (and modeled) to be higher than that of a metal for sputtering at glancing angle incidence. - Nanostructure of ceramic materials, firstly, of Si3N4, resulted in the first Si3N4-carbon nanotube nanocomposite, where the nanotubes will not degrade during high-temperature sintering

Eredményesség contra törvényesség, avagy a kihallgatás krimináltaktikai problémái

INST: L_08

Bölcsődetörténet

INST: L_600A dolgozatom első részét egy kis bölcsődetörténettel kezdem. Majd Zugló helytörténetét és azon belül a Mályva Bölcsöde történetét mutatom be. A kezdeti szakmai munkát egészen napjainkig. A kutatásom nemcsak a magyar, hanem a japán koragyermekkori intézményes nevelésre is kiterjed. Megemlítem a Japán anyaság történetét és a családon belüli nevelést is a szakirodalmak elolvasásának segítségével. Az interjú elkészítése közben pedig betekintek a japán bölcsődék működésébe

Micro Epitaxial lateral overgrowth of GaN/sapphire by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy.

International audienceGaN/sapphire layers have been grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE). Anamorphous silicon nitride layer is deposited using a SiH4/NH3 mixture prior to the growth of the low temperature GaN buffer layer. Such a process induces a 3D nucleation at the early beginning of the growth, resulting in a kind of maskless ELO process with random opening sizes. This produces a significant decrease of the threading dislocation (TD) density compared to the best GaN/sapphire templates. Ultra Low Dislocation density (ULD) GaN layers were obtained with TD density as low as 7×107cm-2 as measured by atomic force microscopy (AFM), cathodoluminescence and transmission electron microscopy (TEM). Time-resolved photoluminescence experiments show that the lifetime of the A free exciton is principally limited by capture onto residual donors, similar to the situation for nearly dislocation-free homoepitaxial layers