Top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (<200ºC)

N-type as well P-type top-gate microcrystalline silicon thin film transistors (TFTs) are fabricated on glass substrates at a maximum temperature of 200 °C. The active layer is an undoped μc-Si film, 200 nm thick, deposited by Hot-Wire Chemical Vapor. The drain and source regions are highly phosphorus (N-type TFTs) or boron (P-type TFTs)-doped μc-films deposited by HW-CVD. The gate insulator is a silicon dioxide film deposited by RF sputtering. Al-SiO 2-N type c-Si structures using this insulator present low flat-band voltage,-0.2 V, and low density of states at the interface D it=6.4×10 10 eV -1 cm -2. High field effect mobility, 25 cm 2/V s for electrons and 1.1 cm 2/V s for holes, is obtained. These values are very high, particularly the hole mobility that was never reached previously

The ThomX project status

Work supported by the French Agence Nationale de la recherche as part of the program EQUIPEX under reference ANR-10-EQPX-51, the Ile de France region, CNRS-IN2P3 and Université Paris Sud XI - http://accelconf.web.cern.ch/AccelConf/IPAC2014/papers/wepro052.pdfA collaboration of seven research institutes and an industry has been set up for the ThomX project, a compact Compton Backscattering Source (CBS) based in Orsay - France. After a period of study and definition of the machine performance, a full description of all the systems has been provided. The infrastructure work has been started and the main systems are in the call for tender phase. In this paper we will illustrate the definitive machine parameters and components characteristics. We will also update the results of the different technical and experimental activities on optical resonators, RF power supplies and on the electron gun

Un fond de cabane du début de l'Age de Fer, commune de Séris (Loir-et-Cher)

Quatrehomme Françoise, Lhermite J. Un fond de cabane du début de l'Age de Fer, commune de Séris (Loir-et-Cher). In: Bulletin de la Société préhistorique française. Comptes rendus des séances mensuelles, tome 65, n°8, 1968. pp. 206-212

Découverte d'une fosse hallstattienne sur la commune de Séris (Loir-et-Cher)

J. DESPRIÉE et J. LHERMITE, Découverte d'une fosse halstattienne sur la commune de Séris (Loir-et-Cher). En octobre 1970, une nouvelle fosse hallstattienne était découverte sur la commune de Séris (Loir-et-Cher), au lieu-dit « Les Grands Réages de Dugny », fosse dont on peut penser qu'elle constituait la « structure-foyer » d'un habitat plus vaste établi sur le calcaire de Beauce. Cette fosse, d'allure sub-rectangulaire, est orientée Nord-Sud dans sa plus grande longueur ; son profil présente une forte pente vers le Sud ; son centre est recouvert d'un dallage transversal qui peut être le foyer proprement dit ; son extrémité sud est occupée par un dépotoir qui a livré une abondante céramique commune, laquelle a permis la reconstitution de profils complets de grands vases à provisions, qui semblent procéder directement des grands vases du Bronze Moyen et Final.Despriée J., Lhermite J. Découverte d'une fosse hallstattienne sur la commune de Séris (Loir-et-Cher). In: Revue archéologique du Centre de la France, tome 11, fascicule 1-2, 1972. pp. 112-125

La microscopie confocale : un support de formation en micro- et nano-électronique au CCMO, pôle CFM de Rennes

L’article présente de l’apport de la microscopie confocale dans les formations en micro- et nano-technologies proposées par le CCMO (Centre Commun de Microélectronique de l’Ouest), pôle CFNM de Rennes. Un focus particulier est porté sur l’observation et la caractérisation à l’échelle micro et nanométrique d’objets (composants, nanofils,…) ou de systèmes microélectroniques (architecture physique de microprocesseurs)

30 W, CW Yb-doped fiber laser tunable over 144 nm

International audienc

fs mode-locked fiber laser continuously tunable from 976 nm to 1070 nm

Most of the works on mode-locked systems exploit the quasi three-level system in order to obtain an emission between 1020 nm and 1080 nm [1-4]. The vicinity of 976 nm, corresponding to a true three level system has also been investigated [4-5]. Interesting challenges are the combination of broadband emission and high-energy pulse generation in a mode-locked regime