Influence of the cooling rate on the structure and mechanical properties of a cast alloy of Al-Mg-Si system

An investigation of influence of the cooling rate on the structure and hardness of a new cast eutectic (α-Al + Mg2Si) alloy of the Al—Mg—Si ternary system showed that the critical cooling rate at which a colonial eutectic structure disappears is ~10^5 K/s. The change-over from laboratory castings with a weight of 200g to commercial castings with a weight of 20 kg practically does not influence on the level of mechanical properties under comparable cooling conditions

Непосредственные и отдаленные результаты хирургического и эндоскопического лечения больных хроническим головчатым панкреатитом

The work is based on the analysis of complex examination and treatment of 39 patients with chronic capitate pancreatitis. All patients with symptoms of obstructive jaundice underwent endoscopic intervention. In 10 (25.6%) cases pancreaticoduodenal resection (PDR) was performed, in 3 (7.7%) patients pancreaticojeunostomia (PJS) was imposed. Resection of the pancreatic head (RPH) was performed in 10 (25.6%) cases. Specific complications occurred only after the PDR and the PJS. The high level of mortality was registered after the PDR - 20%. Length of hospital stay was significantly lower after RPH. The quality of life in 28 (71.8%) patients in the late postoperative period was evaluated by the SF-36 Health Status Survey Questionnaire. The best results were registered in the patients who underwent RPH.Работа основана на анализе результатов обследования и лечения 45 пациентов c хроническим головчатым панкреатитом (ХГП). Всем пациентам с явлениями механической желтухи выполнены эндоскопические вмешательства. В 9 (20%) случаях выполнялась панкреатодуоденальная резекция (ПДР), 7 (15,5%) больным был наложен панкреатикоэнтероанастомоз (ПЭА). Резекция головки поджелудочной железы (РГПЖ) произведена 12 (26,7%) пациентам. В группе больных с ХГП специфические осложнения возникли только после ПДР и ПЭА. Отмечается высокий уровень летальности после ПДР (20%). В отдаленном послеоперационном периоде по методике «SF-36 Health Status Survey» было оценено качество жизни у 30 (66,7%) пациентов. При сравнении определены лучшие показатели у больных, которым была выполнена РГПЖ

Вплив дози імплантованих іонів дейтерію на мікроструктуру і наномеханічні властивості кремнію

Імплантація водню в кремній з подальшим відпалом (технологія Smart-Cut) застосовується для виготовлення мікроелектронних пристроїв. Покращені характеристики отриманих структур були досягнуті шляхом імплантації дейтерію замість водню. Метод наноіндентування широко використовується при вимірюванні твердості H та модуля пружності E матеріалів у нанорозмірному масштабі. Метою даної роботи є дослідження впливу дози імплантації іонів дейтерію на структуру та механічні властивості монокристалічного кремнію в нанорозмірному масштабі. Досліджено вплив доз імплантації іонів дейтерію в діапазоні від 2×1015 до 1×1018 D/см2 на структуру та механічні властивості монокристалу кремнію в наномасштабі. Зразки полірованого кремнію (111) імплантували при 293 К пучком іонів дейтерію з енергією 24 кеВ. Методом Раманівської спектроскопії було показано, що в залежності від дози імплантації в кремнії утворюються три структурні стани: дейтерій знаходиться у твердому розчині, суміш аморфної фази кремнію і твердого розчину, і тільки аморфний стан (a-Si:D). Термічна десорбційна спектроскопія показує, що при низьких дозах імплантації в спектрах термодесорбциї дейтерію спостерігається один пік з максимумом при Tmax ~ 575 К, а при дозах вище 5×1017 D/см2 з’являється низькотемпературний пік з максимумом при 500 К, що свідчить про утворення аморфного гідрогенізованого кремнію a-Si:D. Наноіндентування показало, що в режимі повної пластичності в контакті (> 100 нм), утворення твердого розчину дейтерію в кремнії спричиняє збільшення твердості поверхні зразка до 14,1 ГПа. Твердість поверхні різко зменшується до 3,6 ГПа з утворенням шару a-Si:D.Implantation of hydrogen into silicon with subsequent annealing (Smart-Cut Technology) is applied to produce microelectronic devices. Improved characteristics of the resulting structures were achieved by using implantation of deuterium instead of hydrogen. The nanoindentation technique is widely used to measure the hardness H and elasticity modulus E of materials at the nanoscale. The aim of the present work is to investigate the influence of deuterium ion implantation dose on the structure and mechanical properties of single crystal silicon at the nanoscale. The influence of the deuterium ion implantation with an implantation dose ranging from 2×1015 to 1×1018 D/cm2 on the structure and mechanical properties of single crystal silicon at the nanoscale has been investigated. Polished (111) silicon samples were implanted at 293 K by using a deuterium ion beam with an ion energy of 24 keV. It was shown by Raman spectroscopy that, depending on the implantation dose, three structural states are formed in silicon: a solid solution of deuterium (D) in Si, a solid solution mixed with the Si amorphous phase, and an amorphous state (a-Si:D) only. Thermal desorption (TD) spectroscopy shows that at low implantation doses, the deuterium TD spectra exhibit a single peak with a maximum at Tmax ~ 575 K. At doses above 5×1017 D/cm2, a lowtemperature peak with a maximum at 500 K appears that is indicative of the formation of amorphous hydrogenated silicon a-Si:D. Nanoindentation tests have shown that in the regime of full plasticity in the indenter contact region (> 100 nm), the formation of deuterium solid solution in Si causes an increase in the sample surface hardness up to 14.1 GPa. The surface hardness sharply decreased down to 3.6 GPa with the a-Si:D layer formation

Radiation resistance of Ti—20Zr alloy in microcrystalline and nanocrystalline state

In this work we studied structure of Ti—20Zr alloy in recrystallized and nanocrystalline conditions before and after irradiation by Zr³⁺ ions with energy 1.8 MeV to 80 dpa at 500° C. By transmission electron microscopy methods it was showed that irradiation of the alloy in the recrystallized state induced formation of c type dislocation loops, which are common characteristic of accelerated radiation-growth of the materials with hcp lattice. Irradiation of the nanostructured material leads to an isotropic increase in the grain size (from 49 nm to 146 nm); the signs of accelerated radiation-growth were not detected