Optimasi Parameter K pada Algoritma K-nearest Neighbour untuk Klasifikasi Penyakit Diabetes Mellitus

Diabetes Mellitus merupakan salah satu penyakit kronis yang mematikan. Penyakit yang juga dikenal dengan nama penyakit kencing manis ini terjadi akibat kadar glukosa di dalam darah terlalu tinggi. Diabetes Mellitus banyak diteliti di banyak negara pada saat ini karena peningkatan penderita yang banyak dan sangat mengkhawatirkan. Menurut WHO saat ini lebih dari 246 juta jiwa menderita diabetes dan diperkirakan akan meningkat menjadi 380 juta jiwa pada tahun 2025 apabila tidak dilakukan penanganan yang serius. Dibetes menyebabkan penyakit lain / komplikasi yang setiap tahunya mengakibatkan kematian hingga 3,8 juta jiwa. Data mining merupakan kegiatan menemukan sebuah pola, aturan dan pengetahuan baru dari sebuah dataset. Salah satu fungsi mayor data mining adalah klasifikasi. KNN merupakan salah satu algoritma klasifikasi data mining terbaik dan banyak digunakan. Algoritma KNN bekerja dengan cara menghitung kedekatan data testing dengan keseluruhan data training. K dalam KNN merupakan variabel jumlah tetangga terdekat yang akan diambil untuk proses klasifikasi. Jumlah K=1 akan membuat hasil klasifikasi terasa kalu karena hanya memperhitungkan satu tetangga terdekat atau satu record karakteristik data terdekat. Sedangkan jumlah K yang terlalu banyak akan menghasilkan klaasifikasi yang samar. Penelitian ini menghasilkan K terbaik pada percobaan K=13 dengan akurasi 75,14%. K=13 merupakan nilai k paling optimal diantara percobaan klasifikasi KNN menggunakan nilai K=1 sampai dengan K=49

Growth and characterisation of InAsP/AlGaInP QD laser structures

We present a study of metalorganic vapour phase epitaxy of ternary InAsP quantum dots on AlGaInP/GaAs. The properties of InAsP QD laser structures were compared with reference samples containing binary InP QDs. Based on X-ray diffraction, the molar fraction of As in InAsP QDs was estimated to be ~25%. Room temperature liquid contact electro-luminescence measurements revealed a long wavelength shift of the InAsP QD emission to ~775 nm as compared with the InP QD emission at 716 nm and an increased full width at half maximum of the spontaneous emission (71 meV vs 50 meV). As cleaved, 4 mm long and 50 μm wide InAsP QD lasers operated in a pulsed regime at room temperature at ~770 nm with a threshold current density of 155 A/cm2 and a maximum output optical power of at least ~200 mW. The maximum operation temperature was at least 380 K

InAsP/AlGaInP/GaAs QD laser operating at ∼770 nm

We present a study of metalorganic vapour phase epitaxy of ternary InAsP quantum dots in AlGaInP/GaAs for application in laser diodes. The properties of InAsP QD laser structures were compared with reference samples containing binary InP QDs. Based on X-ray diffraction, the molar fraction of arsenic in InAsP QDs was estimated to be ~25%. Room temperature liquid contact electro-luminescence measurements revealed a long wavelength shift of the InAsP QD emission to ~775 nm as compared with the InP QD emission at 716 nm and an increased full width at half maximum of the spontaneous emission (71 meV vs 50 meV). As cleaved, 4 mm long and 50 µm wide InAsP QD lasers operated in a pulsed regime at room temperature at ~770 nm with a threshold current density of 155 A/cm and a maximum output optical power of at least 200 mW. The maximum operation temperature was at least 380 K