9 research outputs found
Release from meiotic arrest in ascidian eggs requires the activity of two phosphatases but not CaMKII
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Ultra Low Energy Ion Beam Synthesis: An Original Method for the Fabrication of Nanocrystals in Dielectrics for Nanoelectronics, Nano-Optics and Plasmonic Applications
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Ultra Low Energy Ion Beam Synthesis: An Original Method for the Fabrication of Nanocrystals in Dielectrics for Nanoelectronics, Nano-Optics and Plasmonic Applications
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Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut TM
No full textInternational audienceNous présentons dans ce travail les études préliminaires dans le but de créer une nouvelle formation pratique en salle blanche sur la thématique de fabrication de substrats SOI (Silicium on Insulator). La méthode de fabrication est basée sur le procédé Smart-CutTM (Soitec/CEA-Leti). L’objectif de ces premiers travaux est de démontrer la faisabilité du procédé avec des wafers de taille réduite (2 pouces) dans un environnement loin des standards (en termes de propreté) normalement requis pour la réalisation du procédé. Le procédé comprend une première étape d’implantation d’ions H, puis une phase de collage moléculaire et d’activation de la fracture par recuit. Des taux de transfert de 80% à 90% ont été obtenus ouvrant la voie vers un enseignement sur la fabrication de SOI par le procédé Smart-CutTM
Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut
No full textNous présentons dans ce travail les études préliminaires dans le but de créer une nouvelle formation pratique en salle blanche sur la thématique de fabrication de substrats SOI (Silicium on Insulator). La méthode de fabrication est basée sur le procédé Smart-CutTM (Soitec/CEA-Leti). L’objectif de ces premiers travaux est de démontrer la faisabilité du procédé avec des wafers de taille réduite (2 pouces) dans un environnement loin des standards (en termes de propreté) normalement requis pour la réalisation du procédé. Le procédé comprend une première étape d’implantation d’ions H, puis une phase de collage moléculaire et d’activation de la fracture par recuit. Des taux de transfert de 80% à 90% ont été obtenus ouvrant la voie vers un enseignement sur la fabrication de SOI par le procédé Smart-CutTM
Ultra Low Energy Ion Beam Synthesis: An Original Method for the Fabrication of Nanocrystals in Dielectrics for Nanoelectronics, Nano-Optics and Plasmonic Applications
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Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut ^\textrmTM
No full textNous présentons dans ce travail les études préliminaires dans le but de créer une nouvelle formation pratique en salle blanche sur la thématique de fabrication de substrats SOI (Silicium on Insulator). La méthode de fabrication est basée sur le procédé Smart-CutTM (Soitec/CEA-Leti). L’objectif de ces premiers travaux est de démontrer la faisabilité du procédé avec des wafers de taille réduite (2 pouces) dans un environnement loin des standards (en termes de propreté) normalement requis pour la réalisation du procédé. Le procédé comprend une première étape d’implantation d’ions H, puis une phase de collage moléculaire et d’activation de la fracture par recuit. Des taux de transfert de 80% à 90% ont été obtenus ouvrant la voie vers un enseignement sur la fabrication de SOI par le procédé Smart-CutTM
