Saint-Malo – Place des frères Lamennais 2

Un projet de construction d’un parking souterrain, dans la ville close de Saint-Malo, est à l’origine d’une intervention archéologique préventive qui s’est déroulée du 26 octobre 1998 au 15 janvier 1999. Sur plus de 1 500 m2, un sol ancien est scellé par un niveau de sable dunaire naturel plus ou moins épais jusqu’à 1,20 m, lui même surmonté de couches successives post-médiévales ou modernes correspondant à des niveaux de jardins ou de place publique. Contrairement à toute attente, compte ten..

Neolithic flat-based pots from the Carnac Mounds in the light of Cycladic ‘frying pans’

A rare type of pottery, found in four single graves under earthen mounds in the Carnac region of Brittany, consists of a circular, flat-based vessel with a near-vertical wall. On the basis of the equipment known from elsewhere in the world, it is possible that the morphology of these dishes is related to processes involved in the production of salt. To help us in exploring their function, we chose to compare these vessels with another enigmatic class of pottery from the Cyclades – the socalled ‘frying pans’ – which seems to have functioned in a similar way, as an object-sign, and has been found in a maritime milieu and in high-status contexts.V zemljeni gomili v regiji Carnac v Bretaniji smo v štirih posameznih grobovih odkrili nov tip posode, za katero je značilna krožna oblika z ravnim dnom in skoraj navpično steno. Na podlagi predmetov, ki jih poznamo drugje po svetu, sklepamo, da je oblika teh skled povezana s pridobivanjem soli. O njihovi uporabi sklepamo s pomočjo primerjav s t.i. ‘ponvami’ s Kikladskega otočja, za katere se zdi, da so jih uporabljali v podobne namene, tudi kot predmet-znak in se pojavljajo v obmorskih okoljih ter v kontekstih, povezanih z višjim družbenim slojem

Le Clos-Henry : une ferme de La Tène finale à Château-Gontier (Mayenne)

La fouille du site du Clos-Henry à Château-Gontier, outre la découverte d’une fosse du néolithique ancien VSG a permis de mettre en évidence une ferme de La Tène finale d’emprise très modeste. Son enclos rectangulaire à partition interne n’occupe en effet que 2 400 m2. malgré un nombre restreint de structures en creux, moins de quarante trous de poteau, quatre bâtiments sur poteaux y ont été relevés. L’occupation relativement courte du site, une ou deux générations, permet d’y distinguer une unité agricole constituée d’un bâtiment principal associé à quelques bâtiments annexes de type grenier. L’ensemble est établi au cours de la seconde moitié du second siècle avant J.-C. et abandonné au milieu du siècle suivant.The Clos-Henry excavation at Château-Gontier (Mayenne) revealed – in addition to a “VSG” early Neolithic pit – a modest late La Tene farmstead, a rectangular enclosure with internal partition 2400 sq. m. in area. In spite of the restricted number of features identified (less than 40 post-holes), four timber-framed buildings have been distinguished. The relatively short occupation of the site (one or two generations) visualises an agricultural unit consisting of a main building associated with some granary-type annexes. The whole is established during the second half of 2nd century BC and abandonned by the middle of the following century

Wafer-scale detachable monocrystalline Germanium nanomembranes for the growth of III-V materials and substrate reuse

Germanium (Ge) is increasingly used as a substrate for high-performance optoelectronic, photovoltaic, and electronic devices. These devices are usually grown on thick and rigid Ge substrates manufactured by classical wafering techniques. Nanomembranes (NMs) provide an alternative to this approach while offering wafer-scale lateral dimensions, weight reduction, limitation of waste, and cost effectiveness. Herein, we introduce the Porous germanium Efficient Epitaxial LayEr Release (PEELER) process, which consists of the fabrication of wafer-scale detachable monocrystalline Ge NMs on porous Ge (PGe) and substrate reuse. We demonstrate monocrystalline Ge NMs with surface roughness below 1 nm on top of nanoengineered void layer enabling layer detachment. Furthermore, these Ge NMs exhibit compatibility with the growth of III-V materials. High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) characterization shows Ge NMs crystallinity and high-resolution X-ray diffraction (HRXRD) reciprocal space mapping endorses high-quality GaAs layers. Finally, we demonstrate the chemical reconditioning process of the Ge substrate, allowing its reuse, to produce multiple free-standing NMs from a single parent wafer. The PEELER process significantly reduces the consumption of Ge during the fabrication process which paves the way for a new generation of low-cost flexible optoelectronics devices.Comment: 17 pages and 6 figures along with 3 figures in supporting informatio

Cellules solaires tandem III-V/Si : une approche inverse métamorphique par PECVD basse température de c-Si(Ge)

Combining Silicon with III-V materials represents a promising pathway to overcome the ≈29% efficiency limit of a single c-Si solar cell. While the standard approach is to grow III-V materials on Si, this work deals with an innovative way of fabricating tandem solar cells. We use an inverted metamorphic approach in which crystalline silicon or SiGe is directly grown on III-V materials by PECVD. The low temperature of this process (1 µm) of Si on an inverted AlGaAs solar cells followed by a TJ. The bonding and process of this final device is then performed, leading, as a next step, to the electrical measurement of the very first tandem solar cell grown by inverted metamorphic growth of Si on III-V.La limite théorique d’efficacité d’une cellule solaire simple jonction est de ~29 %. Afin de dépasser cette limite, une des moyens les plus prometteurs est de combiner le silicium avec des matériaux III-V. Alors que la plupart des solutions proposées dans la littérature proposent de faire croître directement le matériau III-V sur substrat silicium, ce travail présente une approche innovante de fabriquer ces cellules solaires tandem. Nous proposons une approche inverse métamorphique, où le silicium cristallin ou SiGe est cru directement sur le matériau III-V par PECVD. La faible température de dépôt (1 µm) ont été crues avec succès sur une cellule AlGaAs inversée suivie d’une jonction tunnel. Le collage de cette cellule tandem, et la processus de fabrication technologique du dispositif final sont ensuite étudiés, afin de pouvoir caractériser électriquement la première cellule solaire tandem fabriquée par croissance inverse métamorphique de Si sur III-V

Photovoltaic activities in Sherbrooke : from material to system. Invited Researcher

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New architectures for Concentrated Photovoltaics (CPV)

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Photovoltaic activities in Sherbrooke : from material to system

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Instrumentos de concha y producción cerámica en los grupos neolíticos de la costa Atlántica del oeste de Francia

International audienceTradicionalmente el uso de instrumentos de concha por los grupos humanos ha sido vinculado, sobre todo a par-tir del estudio de estos instrumentos en grupos de cazadores-recolectores, con el desarrollo de acciones expeditivas y poco especializadas. A través del empleo de metodología de análisis funcional se ha realizado el estudio del ma-terial arqueomalacológico recuperado en Diconche (Saintes, Charente-Maritime, Francia) asignado cronológica-mente al Neolítico final. Los resultados obtenidos muestran el uso de conchas para el desarrollo de diferentes fases de la producción cerámica, en procesos de trabajo estandarizados y empleando un mismo útil de forma recurrente durante varios ciclos productivos. La información obtenida contribuye a replantearnos el rol de estos instrumentos dentro de los medios de producción empleados por los grupos que desarrollaron la explotación de los recursos li-torales durante el Neolítico. Un momento en el que el incipiente proceso de sedentarización pudo desempeñar un papel clave en algunas de las transformaciones relacionadas con la gestión de su utillaje

Compact and high efficiency micro-CPV module with high wafer utilization rate

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