Selective patterning using deposition and etch: case of area selective deposition

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Evaluation of plasma parameters on PEALD deposited TaCN

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Key low temperature processes for a silicon-based 3D sequential integration

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Large Scale Integration of 2D material for Memristors

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Commutateur RF fabriqué à partir de matériau 2D

National audienceLes commutateurs RF sont utilisés dans les modules de communication sans fils (transmetteurs) et dans les systèmes où la reconfiguration est nécessaire. Ce travail présente des commutateurs RF à base de matériau 2D (MoS2 et hBN) avec des accès coplanaires optimisés et compatibles avec des pointes de mesures radiofréquences, d’espacement de 50/100µm. Les dispositifs ont été caractérisés en DC et dans la bande 0.25-67GHz. Les commutateurs sont non-volatiles et possèdent un ratio ON/OFF de 29dB @ 50GH

Commutateur RF fabriqué à partir de matériau 2D

National audienceLes commutateurs RF sont utilisés dans les modules de communication sans fils (transmetteurs) et dans les systèmes où la reconfiguration est nécessaire. Ce travail présente des commutateurs RF à base de matériau 2D (MoS2 et hBN) avec des accès coplanaires optimisés et compatibles avec des pointes de mesures radiofréquences, d’espacement de 50/100µm. Les dispositifs ont été caractérisés en DC et dans la bande 0.25-67GHz. Les commutateurs sont non-volatiles et possèdent un ratio ON/OFF de 29dB @ 50GH

Commutateur RF fabriqué à partir de matériau 2D

National audienceLes commutateurs RF sont utilisés dans les modules de communication sans fils (transmetteurs) et dans les systèmes où la reconfiguration est nécessaire. Ce travail présente des commutateurs RF à base de matériau 2D (MoS2 et hBN) avec des accès coplanaires optimisés et compatibles avec des pointes de mesures radiofréquences, d’espacement de 50/100µm. Les dispositifs ont été caractérisés en DC et dans la bande 0.25-67GHz. Les commutateurs sont non-volatiles et possèdent un ratio ON/OFF de 29dB @ 50GH