Catherine Pugeault-Cicchelli, Vincenzo Cicchelli et Tariq Ragi (dir.), Ce que nous savons des jeunes

Gacem Karim. Catherine Pugeault-Cicchelli, Vincenzo Cicchelli et Tariq Ragi (dir.), Ce que nous savons des jeunes. In: Recherches et Prévisions, n°79, 2005. pp. 152-153

Catherine Pugeault-Cicchelli, Vincenzo Cicchelli et Tariq Ragi (dir.), Ce que nous savons des jeunes

Gacem Karim. Catherine Pugeault-Cicchelli, Vincenzo Cicchelli et Tariq Ragi (dir.), Ce que nous savons des jeunes. In: Recherches et Prévisions, n°79, 2005. pp. 152-153

Vincenzo Cicchelli, La construction de l’autonomie. Parents et jeunes adultes face aux études

Gacem Karim. Vincenzo Cicchelli, La construction de l’autonomie. Parents et jeunes adultes face aux études. In: Agora débats/jeunesses, 26, 2001. Les jeunes dans la société de l’information. pp. 146-147

Contribution à l'étude du transport et du stockage de charges dans des structures contenant des nanocristaux de germanium

The work reported in this thesis is devoted to electrical characterization of germanium nanocrystals (Ge-ncs) elaborated by dewetting on a silicon dioxide layer which is thermally grown on a doped silicon substrate. The study is divided in two parts:First, current - voltage (I-V) and capacitance (high frequency; 1 MHz) - voltage (C-V) measurements were performed to characterize nanocrystals capped with amorphous silicon. Hence, Coulomb blockade effect at room temperature has been evidenced for nanocrystals with the smallest (~ 3.5 nm) mean diameter. Both I-V and C-V measurements revealed the charge trapping phenomenon in the nanocrystals. The latter is affected by Ge-ncs average size and density and the effects of these two parameters have been separated thanks to measurements at different temperatures. Accordingly, the temperature depended number of electrons stored in each nanocrystal allowed the determination of a thermal activation energy which was shown to be dependent on the average size (or gap) of nanocrystal.Secondly, characterization with conductive atomic force microscopy was performed on samples containing uncapped nanocrystals. The effects of Ge-ncs size and density on charge trapping and transport have been studied. NF-EBIC (Near Field - Electron Beam Induced Current) measurements showed the electrical activity of sample surface with uncapped Ge-ncs. Finally, minority carrier diffusion lengths measurements have been made. The results showed that this key parameter is reduced by the presence of Ge-ncs and the enhancement of their density.Le travail rapporté dans ce mémoire concerne la caractérisation électrique de nanocristaux de germanium (nc-Ge) élaborés par démouillage sur une couche de dioxyde de silicium. L'étude est réalisée sous deux formes : En premier lieu, des mesures courant – tension (I-V) et capacité (haute fréquence ; 1 MHz) – tension (C-V) ont été effectuées pour caractériser des nanocristaux recouverts par du silicium amorphe. Les résultats ont montré l'apparition du blocage de Coulomb à température ambiante dans des nc-Ge ayant le plus petit (~3.5 nm) diamètre. Les mesures I-V et C-V ont révélé le phénomène de piégeage dans les nanocristaux. Ce dernier est conditionné par leur taille et densité moyennes, dont les effets ont été séparés grâce aux mesures en température. En conséquence, la variation en température du nombre moyen d'électrons piégés par nanocristal a permis d'accéder à une énergie d'activation thermique qui s'est révélée être dépendante de la taille moyenne (ou du gap) du nanocristal.En deuxième lieu, des caractérisations par microscopie à force atomique en mode conducteur ont été effectuées sur des échantillons contenant des nc-Ge non recouverts. Là aussi, le transport et le piégeage ont été abordés en mettant en évidence l'effet de la taille et la densité moyennes des nc-Ge. Des mesures EBIC (courant induit par faisceau d'électrons) en champ proche (NF-) ont aussi été menées pour cartographier l'activité électrique en surface des échantillons. Elles ont été suivies par des mesures de la longueur effective de diffusion des porteurs minoritaires en excès. Les résultats ont montré que ce paramètre est réduit par la présence de nc-Ge et par l'augmentation de leur densit

La fibrinolyse intrapéricardique (présentation d'un cas clinique et revue de la littérature)

Ce travail présente un cas clinique de péricardite purulente à staphylocoque doré, traitée avec succès par altéplase intrapéricardique. La péricardite purulente est une cause rare de péricardite. Son pronostic est mauvais avec une mortalité globale de 30% et de 100% en l'absence de traitement. Les complications principales de la péricardite purulente sont la tamponnade et la péricardite constrictive. Le traitement de référence des péricardites purulentes est l'antibiothérapie associée au drainage chirurgical du péricarde. Lorsque ce drainage n'est pas satisfaisant, la péricardectomie est indiquée. Une revue de la littérature récente montre que la fibrinolyse intrapéricardique donne des résultats très encourageants dans le traitement des péricardites purulentes.NANTES-BU Médecine pharmacie (441092101) / SudocPARIS-BIUM (751062103) / SudocSudocFranceF

Contribution à l étude du transport et du stockage de charges dans des structures contenant des nanocristaux de germanium

Le travail rapporté dans ce mémoire concerne la caractérisation électrique de nanocristaux de germanium (nc-Ge) élaborés par démouillage sur une couche de dioxyde de silicium. L étude est réalisée sous deux formes : En premier lieu, des mesures courant tension (I-V) et capacité (haute fréquence ; 1 MHz) tension (C-V) ont été effectuées pour caractériser des nanocristaux recouverts par du silicium amorphe. Les résultats ont montré l apparition du blocage de Coulomb à température ambiante dans des nc-Ge ayant le plus petit diamètre (~3.5 nm). Les mesures I-V et C-V ont révéle le phénomène de piégeage dans les nanocristaux. Ce dernier est conditionné par leur taille et densité moyennes, dont les effets ont été séparés grâce aux mesures en température. En conséquence, la variation en température du nombre moyen d'électrons piégés par nanocristal a permis d'accéder à une énergie d activation thermique qui s'est révélée être dépendante de la taille moyenne (ou du gap) du nanocristal. En deuxième lieu, des caractérisations par microscopie à force atomique en mode conducteur ont été effectuées sur des échantillons contenant des nc-Ge non recouverts. Là aussi, le transport et le piégeage ont été abordés en mettant en évidence l effet de la taille et la densité moyennes des nc-Ge. Des mesures EBIC (courant induit par faisceau d'électrons) en champ proche (NF-) ont aussi été menées pour cartographier l activité électrique en surface des échantillons. Elles ont été suivies par des mesures de la longueur effective de diffusion des porteurs minoritaires en excès. Les résultats ont montré que ce paramètre est réduit par la présence de nc-Ge et par l'augmentation de leur densitéThe work reported in this thesis is devoted to electrical characterization of germanium nanocrystals (Ge-ncs) elaborated by dewetting on a silicon dioxide layer which is thermally grown on a silicon substrate. The study is divided in two parts: First, current - voltage (I-V) and capacitance (high frequency; 1 MHz) - voltage (C-V) measurements were performed to characterize nanocrystals capped with amorphous silicon. Hence, Coulomb blockade effect at room temperature has been evidenced for nanocrystals with the smallest (~ 3.5 nm) mean diameter. Both I-V and C-V measurements revealed the charge trapping phenomenon in the nanocrystals. The latter is affected by Ge-ncs average size and density and the effects of these two parameters have been separated thanks to measurements at different temperatures. Accordingly, a thermal activation energy of the charge detrapping was calculated and shown to be dependent on the average size (or gap) of nanocrystal. Secondly, characterization with conductive atomic force microscopy was performed on samples containing uncapped nanocrystals. The effects of Ge-ncs size and density on charge trapping and transport have been studied. NF-EBIC (Near Field - Electron Beam Induced Current) measurements showed the electrical activity of sample surface with uncapped Ge-ncs. Finally, minority carrier diffusion lengths measurements have been made. The results showed that this key parameter is reduced by the presence of Ge-ncs and the enhancement of their densityREIMS-BU Sciences (514542101) / SudocSudocFranceF

Étude rétrospective sur la prise en charge de la fibrillation au Centre Hospitalier de Cholet (utilisation des HBPM en phase aiguë, complications hémorragiques et ischémiques)

La fibrillation auriculaire est le trouble du rythme cardiaque soutenu le plus fréquent. Ses complications les plus fréquentes sont les accidents emboliques et notamment cérébraux. Pour prévenir ce risque embolique, il est nécessaire d'utiliser une anticoagulation adéquate en phase aiguë. Par cette étude, il est clairement établi que la stratégie devant une FA en terme d'ETO et de choix de traitement antithrombotique, telle qu'elle est recommandée, n'est pas toujours respectée au centre hospitalier de Cholet. De plus, l'utilisation des héparines de bas poids moléculaire dans la prise en charge de la FA à la phase aiguë ne semble pas être responsable de complication hémorragique et ischémique pendant et à distance de l'hospitalisation. Une étude randomisée à grande échelle comparant les HNF et les HBPM est nécessaire afin que ces dernières puissent avoir l'AMM dans cette indication.NANTES-BU Médecine pharmacie (441092101) / SudocPARIS-BIUM (751062103) / SudocSudocFranceF

Electrografted organic memristors: scaling study yusing carbon nanotube electrodes and prospects for artificial neural networks

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